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          解決高頻開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容問(wèn)題

          作者: 時(shí)間:2013-09-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          隨著高頻技術(shù)的不斷完善和日趨成熟,其在鐵路信號(hào)供電系統(tǒng)中的應(yīng)用也在迅速增加。與此同時(shí),高頻自身存在的電磁騷擾(EMI)問(wèn)題如果處理不好,不僅容易對(duì)電網(wǎng)造成污染,直接影響其他用電設(shè)備的正常工作,而且傳入空間也易形成電磁污染,由此產(chǎn)生了高頻的電磁兼容(EMC)問(wèn)題。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/174707.htm

          本文重點(diǎn)對(duì)鐵路信號(hào)電源屏使用的1200W(24V/50A)高頻開(kāi)關(guān)電源模塊所存在的電磁騷擾超標(biāo)問(wèn)題進(jìn)行分析,并提出改進(jìn)措施。高頻開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)生的電磁騷擾可分為傳導(dǎo)騷擾和輻射騷擾兩大類。傳導(dǎo)騷擾通過(guò)交流電源傳播,頻率低于30MHz;輻射騷擾通過(guò)空間傳播,頻率在30~1000MHz。

          1 高頻開(kāi)關(guān)電源的電路結(jié)構(gòu)

          高頻開(kāi)關(guān)電源的主拓?fù)潆娐吩恚鐖D1所示。

          2 高頻開(kāi)關(guān)電源電磁騷擾源的分析

          在圖1a電路中的整流器、管Q1,在圖1b電路中的管Q2~Q5、高頻變壓器T1、輸出整流D1~D2都是高頻開(kāi)關(guān)電源工作時(shí)產(chǎn)生電磁騷擾的主要騷擾源,具體分析如下。

          (1)整流器整流過(guò)程產(chǎn)生的高次諧波會(huì)沿著電源線產(chǎn)生傳導(dǎo)騷擾和輻射騷擾。

          (2)開(kāi)關(guān)管工作在高頻導(dǎo)通和截止的狀態(tài),為了降低開(kāi)關(guān)損耗,提高電源功率密度和整體效率,開(kāi)關(guān)管的打開(kāi)和關(guān)斷的速度越來(lái)越快,一般在幾微秒,開(kāi)關(guān)管以這樣的速度打開(kāi)和關(guān)斷,形成了浪涌電壓和浪涌電流,會(huì)產(chǎn)生高頻高壓的尖峰諧波,對(duì)空間和交流輸入線形成電磁騷擾。

          (3)高頻變壓器T1進(jìn)行功率變換的同時(shí),產(chǎn)生了交變的電磁場(chǎng),向空間輻射電磁波,形成了輻射騷擾。變壓器的分布電感和電容產(chǎn)生振蕩,并通過(guò)變壓器初次級(jí)之間的分布電容耦合到交流輸入回路,形成傳導(dǎo)騷擾。

          (4)在輸出電壓比較低的情況下,輸出整流工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài),也是一種電磁騷擾源。

          由于的引線寄生電感、結(jié)電容的存在以及反向恢復(fù)電流的影響,使之工作在很高的電壓和電流變化率下,二極管反向恢復(fù)的時(shí)間越長(zhǎng),則尖峰電流的影響也越大,騷擾信號(hào)就越強(qiáng),由此產(chǎn)生高頻衰減振蕩,這是一種差模傳導(dǎo)騷擾。

          所有產(chǎn)生的這些電磁信號(hào),通過(guò)電源線、信號(hào)線、接地線等金屬導(dǎo)線傳輸?shù)酵獠侩娫葱纬蓚鲗?dǎo)騷擾。通過(guò)導(dǎo)線和器件輻射或通過(guò)充當(dāng)天線的互連線輻射的騷擾信號(hào)造成輻射騷擾。

          3 針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)電源電磁騷擾的電磁兼容設(shè)計(jì)

          (1)開(kāi)關(guān)電源入口加電源濾波器,抑制開(kāi)關(guān)電源所產(chǎn)生的高次諧波。

          (2)輸入輸出電源線上加鐵氧體磁環(huán),一方面抑制電源線內(nèi)的高頻共模,另一方面減小通過(guò)電源線輻射的騷擾能量。

          (3)電源線盡可能靠近地線,以減小差模輻射的環(huán)路面積;把輸入交流電源線和輸出直流電源線分開(kāi)走線,減小輸入輸出間的電磁耦合;信號(hào)線遠(yuǎn)離電源線,靠近地線走線,并且走線不要過(guò)長(zhǎng),以減小回路的環(huán)面積;PCB板上的線條寬度不能突變,拐角采用圓弧過(guò)渡,盡量不采用直角或尖角。

          (4)對(duì)芯片和MOS開(kāi)關(guān)管安裝去耦電容,其位置盡可能地靠近并聯(lián)在器件的電源和接地管腳。

          (5)由于接地導(dǎo)線存在Ldi/dt,PCB板和機(jī)殼間接地采用銅柱連接,對(duì)不適合用銅柱連接的采用較粗的導(dǎo)線,并就近接地。

          (6)在開(kāi)關(guān)管以及輸出整流二極管兩端加RC吸收電路,吸收浪涌電壓。

          4 高頻開(kāi)關(guān)電源電磁騷擾測(cè)試曲線

          在3m法電波暗室對(duì)試驗(yàn)樣機(jī)進(jìn)行測(cè)試,其L、N線的傳導(dǎo)騷擾檢測(cè)曲線如圖2、3所示,輻射騷擾的垂直極化掃描曲線如圖4、5所示。

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