JDM PIC 編程器制作方法簡(jiǎn)介
兩個(gè)穩(wěn)壓管,上面提到了需要1W的,推薦使用TL431,它的電流可達(dá)100mA,更詳細(xì)的參數(shù)和使用方法見(jiàn)它的數(shù)據(jù)手冊(cè)。
兩個(gè)三極管,耐壓要達(dá)到50V以上,電流100mA以上,截止頻率大于30MHZ,我使用2SC945代替,只是腳位不一樣,安裝時(shí)需要扭過(guò),或者朋友們也可自己重新畫(huà)PCB圖。
場(chǎng)效應(yīng)管的選擇:上面提過(guò)要實(shí)現(xiàn)VPP BEFORE VDD功能有問(wèn)題,我在線(xiàn)路板上用了一個(gè)IRF9014,F(xiàn)ENG3在BBS中推薦使用2SJ377,我裝好以后發(fā)現(xiàn)無(wú)論燒寫(xiě)與否VDD+5不能被完全關(guān)斷,實(shí)際上P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管需要負(fù)電壓才能導(dǎo)通,我測(cè)量TxD端,在不燒寫(xiě)時(shí)電壓為0V,沒(méi)有所期望的-15V電壓出現(xiàn),所以那個(gè)MOSFET不能被完全關(guān)斷。好在我燒寫(xiě)的是28PIN的16F7X,此電壓只要在燒寫(xiě)時(shí)有+3.5——+5V就行了。如果不燒寫(xiě)有內(nèi)部振蕩的MCU,這個(gè)管子不接也罷,況且P 溝道的MOSFET又少又貴。在實(shí)際使用中我做了如圖3的改動(dòng):使用NPN的管子,電流大于500mA,耐壓大于15V,、我選用8050,這樣就沒(méi)有問(wèn)題了。如果怕TxD有負(fù)電壓輸出而擊穿Q3的BE腳,可以在B極串一個(gè)二極管。改進(jìn)后的電路如下圖。
電阻均可采用1/8W或1/4W ±5%的碳膜電阻。
串口插座為9針母插。
其它材料恕不多述。
燒寫(xiě)時(shí)芯片的放置見(jiàn)下圖:
評(píng)論