基于ARM單片機(jī)的嵌入式最小系統(tǒng)架構(gòu)研究

1）雙Flash獨(dú)立片選

該方式是把兩個(gè)Nor Flash芯片各自作為一個(gè)獨(dú)立的單元進(jìn)行處理。根據(jù)不同的應(yīng)用需要，可以在一塊Flash中存放啟動(dòng)代碼，而在另一塊Flash中建立文件系統(tǒng)，存放應(yīng)用代碼。該方式操作方便，易于管理。

（2）雙Flash統(tǒng)一片選

該方式是把兩個(gè)Nor Flash芯片合為一個(gè)單元進(jìn)行處理，ARM處理器將它們作為一個(gè)并行的處理單元來(lái)訪問(wèn)，本例是將兩個(gè)8bit的Nor Flash芯片SST39VF1601用作一個(gè)16bit單元來(lái)進(jìn)行處理。對(duì)于N(N>2)塊Flash的連接方式可以此作為參考。

3.2.2ARM處理器與Nand Flash接口技術(shù)

Nand Flash接口信號(hào)比較少，地址，數(shù)據(jù)和命令總線復(fù)用。Nand Flash的接口本質(zhì)上是一個(gè)I/O接口，系統(tǒng)對(duì)Nand Flash進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問(wèn)的時(shí)候，需要先向Nand Flash發(fā)出相關(guān)命令和參數(shù)，然后再進(jìn)行相應(yīng)的數(shù)據(jù)操作。ARM處理器與Nand Flash的連接主要有三種方式，如圖3所示：

運(yùn)用GPIO管腳方式去控制Nand Flash的各個(gè)信號(hào)，在速度要求相對(duì)較低的時(shí)候，能夠較充分的發(fā)揮NAND設(shè)備的性能。它在滿(mǎn)足NAND設(shè)備時(shí)域需求方面將會(huì)有很大的便利，使得ARM處理器可以很容易的去控制NAND設(shè)備。該方式需要處理器提供充足的GPIO。

（2）運(yùn)用邏輯運(yùn)算方式進(jìn)行連接

在該方式下，處理器的讀和寫(xiě)使能信號(hào)通過(guò)與片選信號(hào)CS進(jìn)行邏輯運(yùn)算后去驅(qū)動(dòng)NAND設(shè)備對(duì)應(yīng)的讀和寫(xiě)信號(hào)。圖3中b例為SamSung公司ARM7TDMI系列處理器S3C44B0與Nand Flash K9F2808U0C的連接方式。

（3）直接芯片使能

有些ARM處理器如S3C2410內(nèi)部提供對(duì)NAND設(shè)備的相應(yīng)控制寄存器，通過(guò)控制寄存器可以實(shí)現(xiàn)ARM處理器對(duì)NAND設(shè)備相應(yīng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)。該方式使得ARM處理器與NAND設(shè)備的連接變得簡(jiǎn)單規(guī)范，圖3中c例給出了ARM處理器S3C2410與Nand Flash K9F2808U0C的連接方式。