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          電流源設(shè)計(jì)小Tips(二):如何解決運(yùn)放振蕩問題(2)

          作者: 時(shí)間:2013-08-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          看似只有一個(gè)輸入端Vin,但有前提條件——理想電源。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/174820.htm

          此電路共有5個(gè)輸入端,Vin、Vcc、Vee、Vp和GND。

          1. Vin為設(shè)定輸入端,自然希望所有系統(tǒng)輸出都只與其相關(guān)。

          2. Vcc和Vee為運(yùn)放電源。通常運(yùn)放只需要5mA以內(nèi)的偏流,因此只需濾波電容大于100uF既可限制紋波在可容忍的范圍內(nèi),況且Vcc和Vee一般會(huì)有78xx穩(wěn)壓,78xx的紋波抑制能力不低于100倍即40dB,運(yùn)放本身的電源抑制比至少80dB,因此Vcc和Vee的小幅變化對(duì)系統(tǒng)的影響基本可以忽略,即Vcc和Vee可視為理想電源。

          3. GND也是輸入端?不錯(cuò),除非銅的電阻率為0,否則地阻抗會(huì)起作用。如果PCB嚴(yán)格一點(diǎn)接地,由于地阻抗造成的問題基本不用考慮。否則,PCB設(shè)計(jì)不合格。

          還剩下一個(gè)Vp,雖然Vp也可由78xx得到,穩(wěn)壓前還可用大電容濾波,但MOSFET是沒有電源抑制能力的,因此Vp的波動(dòng)會(huì)通過影響輸出電流(一定頻率下,系統(tǒng)調(diào)整能力是有限的)直接作用在Rsample上,并反應(yīng)在運(yùn)放輸入端Vin-。

          100mA的電源的紋波問題是容易處理的,如果電流達(dá)到A_級(jí)別以上,很少有便宜的穩(wěn)壓IC可以處理,雖然LT108x能達(dá)到5A,但是在Vdrop不大的情況下,如果Vdrop=3V,一般的小散熱器就會(huì)力不從心,5A只是瞬間電流儲(chǔ)備能力,不推薦連續(xù)使用。因此A_級(jí)別以上的電源大多直接整流濾波得到,紋波不可小視。雖然理論上2000uF/A的濾波電容已足夠抑制紋波,但那是在變壓器內(nèi)阻極低的前提下。更大電流的電源很多由可控硅調(diào)壓得到,那個(gè)紋波就更厲害,即使濾波電容很大,紋波仍可由示波器清晰看到。

          如果Vp由開關(guān)電源提供,開關(guān)電源工作頻率附近的噪聲將作為輸入信號(hào)進(jìn)入電路。

          如果紋波頻率很低,例如100Hz,系統(tǒng)在此頻率完全可以應(yīng)對(duì),但Vp引入的信號(hào)(紋波和噪聲)通常不是正弦波,而是非對(duì)稱三角波,上升沿和下降沿分別為電容充電和放電曲線的一部分,富含諧波,而且諧波頻率很高,但幅度逐次衰減。開關(guān)電源更是如此,由于其工作頻率很高,紋波基波幅度已經(jīng)很大,因此可能造成更顯著的問題。

          紋波或其某個(gè)諧波通過Vp進(jìn)入電路后,如果系統(tǒng)在此頻率上調(diào)整能力有限,將造成輸出電流波動(dòng)(系統(tǒng)無法以足夠的速率相應(yīng)反向調(diào)整),并反應(yīng)在Rsample上,進(jìn)入Vin-。運(yùn)放隨即調(diào)整輸出端,但能力有限,輸出端尚未調(diào)整好,紋波的幅度和相位就可能發(fā)生變化,再次通過Rsample反饋到Vin-就可能出現(xiàn)相位裕量不足的情況,從而誘發(fā)振蕩。

          由電路理論出發(fā),如果系統(tǒng)在某個(gè)頻率上控制能力(帶寬)不足,則無法抑制此頻率上的電源波動(dòng)影響。因此要么提高系統(tǒng)帶寬,要么改善電源質(zhì)量。

          然而,對(duì)于恒流電子負(fù)載而言,原則上要面對(duì)各種電壓源Vp,而且大多數(shù)是作為中間產(chǎn)品的實(shí)驗(yàn)源,性能參差,紋波水平各異。改善電源質(zhì)量基本是句空話。提高系統(tǒng)帶寬對(duì)于穩(wěn)恒用途又實(shí)在意義不大,而且造成成本陡增。

          還有一種消極但便宜而且適應(yīng)性強(qiáng)的處理辦法,使運(yùn)放無法看到高頻率的紋波,即積分補(bǔ)償。

          在運(yùn)放Vin-和輸出端之間添加Rm、Cm串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),使Rsample上的電壓進(jìn)入Vin-之前由RF、Rm和Cm進(jìn)行積分濾波,使輸出電流中高次諧波成分無法(或大部分無法)進(jìn)入運(yùn)放。對(duì)于電子負(fù)載,積分補(bǔ)償更為重要。

          7.JPG

          由于RF、Rm和Cm構(gòu)成積分器,因而稱為積分補(bǔ)償。積分補(bǔ)償?shù)?dB頻率fi0dB由RF和Cm決定fi0dB=1/2piRFCm。

          大于0dB頻率的紋波成分受到衰減,直至達(dá)到Rm和Cm確定的回轉(zhuǎn)(零點(diǎn))頻率fiz=1/2piRmCm?;剞D(zhuǎn)的作用在于不過分降低系統(tǒng)對(duì)高頻的反應(yīng)能力。

          0dB頻率至少應(yīng)低于誘發(fā)振蕩的紋波頻率10倍,已達(dá)有效衰減。

          8.JPG

          很多電路不使用Rm,即沒有回轉(zhuǎn)頻率。那一定有Cm很小(100pF左右)的前提,否則如果Cm很大,積分頻響曲線在高頻段衰減過于嚴(yán)重,將造成系統(tǒng)高頻控制力下降。對(duì)于Vp性能不太好的情況,Cm可能取值很大,因此Rm是必要的。

          顯然,積分器0dB頻率越低,系統(tǒng)越穩(wěn)定,但也會(huì)由于Rm、Cm和Rc、Cc構(gòu)成的局部反饋使系統(tǒng)瞬態(tài)性能降低,因此適可而止。

          積分補(bǔ)償沒有固定的經(jīng)驗(yàn)值,如果Vp質(zhì)量較好,Cm甚至可以降至22pF,反之,如果Vp質(zhì)量很差(例如電子負(fù)載通常見到的情況),Cm可增大至1uF。

          此外Cm的選擇還與運(yùn)放GBW有關(guān),GBW越高(當(dāng)然要有頻率足夠高的MOSFET配合),系統(tǒng)對(duì)于高頻的控制能力越強(qiáng),Cm可越小。

          Rm決定回轉(zhuǎn)頻率,通?;剞D(zhuǎn)頻率高于0dB頻率10倍以上,因此Rm大致為1/10RF=100 Ohm。

          因此,如果可能,一定首先改善Vp質(zhì)量。

          好在本次只做100mA的電流源,一個(gè)7824或LM317就搞定了。在此情況下Cm=1000pF足矣。fi0dB=160kHz,fiz=1.6MHz,160kHz頻率以上由Vp造成的電流紋波/噪聲可由輸出減振器網(wǎng)絡(luò)消除。

          本次增加成本:

          100 Ohm電阻 1只 單價(jià)0.01元,合計(jì)0.01元

          1000pF/50V電容 1只 單價(jià)0.03元,合計(jì)0.03元

          合計(jì)0.04元

          合計(jì)成本:9.55元


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