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          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 一種應(yīng)用于交錯(cuò)并聯(lián)DC/DC變換器的陣列式集成磁件

          一種應(yīng)用于交錯(cuò)并聯(lián)DC/DC變換器的陣列式集成磁件

          作者: 時(shí)間:2013-07-05 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          0 引言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/174988.htm

          隨著大功率負(fù)載需求和分布式電源系統(tǒng)的發(fā)展,并聯(lián)技術(shù)的重要性日益增加。并聯(lián)系統(tǒng)中,每個(gè)變換器單元只分擔(dān)系統(tǒng)總電流的一部分,僅處理較小功率,降低了開(kāi)關(guān)管的應(yīng)力;還可以應(yīng)用冗余技術(shù),提高系統(tǒng)可靠性。但由于其控制信號(hào)是同步的,所以總的電流紋波是各單元電流紋波同步疊加,這使得變換器總的輸入輸出電流紋波很大,給輸入輸出濾波器的設(shè)計(jì)帶來(lái)了麻煩。

          交錯(cuò)運(yùn)行技術(shù)與并聯(lián)運(yùn)行技術(shù)在應(yīng)用范圍和主電路結(jié)構(gòu)上基本是一致的,只是并聯(lián)運(yùn)行技術(shù)的控制信號(hào)是同步的,而交錯(cuò)運(yùn)行的控制信號(hào)是交錯(cuò)的。所謂交錯(cuò)是指并聯(lián)各單元的工作信號(hào)頻率一致,而相角相互錯(cuò)開(kāi)一定的角度φ。φ和變換器的并聯(lián)單元個(gè)數(shù)n有關(guān)系,一般φ=2π/n。所以此類技術(shù)應(yīng)用于開(kāi)關(guān)變換器中,設(shè)計(jì)重點(diǎn)就是控制電路的實(shí)現(xiàn),不僅要實(shí)現(xiàn)均流控制,還要使并聯(lián)單元控制信號(hào)相角相差跡使紋波達(dá)到最小值。交錯(cuò)運(yùn)行變換器不但具有并聯(lián)運(yùn)行變換器的優(yōu)點(diǎn),還能克服它的缺點(diǎn),具有自身獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),能夠減小輸入輸出紋波。

          技術(shù)領(lǐng)域中,的發(fā)展趨勢(shì)之一是集成化,近年來(lái)人們對(duì)集成磁技術(shù)的研究越來(lái)越重視。磁集成技術(shù)是減小磁件體積和損耗以及提高變換器動(dòng)態(tài)性能的重要研究方向。在DC/DC變換器中,為了存儲(chǔ)和傳遞直流功率,其磁件中一般都流過(guò)較大的直流偏置電流,在磁件磁芯中產(chǎn)生較大的直流偏磁,為了防止直流偏磁引起磁芯飽和,一般采用低磁導(dǎo)率的材料或者具有集中氣隙及分布?xì)庀兜母叽艑?dǎo)率的材料,但這會(huì)使磁芯的利用率降低,同時(shí)限制了磁件體積的減小。

          1 陣列式集成磁件在交錯(cuò)并聯(lián)DC/DC變換器中的應(yīng)用

          交錯(cuò)并聯(lián)拓?fù)渚哂幸种戚敵鲭娏骷y波,降低輸出濾波器容量和擴(kuò)大系統(tǒng)輸出功率的顯著優(yōu)點(diǎn),通過(guò)減小每個(gè)并聯(lián)之路上的電感,可以顯著提高動(dòng)態(tài)特性。

          圖1是利用陣列式集成磁件構(gòu)成的雙通道交錯(cuò)并聯(lián)Buck變換器的拓?fù)?,電感L1和L2反向耦合,L1=L2=L。該變換器中開(kāi)關(guān)管S1和S2導(dǎo)通觸發(fā)脈沖相差T/2,D相等,在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)共有4個(gè)工作模態(tài)。圖2為陣列式集成電感的結(jié)構(gòu)示意圖,磁路由1#、2#、3#、4#四個(gè)磁芯構(gòu)成;四個(gè)繞組N1、N1′和N2、N2′成十字結(jié)構(gòu),分別繞在相鄰兩個(gè)磁芯的磁柱上,并且有N1=N1′=N2=N2′。N1和N1′繞組連接構(gòu)成電感L1的繞組ab;N2和N2′繞組連接構(gòu)成電感L2的繞組cd。

          交錯(cuò)變換器中無(wú)直流偏磁陣列式集成磁件研究

          2 陣列式集成磁件消除直流偏磁分析

          圖2所示陣列式集成磁件磁芯構(gòu)成可分為兩種形式:

          (1)四個(gè)磁芯材料及型號(hào)相同;

          (2)對(duì)角磁芯材料或型號(hào)不相同。

          2.1 陣列式集成磁件直流磁通的分布

          在以下四個(gè)工作模態(tài)下,磁件直流磁通分布如圖3所示。

          交錯(cuò)變換器中無(wú)直流偏磁陣列式集成磁件研究

          2.1.1 四個(gè)磁芯材料及型號(hào)相同

          四個(gè)磁芯完全相同

          交錯(cuò)變換器中無(wú)直流偏磁陣列式集成磁件研究

          式(2)表明在四個(gè)磁芯材料及型號(hào)完全相同的情況下,各磁芯中直流磁通被完全抵消。

          2.1.2 對(duì)角磁芯材料或型號(hào)不相同

          設(shè)1#和3#磁芯型號(hào)完全相同,且較2#和4#磁芯具有高的磁導(dǎo)率,則

          交錯(cuò)變換器中無(wú)直流偏磁陣列式集成磁件研究

          將式(3)代入式(2)可見(jiàn),式(2)仍然成立,這表明對(duì)角磁芯材料或型號(hào)不相同時(shí)各磁芯中直流磁通仍然被完全抵消,即無(wú)直流偏磁。

          2.2 陣列式集成磁件交流磁通的分布

          在四個(gè)工作模態(tài)下,磁件中交流磁通分布如圖2所示。

          2.2.1 四個(gè)磁芯材料及型號(hào)相同

          交錯(cuò)變換器中無(wú)直流偏磁陣列式集成磁件研究

          各繞組磁通波形及磁芯中的磁通波形如圖4所示。從圖4可見(jiàn),各磁芯中交流磁通變化相同,磁芯中無(wú)直流偏磁。

          交錯(cuò)變換器中無(wú)直流偏磁陣列式集成磁件研究

          2.2.2 對(duì)角磁芯材料或型號(hào)不相同

          仍設(shè)1#和3#磁芯型號(hào)完全相同,且較2#和4#磁芯具有高的磁導(dǎo)率。各繞組磁通波形及磁芯中的磁通波形如圖5所示。從圖5可見(jiàn),由于磁導(dǎo)率不同,對(duì)角磁芯中交流磁通變化相同;但2#和4#磁芯磁通變化幅度小于1#和3#磁芯磁通變化幅度;磁芯中無(wú)直流偏磁。

          交錯(cuò)變換器中無(wú)直流偏磁陣列式集成磁件研究
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