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          基于CSM020B和LM324的過(guò)流報(bào)警裝置設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-03-30 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          由圖2看出,正常狀態(tài)下預(yù)熱電流由加電瞬間1.6 A緩慢下降,約30 s時(shí)即到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)1.0 A,若速調(diào)管突然出現(xiàn)熱短路,預(yù)熱電流會(huì)迅速上升至1.5 A。當(dāng)燈絲電路失控(圖1中Rx大于1.3 kΩ時(shí)),預(yù)熱電流會(huì)由加電瞬間1.8 A稍下降,大電流十幾秒就會(huì)燒斷速調(diào)管燈絲,預(yù)熱電流下降并穩(wěn)定在0.5 A。根據(jù)預(yù)熱電流變化情況,電路時(shí)應(yīng)考慮:預(yù)熱電流正常時(shí)不,在發(fā)射階段(預(yù)熱電流2.2 A)也不應(yīng)聲音。燈絲電路失控導(dǎo)致預(yù)熱電流過(guò)大時(shí)直接發(fā)出報(bào)警音,提醒測(cè)試人員立即關(guān)閉預(yù)熱開(kāi)關(guān),停止測(cè)試。在預(yù)熱過(guò)程中由于速調(diào)管突然熱短路導(dǎo)致預(yù)熱電流變大時(shí)也及時(shí)報(bào)警(聲音與失控時(shí)有區(qū)別),告知測(cè)試人員立即斷電。

          3 過(guò)流報(bào)警電路的主要參數(shù)
          3.1 預(yù)熱電流采樣
          鑒于27 V預(yù)熱電流較大,用常規(guī)的串入采樣電阻方法,會(huì)影響產(chǎn)品供電電壓,電路選用霍爾效應(yīng)的電流傳感器。該傳感器采用測(cè)量靈敏度高的線繞法(導(dǎo)線纏繞在標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)形導(dǎo)磁鐵芯,匝數(shù)越多磁感應(yīng)強(qiáng)度越強(qiáng),輸出的霍爾電壓越大)?;魻栯妱?shì)UH計(jì)算公式:
          UH=KHIB
          式中:KH為霍爾元件的靈敏度;I為控制電流;B為霍爾元件垂直方向的磁感應(yīng)強(qiáng)度。27 V正極導(dǎo)線繞在電流傳感器上幾圈,當(dāng)有預(yù)熱電流時(shí)電流傳感器輸出電流,電流通過(guò)采樣電阻R1轉(zhuǎn)換為電壓,調(diào)節(jié)傳感器上電位計(jì)RPH可以校準(zhǔn)電壓和預(yù)熱電流數(shù)值的一致性,見(jiàn)圖3。調(diào)整繞線匝數(shù)和電位計(jì)RPH使電流比例系數(shù)為2‰,例如電阻R1上電壓2V表示預(yù)熱電流1A。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/171734.htm

          d.jpg


          3.2 報(bào)警電流閾值和延時(shí)時(shí)間的確定
          報(bào)警部分可通過(guò)電壓比較器實(shí)現(xiàn),同相輸入端接輸入電壓信號(hào),反相輸入端接與上限設(shè)定值對(duì)應(yīng)的參考電壓,參考電壓可由電位計(jì)調(diào)節(jié)。放大器采用輸入阻抗高、漂移較小、共模抑制比高的。在發(fā)射機(jī)調(diào)試時(shí),27 V預(yù)熱電流正常值始終大于0.9 A,考慮電路干擾影響,電流報(bào)警閾值設(shè)為0.8 A,即調(diào)節(jié)RP2使U1B比較器的6腳電壓1.6 V。由圖2可知,速調(diào)管在預(yù)熱約10 s,電流會(huì)下降到1.2 A以下,故選擇延時(shí)時(shí)間為10 s。速調(diào)管熱短路時(shí)預(yù)熱電流為1.5 A,電流報(bào)警閾值設(shè)為1.3 A,即調(diào)節(jié)RP1使U1A比較器的2腳電壓2.6V。燈絲電壓失控報(bào)警電流閾值設(shè)為1.6 A,調(diào)節(jié)RP3使U1C比較器的9腳電壓3.2V。
          延時(shí)電路選擇RC串聯(lián)充放電電路,這樣不僅電路簡(jiǎn)單,而且使電路具有在調(diào)試完一次產(chǎn)品后,能自動(dòng)恢復(fù)到待命狀態(tài)的功能(由于設(shè)備斷電后,電路檢測(cè)不到電流)。運(yùn)算放大器U1()在電源電壓8 V下,輸出電壓7.5 V,與非門U2選用CMOS電路(輸入阻抗較高,可以避免影響RC充電電路),高電平最小輸入要求為3.5 V,根據(jù)電容充電時(shí)間公式:
          e.jpg
          式中:vc(∞)=7.5 V;vc(0)=0 V;vTH=3.5 V,則t=0.629RC。延時(shí)時(shí)間為10 s,充電電容C1選為47μF,可計(jì)算出充放電回路的電阻R6為340kΩ。

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