單片機(jī)控制下的ISD芯片內(nèi)容復(fù)制電路的解決方案

　　在芯片中信息段不連續(xù)存儲(chǔ)的情況下，我們不妨將第i信息段和第i+1信息段之間的空白行看為第i+1信息段的組成部分，這相當(dāng)于第i+1段的前面部分記錄了聽(tīng)不到聲音的信息，并不影響聽(tīng)覺(jué)。另外，由于ISD芯片在播放過(guò)程中，輸入地址保持不變，因此，如果源芯片所在系統(tǒng)電路便于測(cè)試，可直接通過(guò)測(cè)量的方法獲得所有信息段的起始地址。

　　3.2 內(nèi)容復(fù)制電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)

　　ISD芯片內(nèi)容復(fù)制電路如圖4所示。圖中略去電源、自動(dòng)增益控制、XCLK等相關(guān)外圍電路，這部分可參考圖2。地址信號(hào)、控制信號(hào)和狀態(tài)信號(hào)均為數(shù)字信號(hào)，可直接接至單片機(jī)（如MSC51系列）I/O端口，但考慮到有些單片機(jī)引腳的驅(qū)動(dòng)能力有限，一般應(yīng)加上拉電阻。例如，89C2051的P1口中的P1.0和P1.1是比較器端，沒(méi)有內(nèi)部上拉電阻，而P1口的其它端均有內(nèi)部上拉，因此用P1口控制ISD芯片的地址線時(shí)，P1.0和P1.1兩端應(yīng)外接上拉電阻，否則地址控制會(huì)出錯(cuò)。

　　在圖4的復(fù)制電路中，源芯片工作在放音狀態(tài)，從SP+輸出的聲音波形經(jīng)過(guò)分壓電阻R和隔直電容C的簡(jiǎn)單調(diào)整，即可被送入目的芯片的ANA IN輸入端，在錄音過(guò)程中被存儲(chǔ)在目的芯片的E2PROM中。

　　在單片機(jī)程序設(shè)計(jì)中，通常把源芯片中所有信息段的起始地址放在一張表中，這樣可以通過(guò)查表指令獲取起始地址，便于對(duì)每個(gè)信息段進(jìn)行放音錄音操作。同時(shí)，應(yīng)該注意程序中的延時(shí)處理，通常在給出啟動(dòng)錄放操作的CE低電平之前，應(yīng)插入1~10ms的延時(shí)，以確保PD、P/R和地址信號(hào)穩(wěn)定；在查詢到源芯片有效的EOM輸出狀態(tài)時(shí)，考慮到ISD2532芯片的EOM低電平寬度為12.5ms，這里也應(yīng)加入12ms左右的延時(shí)；最后，在進(jìn)入另一次循環(huán)處理下一信息段的復(fù)制之前，應(yīng)相應(yīng)地加入一些延時(shí)，以確保芯片能穩(wěn)定工作。

　　4 結(jié)束語(yǔ)

　　本文在介紹ISD2532語(yǔ)音芯片原理的基礎(chǔ)上，針對(duì)ISD2532芯片內(nèi)容復(fù)制的問(wèn)題，較為全面地給出了源芯片多信息段起始地址的獲取方法，同時(shí)給出了一個(gè)簡(jiǎn)單單片機(jī)控制下的ISD芯片內(nèi)容復(fù)制電路的解決方案。在調(diào)整相關(guān)參數(shù)情況下，該方案可適用于處理原理相近的ISD系列芯片的復(fù)制拷貝問(wèn)題。

　　由于 ISD芯片具有現(xiàn)場(chǎng)錄音功能，ISD芯片在供電電源不穩(wěn)定，特別是上、下電期間可能會(huì)出現(xiàn)誤錄音問(wèn)題；同時(shí)，在允許用戶自定義錄音時(shí)可能存在錄錯(cuò)音問(wèn)題。針對(duì)以上問(wèn)題，本文提出的內(nèi)容復(fù)制電路也可作為一個(gè)模塊嵌入到實(shí)際系統(tǒng)中，作為恢復(fù)原始錄音的一種解決方案。