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          電感選擇對DC-DC轉(zhuǎn)換器性能的折衷

          作者: 時間:2013-06-05 來源:網(wǎng)絡 收藏

          圖5和圖6給出了圖1所示電路在從2A至5A再返回至2A的負載階躍時FDV0620-0.47uH和FDV0620-1uH電感的負載暫態(tài)響應,在圖6中,外部補償經(jīng)過調(diào)整以配合1uH電感值。參考圖1,改變了以下三個元件來達到該目的:C10 = 1000pF,R4 = 5900,R6 = 316。請注意圖5中的輸出電壓過沖要低于圖6。對于具有相同電感量的DV0620和FDV0630系列,測量到的響應相同。

          工作原理

          在描述了電感選擇的測量結(jié)果之后,我們現(xiàn)在概括其工作原理。下面的等式忽略真實電感的寄生特性,但是它仍可為電感的工作原理提供良好的理解。

          高邊MOSFET在電感充電期間(tON)導通,將電感連接至輸入電源電壓。在確定電感值以后,可以用tON = T替換dt,用(VIN- VOUT)替換V,然后計算I (即di)。表2給出了圖1所示電路中(I與本文所討論的電感之間的對應關系。圖1中電路滿足表2參數(shù)的條件是VIN = 3.3V,VOUT = 1.8V,(T = D x T,其中D為占空比(VOUT/VIN),T為開關周期(1/fS)。

          表2. 給定電感值與電感電流變化

          di/dt (I/T)的中值等于IOUT,因此峰值電流等于IOUT加I/2??梢钥吹皆谪撦d電流相同時較小的電感將導致較大的峰值電流。

          直流電阻(DCR)

          IC和電感的損耗可以從效率曲線得到。對于圖2中的FDV0620-0.47uH,輸出電流取1A時效率為92.5%。輸出為1A乘以1.8V即1.8W,因此輸入為1.8/0.925 = 1.946W??倱p耗為PIN - POUT = 0.146W。主要的功率損耗來自電感直流電阻、MOSFET RDS(ON) (導通電阻)以及開關損耗。IOUT2 x DCR等于電感的功率損耗。

          FDV0620-0.47uH在1A輸出電流時的DCR損耗為8.3mW (見表3),占總損耗的5.7%。在IOUT = 4A,PIN = 8.1W,POUT = 7.2W (效率 = POUT/PIN = 88.9%)時,總損耗為PIN - POUT = 0.9W;FDV0620-0.47uH在4A時DCR損耗為132.8mW,占總損耗的14.7%。IOUT2的結(jié)果是在較大輸出電流時DCR損耗更大。

          表3. DCR引起的功率損耗

          導通損耗是電感電流或IOUT、占空比(D)和RDS(ON)的函數(shù):

          PCONDM = ILX2 x RDS(ON) x D高邊導通損耗為:

          1A輸出電流時,PCOND = 12 x 0.022 x 1.8V/3.3V = 12mW。

          4A輸出電流時,PCOND = 42 x 0.033 x 1.8V/3.3V = 288mW。

          低邊導通損耗為:

          1A輸出電流時,PCOND = 12 x 0.022 x (1-1.8V/3.3V) = 10mW。

          4A輸出電流時,PCOND = 42 x 0.033 x (1-1.8V/3.3V) = 240mW。

          1A時RDS(ON)取室溫時測量的典型值,但是大電流時MOSFET工作在較高的溫度。RDS(ON)可以進行調(diào)整以適應較高的溫度,因此在4A輸出電流時取33m。

          開關損耗

          開關損耗發(fā)生在開關打開和關閉的過程中,由MOSFET柵極電容充放電電流引起。在開關打開的瞬間,開關兩端的電壓較高,但是在電壓下降前電流持續(xù)上升。下面的等式可以使用逼近法粗略計算開關的功率損耗:

          PSW = uV x IOUT x tSW x fSW其中tSW為開通或關閉時間,fSW為開關頻率。對于1A輸出電流,PSW = u x 3.3V x 1A x 5ns x 1MHz = 8.24mW在本例中無法方便的測量tSW,因為MAX8646的開關內(nèi)置,它們共享公共連接LX(引腳15至引腳16)。在死區(qū)時間前后,LX端的上升和下降時間大致各為5ns。

          上面的功率損耗計算同時適用于開通和關閉。因為本例中LX端的上升和下降時間tSW相同,可以將該數(shù)值乘以4。如果MOSFET外置可以進行測量,然后可以單獨計算得到更精確的結(jié)果。對于0.47uH電感,在1A輸出電流時開通和關閉損耗大概各為32.96mW。

          結(jié)論

          在為PWM電壓模式開關選擇電感時的折衷可以方便的進行確定。較大的電感提供較低的峰值電流和較低的損耗,可以提高效率。較小的電感通常帶來較低的效率,但是在負載變化時提供更快速的響應。另外,類似于電感值,較大的磁芯尺寸可以在電感值相同時提供更低的DCR,較低的DCR可以獲得更好的動態(tài)性能。在任何情況下,在確定最終電路之前都必須經(jīng)過測試!


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          關鍵詞: 穩(wěn)壓器 功率

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