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          開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)原理及全過(guò)程(二)

          作者: 時(shí)間:2013-06-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          4.1.1.2 Duty Cycle , fT:

          4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)

          4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) :

          Q1 MOSFET:

          4.1.1.5 輔助電源(開(kāi)機(jī),滿(mǎn)載)、短路Pin max.:

          4.1.1.6 Static (full load)

          Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff

          90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7

          115V/60Hz 18.6 031 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1

          132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1

          180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7

          230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9

          264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9

          4.1.1.7 Full Range負(fù)載(0.3A-4A)

          (驗(yàn)證是否有振蕩現(xiàn)象)

          4.1.1.8 回授失效(輸出輕載)

          Vout = 8.3Vê90V/47Hz

          Vout = 6.03Vê264V/63Hz

          4.1.1.9 O.C.P.(過(guò)電流保護(hù))

          90V/47Hz = 7.2A

          264V/63Hz = 8.4A

          4.1.1.10 Pin(max.)

          90V/47Hz = 24.9W

          264V/63Hz = 27.1W

          4.1.1.11 Dynamic test

          H=4A,t1=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Rise)

          L=0.3A,t2=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Full)

          90V/47Hz

          264V/63Hz

          4.1.1.12 HI-POT test:

          HI-POT test一般可分為兩種等級(jí):

          輸入為3 Pin(有FG者),HI-POT test為1500Vac/1? minute.Y-CAP使用Y2-CAP

          輸入為2 Pin(無(wú)FG者),HI-POT test為3000Vac/1? minute.Y-CAP使用Y1-CAP

          DA-14B33屬於輸入3 PIN HI-POT test 為1500Vac/1 minute.

          4.1.1.13 Grounding test:

          輸入為3 Pin(有FG者),一般均要測(cè)接地阻(Grounding test),安規(guī)規(guī)定FG到輸出線(xiàn)材(輸出端)的接地不能超過(guò)100MΩ(2.5mA/3 Second)。

          4.1.1.14 溫N記錄

          設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)定案後(暫定),需針對(duì)整體溫N及EMI做評(píng)估,若溫N或EMI無(wú)法符合規(guī)格,則需重新實(shí)驗(yàn)。溫N記錄請(qǐng)參考附件,D5原來(lái)使用BYV118(10A/40V Schottky barrier 肖特基二極管 ),因溫N較高改為PBYR1540CTX(15A/40V)。

          4.1.1.15 EMI測(cè)試:

          EMI測(cè)試分為二類(lèi):

          Conduction(傳導(dǎo)干擾)

          Radiation(幅射干擾)

          前者視規(guī)范不同而有差異(FCC : 450K - 30MHz,CISPR 22 :150K - 30MHz),前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗(yàn)證;後者(范圍由30M - 300MHz,則因廠內(nèi)無(wú)設(shè)備必須到實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證,Conduction,Radiation測(cè)試資料請(qǐng)參考附件) .

          4.1.1.16 機(jī)構(gòu)尺寸:

          設(shè)計(jì)階段即應(yīng)對(duì)機(jī)構(gòu)尺寸驗(yàn)證,驗(yàn)證的項(xiàng)目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸…,若設(shè)計(jì)階段無(wú)法驗(yàn)證,則必須在樣品階段驗(yàn)證。

          4.1.2 樣品驗(yàn)證:

          樣品制作完成後,除溫N記錄、EMI測(cè)試外(是否需重新驗(yàn)證,視情況而定),每一臺(tái)樣品都應(yīng)經(jīng)過(guò)驗(yàn)證(包括電氣及機(jī)構(gòu)尺寸),此階段的電氣驗(yàn)證可以以ATE(Chroma)測(cè)試來(lái)完成,ATE測(cè)試必須與電氣規(guī)格相符。

          4.1.3 QE驗(yàn)證:

          QE針對(duì)工程部所提供的樣品做驗(yàn)證,工程部應(yīng)提供以下交件及樣品供QE驗(yàn)證。

          開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)缺點(diǎn)

          1、功耗小,效率高。在開(kāi)關(guān)電源電路中,晶體管V在激勵(lì)信號(hào)的激勵(lì)下,它交替地工作在導(dǎo)通-截止和截止-導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)狀態(tài),轉(zhuǎn)換速度很快,頻率一般為50kHz左右,在一些技術(shù)先進(jìn)的國(guó)家,可以做到幾百或者近1000kHz.這使得開(kāi)關(guān)晶體管V的功耗很小,電源的效率可以大幅度地提高,其效率可達(dá)到80%.

          2、體積小,重量輕。從開(kāi)關(guān)電源的原理框圖可以清楚地看到這里沒(méi)有采用笨重的工頻變壓器。由于調(diào)整管V上的耗散大幅度降低后,又省去了較大的散熱片。由于這兩方面原因,所以開(kāi)關(guān)電源的體積小,重量輕。

          3、穩(wěn)壓范圍寬。從開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓是由激勵(lì)信號(hào)的占空比來(lái)調(diào)節(jié)的,輸入信號(hào)電壓的變化可以通過(guò)調(diào)頻或調(diào)寬來(lái)進(jìn)行補(bǔ)償。這樣,在工頻電網(wǎng)電壓變化較大時(shí),它仍能夠保證有較穩(wěn)定的輸出電壓。所以開(kāi)關(guān)電源的穩(wěn)壓范圍很寬,穩(wěn)壓效果很好。此外,改變占空比的方法有脈寬調(diào)制型和頻率調(diào)制型兩種。開(kāi)關(guān)電源不僅具有穩(wěn)壓范圍寬的優(yōu)點(diǎn),而且實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓的方法也較多,設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的要求,靈活地選用各種類(lèi)型的開(kāi)關(guān)電源。

          濾波的效率大為提高,使濾波電容的容量和體積大為減少。開(kāi)關(guān)電源的工作頻率目前基本上是工作在50kHz,是線(xiàn)性穩(wěn)壓電源的1000倍,這使整流后的濾波效率幾乎也提高了1000倍;即使采用半波整流后加電容濾波,效率也提高了500倍。在相同的紋波輸出電壓下,采用開(kāi)關(guān)電源時(shí),濾波電容的容量只是線(xiàn)性穩(wěn)壓電源中濾波電容的1/500~1/1000.電路形式靈活多樣,有自激式和他激式,有調(diào)寬型和調(diào)頻型,有單端式和雙端式等等,設(shè)計(jì)者可以發(fā)揮各種類(lèi)型電路的特長(zhǎng),設(shè)計(jì)出能滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)合的開(kāi)關(guān)電源。

          開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源缺點(diǎn):

          開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的缺點(diǎn)是存在較為嚴(yán)重的開(kāi)關(guān)干擾。開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源中,調(diào)整開(kāi)關(guān)晶體管V工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),它產(chǎn)生的交流電壓和電流通過(guò)電路中的其他元器件產(chǎn)生尖峰干擾和諧振干擾,這些干擾如果不采取一定的措施進(jìn)行抑制、消除和屏蔽,就會(huì)嚴(yán)重地影響整機(jī)的正常工作。此外由于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源振蕩器沒(méi)有工頻變壓器的隔離,這些干擾就會(huì)串入工頻電網(wǎng),使附近的其他電子儀器、設(shè)備和家用電器受到嚴(yán)重干擾。

          目前,由于國(guó)內(nèi)微電子技術(shù)、阻容器件生產(chǎn)技術(shù)以及磁性材料技術(shù)與一些技術(shù)先進(jìn)國(guó)家還有一定的差距,因而造價(jià)不能進(jìn)一步降低,也影響到可靠性的進(jìn)一步提高。所以在我國(guó)的電子儀器以及機(jī)電一體化儀器中,開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源還不能得到十分廣泛的普及及使用。特別是對(duì)于無(wú)工頻變壓器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源中的高壓電解電容器、高反壓大開(kāi)關(guān)管、開(kāi)關(guān)變壓器的磁芯材料等器件,在我國(guó)還處于研究、開(kāi)發(fā)階段。

          在一些技術(shù)先進(jìn)國(guó)家,開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源雖然有了一定的發(fā)展,但在實(shí)際應(yīng)用中也還存在一些問(wèn)題,不能十分令人滿(mǎn)意。這暴露出開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的又一個(gè)缺點(diǎn),那就是電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,故障率高,維修麻煩。對(duì)此,如果設(shè)計(jì)者和制造者不予以充分重視,則它將直接影響到開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的推廣應(yīng)用。當(dāng)今,開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源推廣應(yīng)用比較困難的主要原因就是它的制作技術(shù)難度大、維修麻煩和造價(jià)成本較高

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