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          高性能和高密度大電流POL設計解決方案

          作者: 時間:2013-07-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

          所有的電子產(chǎn)品都像我們這個世界一樣正在不斷縮小。隨著電路功能和集成度的提高,PCB板的空間變得彌足珍貴。主要的板空間要分配給應用的內(nèi)核功能,這些應用包括微處理器、FPGA、ASIC以及與其相關的高速 數(shù)據(jù)通道和支持元件。雖然設計者并不想這樣做,但是電源卻必須壓縮到剩下的有限空間之內(nèi)。功能和密度的增加,耗電也相應增加。這就為電源設計者帶來了一個很大的挑戰(zhàn),即如何以更小的占位提供更高的電源?

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/174897.htm

          答案說起來非常簡單:提高效率并同時提高開關頻率。而實際上,這卻是一個很難解決的問題,因為更高的效率和更高開關頻率是互相排斥的。盡管如此,IR公司IR3847大電流負載點(POL)集成穩(wěn)壓器的設計者還是開發(fā)出來了采用集成型MOSFET的降壓轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器可以在一個緊湊的5×6 mm封裝中(如圖1),將IR第三代SupIRBuck系列的額定電流擴展到25A。

          圖1: IR3847 5x6 mm QFN封裝。

          這一解決方案拉動了三個領域的共同創(chuàng)新:IC封裝、IC電路設計和高效MOSFET。由于最新的熱增強型封裝采用銅片,控制器中的創(chuàng)新是針對大于1MHz開關頻率的控制器和IR的最新一代,即12.5代 MOSFET,IR3847可以在無散熱器的情況下,在25A的電流下運行,與采用控制器和MOSFET的分立式解決方案相比,又將PCB的尺寸縮減了70%。利用IR3847(圖2),在一個小至168mm2的面積內(nèi),現(xiàn)在可以實現(xiàn)完整的25A電源解決方案。

          圖2: PCB面積的縮減。

          允許開關頻率提高到1MHz或者更高,但仍要采用高輸入電壓(如12V),這就需要一款新的專利型模塊架構(gòu),產(chǎn)生極小的導通時間脈沖。例如,將輸出從12V轉(zhuǎn)換至1V的1MHz設計,要求具有83ns的脈沖寬度,這樣就可以容許極小的抖動。在這些條件下,標準的PWM機制通常會產(chǎn)生30~40ns的抖動,對于這些應用而言,這樣的抖動時間是沒有意義的。IR3847內(nèi)的PWM調(diào)制電路僅產(chǎn)生4ns的抖動,與標準解決方案(圖3)相比,縮減了90%。這就實現(xiàn)了雙贏,即將輸出電壓紋波降低約30%的同時,允許1MHz或更高的頻率/更高寬度的操作,實現(xiàn)了更小的尺寸、更好的瞬態(tài)響應并采用了更少量的輸出電容。

          圖3: 抖動比較


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