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          LED技術(shù)及應用

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          作者:張宇哲 時間:2006-11-21 來源:無線電技術(shù) 收藏

            元件在2005年的全球市場規(guī)模約為57.4億美元,其中50%在日本,20%在臺灣。除了各種應用照明、戶外建筑及手機背光源等應用外,業(yè)界正在積極找尋各種新應用。本文介紹了的基本原理、技術(shù)趨勢,以及市場動態(tài)。 

          產(chǎn)業(yè)趨勢 

            (LED是利用光輻射原理來發(fā)光的,其發(fā)光顏色與制作材料有很密切的關(guān)系。LED技術(shù)的開發(fā),從早期的紅光、綠光,一直到開發(fā)成功藍光LED,才通過整合紅、藍、綠,或把藍光熒光粉與黃色熒光粉混合,成為白光LED。成功開發(fā)出白光LED的最大好處,是可以應用於多波長,讓運用領域變得廣泛而深遠。
            
          1、LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展 

            早在1907年開始,人們就發(fā)現(xiàn)某些半導體材料制成的二極管在正向?qū)〞r有發(fā)光的物理現(xiàn)象,但生產(chǎn)出有一定發(fā)光效率的紅光LED已是1969年了。1994-1995年人們開發(fā)成功了藍光LED,并在1998年實現(xiàn)了真正商品化。2000-2002年間,研發(fā)人員不斷追求成本效益,使LED成功打入手機背光源市場。到今天,LED已生產(chǎn)了30多年,各種類型的LED、利用LED作二次

            開發(fā)的產(chǎn)品及與LED配套的產(chǎn)品(如白光LED驅(qū)動器)發(fā)展迅速,新產(chǎn)品不斷上市,并已發(fā)展成為一種新型產(chǎn)業(yè)。

            LED技術(shù)研發(fā)之路,最為人津津樂道的故事,就是開發(fā)藍光LED時,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩大門派之爭。這也是許多研發(fā)團隊辛勤投入開發(fā)藍光LED元件時,必須痛苦抉擇的兩條截然不同的道路。 

            之前,全球許多大公司皆投入SiC研發(fā),結(jié)果日本一家專門做熒光粉業(yè)務的公司——日本日亞化工公司(Nichia Chemical Industries Ltd.)的研發(fā)人員中村修二先生(Shuj Nakamura)於1994年和1995年,在氮化鎵(GaN)研究方面獲得重大突破,并取得震驚全球的專利。這位研發(fā)人員的重大突破,引發(fā)了包括Sony及Toshiba等大廠的最高主管都出面為自己所做的錯誤決策導致技術(shù)落後而道歉。這位Nakamura的技術(shù)突破,讓氮化鎵(GaN)陣營正式快速超越SiC。

            原本做熒光粉業(yè)務的Nichia由於在藍光LED技術(shù)上的成功,使其年營業(yè)額從約1億美元快速發(fā)展到2003年的9億美元。而原本該公司準備發(fā)給Nakamura的專利獎勵金是日幣200萬元,經(jīng)過一場官司後,Nichia被判定應該給這位研究人員日幣2億元。
            
            繼藍光LED技術(shù)突破後,白光LED正式啟動了廣泛的LED應用風潮,從顯示、指示及手機光源,到正在醞釀中的LCD-TV背光源,各種新機會的大門不斷被創(chuàng)意敲開。

          2、LED技術(shù)

            LED是繼1950年代矽(Si)半導體技術(shù)後,由三五族(III-V族)化合物半導體發(fā)展的半導體器件。LED的發(fā)光原理是利用半導體中的電子和空穴結(jié)合而發(fā)出光子,不同於燈泡需要在3000度以上的高溫下操作,也不必像日光燈需使用高電壓激發(fā)電子束,LED和一般的電子元件相同,只需要2-4V的電壓,在常溫下就可以正常動作,因此其壽命也比傳統(tǒng)光源來得更長。

            LED所發(fā)出的顏色,主要是取決於電子與空穴結(jié)合所釋放出來的能量高低,也就是由所用的半導體材料的能隙所決定。同一種材料的波長都很接近,因此每一顆LED的光色都很純正,與傳統(tǒng)光源都混有多種顏色相比,LED可說是一種數(shù)字化的光源。

            LED大小可以因用途而隨意切割,常用的大小為0.3-1.0mm左右,跟傳統(tǒng)的燈泡或日光燈相比,體積相對小得多。為了使用方便,LED通常都使用樹脂包裝,做成5mm左右的各種形狀,十分堅固耐震。 

            LED的制作過程與制作矽晶圓IC很相似,首先使用化學周期表中超高純度的III族元素——鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In),以及V族元素——氮(N)、磷(P)、砷(As)為材料,在高溫下反應成為化合物,經(jīng)過單晶生長技術(shù),制成單晶棒,經(jīng)過切割、研磨、拋光成為,再將其作為基板(substrate),使用磊晶技術(shù)將發(fā)光材料生長在基板上,制成的磊經(jīng)過半導體鍍金和蝕刻工藝後,通過細切加工成LED晶粒。

            值得注意的是,除了大家常見的可見光外,LED還有不可見光,如“紫外光”與“紅外光”等,例如電視遙控器就是一種紅外光應用,其波長約為900nm,而紫外光則因為具有殺菌功能,所以被廣泛應用在醫(yī)療用途上。

          LED主要向大功率和小體積兩個方向發(fā)展

          (1)提高發(fā)光強度及發(fā)光效率

            作為指示燈方面的應用,有幾個mcd的發(fā)光強度也可以了,但由LED組成的數(shù)碼管或字元管則顯得亮度不足,若要用於戶外作信號或標顯示,則其亮度太低,不能滿足使用的要求。所以LED的主要發(fā)展方向是提高發(fā)光強度(也就是一般所指的提高亮度)。

            隨著半導體材料及半導體工藝技術(shù)、設備的發(fā)展,LED的亮度不斷提高,開發(fā)出高亮度及超高亮度LED,并且不斷創(chuàng)造新記錄。以Φ5標準封裝、發(fā)紅光、視角差別不大的LED為例,不同生產(chǎn)年份LED的發(fā)光強度如表1所示。

            從表1可以看出,近30年LED的發(fā)光強度提高了8000倍左右。1969-1987年LED的發(fā)光強度是很低的,發(fā)展很慢,但1994-2005年LED的亮度有很大的發(fā)展。表1列出的并非發(fā)光強度最高的。例如,在GaAs的襯底上采用AlInGaP工藝技術(shù)制成的Φ5、紅光LED,在小視角4



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