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          鐵電存儲(chǔ)器在驗(yàn)光儀數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2011-01-17 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          引言
          在綜合驗(yàn)光儀的驗(yàn)光過程中,用戶會(huì)根據(jù)不同的測試需求和習(xí)慣設(shè)置一些系統(tǒng)配置參數(shù),這些參數(shù)需要保存起來;更為重要的是,患者測得的雙眼屈光數(shù)據(jù)也需要長時(shí)間地保存起來,以備下次更換眼鏡時(shí)作為配鏡參考和數(shù)據(jù)比較。這樣,就面臨一個(gè)系統(tǒng)掉電后數(shù)據(jù)保存的問題。
          傳統(tǒng)半導(dǎo)體分為易失性和非易失性兩類:非易失性存儲(chǔ)器包括EPROM、EEPROM和Flash等,在斷電后仍能保存數(shù)據(jù),但由于采用 ROM技術(shù),所以存在寫入時(shí)間長、寫入次數(shù)有限、寫入時(shí)功耗較高等缺點(diǎn);而易失性存儲(chǔ)器雖然性能高、寫入次數(shù)不受限制、易用,但在掉電的情況下數(shù)據(jù)無法保存。對(duì)于大量數(shù)據(jù)的掉電存儲(chǔ),大多采用SRAM加后備電池的方法實(shí)現(xiàn),在實(shí)際使用過程中存在著數(shù)據(jù)不可靠、數(shù)據(jù)容易丟失以及需要維護(hù)電池等一系列的問題,大大增加了產(chǎn)品維護(hù)的工作并降低了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。鐵電存儲(chǔ)器FRAM的出現(xiàn)為以上問題的解決提供了一個(gè)很好的方案。
          鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是美國Ramtron公司推出的一款掉電數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)器,它結(jié)合了高性能和低功耗操作,能在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。 FRAM不僅克服了EEPROM和Flash寫入時(shí)間長、寫入次數(shù)有限的缺點(diǎn),又避免了增加備用電池,做到了快速、可靠的數(shù)據(jù)掉電保存。FRAM鐵電存儲(chǔ)器因其掉電不丟失、讀寫速度快、無限次讀寫、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),逐步成為一種主流存儲(chǔ)器,廣泛應(yīng)用在儀器儀表、工業(yè)控制、數(shù)字家電和通信產(chǎn)品等方面。

          1 FM1808鐵電存儲(chǔ)器簡介
          FM1808是由Ramtron公司推出的一款存儲(chǔ)容量為32K×8位的并行接口FRAM。其主要特點(diǎn)有:采用64K×8位的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu);低電壓,使用2.7~3.6 V電源供電;無限次讀寫;掉電數(shù)據(jù)保存1O年;讀寫速度快,內(nèi)存訪問速度可達(dá)70 ns;先進(jìn)的高可靠性鐵電存儲(chǔ)方式;低功耗,小于20μA的靜態(tài)工作電流,讀寫操作的功耗相同。

          2 FM1808存儲(chǔ)器讀寫操作
          FM1808通過并行口與外部處理器進(jìn)行接口,其操作雖然與SRAM十分類似,但在使用過程中應(yīng)注意它們之間的細(xì)微差異。FM1808時(shí)序和普通SRAM時(shí)序的比較如圖1所示。
          a.JPG

          由FM1808的時(shí)序波形和主要特性可知,在使用FM1808時(shí)需要注意以下幾個(gè)方面:
          ①并口FM1808內(nèi)含地址鎖存器,在芯片使能端()的下降沿鎖存每個(gè)地址,這樣就允許在每一次內(nèi)存存取周期開始之后改變地址總線。每次內(nèi)存存取都需要在下降沿鎖存地址,都必須確保產(chǎn)生一次由高向低的躍變,所以用戶不能像SRAM一樣將引腳接地。利用來控制地址的理由有兩個(gè)方面,一是鎖存新的地址,另一個(gè)是利用為高時(shí)產(chǎn)生必需的預(yù)充電時(shí)間。
          ②SRAM地址鎖存后,不會(huì)因?yàn)楦淖兊刂分刀绊慡RAM的內(nèi)存操作。與SRAM不同,F(xiàn)M1808的地址在鎖存后仍可能會(huì)隨著地址的變化而發(fā)生變化。當(dāng)?shù)刂繁绘i存后,地址值必須滿足保持時(shí)間參數(shù)后才能改變。
          ③另外一個(gè)設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)與VDD有關(guān)。電池后備SRAM會(huì)不停地監(jiān)測VDD以便必要時(shí)切換至后備方式,在一個(gè)低電壓水平下,它們會(huì)封鎖用戶對(duì)內(nèi)存的訪問以降低活動(dòng)SRAM對(duì)電池電源的消耗;而FRAM存儲(chǔ)器不需要這些系統(tǒng)開銷,在任何電源水平下,內(nèi)存都不會(huì)鎖住用戶對(duì)內(nèi)存的存取。然而,在電源超出正常工作范圍之外時(shí),用戶必須阻止處理器對(duì)內(nèi)存的存取。當(dāng)電源下跌時(shí),通常的設(shè)計(jì)慣例是使處理器復(fù)位,除此之外沒有其他的特殊要求。


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