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          快速恢復(fù)二極管打火問(wèn)題的優(yōu)化設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2013-05-15 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          引 言 快恢復(fù)(簡(jiǎn)稱FRD)是一種具有開(kāi)關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短的半導(dǎo)體,主要應(yīng)用于、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中,作為高頻整流、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用。擊穿電壓是最重要得參數(shù)之一,它和最大電流容量一起決定了電力電子器件的額定,其中FRD通常是通過(guò)大面積PN結(jié)保證實(shí)現(xiàn)大電流。但是對(duì)于高壓工作的FRD來(lái)說(shuō),平面工藝不可避免的存在著結(jié)面彎曲效應(yīng)而影響擊穿電壓,使得器件實(shí)際擊穿電壓只有理想情況的10%-30%。因此為了保證FRD能工作在高電壓下,就需要使用結(jié)終端技術(shù)來(lái)消除結(jié)面彎曲帶來(lái)的影響,提高FRD器件的耐壓。在提高耐壓采用終端技術(shù)的同時(shí),還要兼顧到其它特性的影響和優(yōu)化。如本文后面將要提到的,在采用金屬場(chǎng)板終端提高耐壓的同時(shí),還要防止圓片打火問(wèn)題的發(fā)生。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/175211.htm

          1場(chǎng)限環(huán)的基本結(jié)構(gòu)

          圖1:場(chǎng)限環(huán)結(jié)構(gòu)示意圖

          圖2:多個(gè)場(chǎng)限環(huán)結(jié)構(gòu)示意圖

          場(chǎng)限環(huán)的基本結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖1,圖2.。就是在被保護(hù)的主結(jié)周圍間隔一定距離,擴(kuò)散形成一定大小的同心環(huán)。擴(kuò)散環(huán)改變了主結(jié)邊緣空間電荷分布,減輕了電場(chǎng)集中效應(yīng)。提高了耐壓。單環(huán)的作用有限,一般在高壓下需要通過(guò)多個(gè)環(huán)來(lái)達(dá)到預(yù)定的電壓。

          2 場(chǎng)板的基本結(jié)構(gòu)分析

          圖3:場(chǎng)板結(jié)構(gòu)示意圖

          場(chǎng)板的基本結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖3,也是常用的提高耐壓的方法之一。場(chǎng)板下除邊緣部分外,電場(chǎng)分布是一維的,類似于MOS電容。擊穿時(shí)的擊穿電壓為擊穿時(shí)半導(dǎo)體的電壓和氧化層的壓降之和。在場(chǎng)版的邊緣,電力線集中。如果場(chǎng)板長(zhǎng)度比內(nèi)部耗盡層還大,N+P結(jié)的場(chǎng)板有電力線從板向半導(dǎo)體發(fā)出,在半導(dǎo)體表面有電力線進(jìn)入,這等效于半導(dǎo)體表面有正電荷,他對(duì)電場(chǎng)的影響可看做是無(wú)窮大的半導(dǎo)體中間增加了一層電荷,這些正電荷產(chǎn)生垂直于表面的場(chǎng)外,也將產(chǎn)生平行于表面的場(chǎng),每一正電荷在其左邊產(chǎn)生指向左的場(chǎng),在其右邊產(chǎn)生指向右的場(chǎng)。所以在場(chǎng)版下面的多數(shù)區(qū)域,正電荷產(chǎn)生的橫向電場(chǎng)是互相削弱。然而在場(chǎng)板的邊緣,所有正電荷產(chǎn)生的橫向場(chǎng)是互相加強(qiáng)的,結(jié)果在那里造成一個(gè)橫向場(chǎng)的峰值。如果場(chǎng)板很短或者無(wú)場(chǎng)板時(shí),在PN結(jié)的邊緣就有很強(qiáng)的電場(chǎng),場(chǎng)板上所有正電荷都是使這點(diǎn)電場(chǎng)減少的,因此場(chǎng)板愈長(zhǎng),電場(chǎng)峰值愈小。

          3 氣隙的擊穿特性

          我們知道,影響空氣間隙放電電壓的因素有很多。主要有電場(chǎng)的情況,比如均勻與不均勻;電壓的形式,比如直流,交流還是雷電沖擊;大氣的條件,比如溫度,濕度,氣壓等。較均勻電場(chǎng)氣隙的擊穿電壓與電壓極性無(wú)關(guān),直流,工頻擊穿電壓(峰值)以及50%沖擊擊穿電壓都相同,分散性很小。

          當(dāng)S不過(guò)于小時(shí)(S>1cm), 均勻空氣中的電場(chǎng)強(qiáng)度大致等于30KV/cm。稍不均勻的電場(chǎng)氣隙的擊穿電壓,可以看作球與球之間,球與板之間,圓柱與棒之間,同軸圓柱的間隙之間的擊穿。它的特點(diǎn)是不能形成穩(wěn)定的電暈放電,電場(chǎng)不對(duì)稱時(shí),有極性效應(yīng),不很明顯,直流,工頻下的擊穿電壓以及50%沖擊擊穿電壓相同,分散性不大,擊穿電壓和電場(chǎng)均勻程度關(guān)系極大,電場(chǎng)越均勻,同樣間隙距離下的擊穿電壓就越高。直流電壓下的擊穿電壓具有極性效應(yīng),棒棒電極間的擊穿電壓介于極性不同的棒板電極之間,平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)正棒和負(fù)板間約4.5KV/cm,負(fù)棒和正板間約10KV/cm,棒和棒之間約4.8-5KV/cm。擊穿電壓與間隙距離接近正比,在一定范圍內(nèi),擊穿電壓與間隙距離呈線性關(guān)系。球與球間隙之間存在鄰近效應(yīng),對(duì)電場(chǎng)會(huì)有畸變作用,使間隙電場(chǎng)分布不對(duì)稱,同一距離下,球直徑越大,擊穿電壓也越高。

          圖4 擊穿電壓與間隙距離的關(guān)系

          4 實(shí)驗(yàn)過(guò)程

          4.1失效現(xiàn)象與分析

          FRD在開(kāi)發(fā)過(guò)程中工程批流片出來(lái)后測(cè)試擊穿電壓,當(dāng)電壓加到幾百伏時(shí),可開(kāi)始看到有嚴(yán)重的打火現(xiàn)象,測(cè)試打火曲線如圖5,打火發(fā)生后,圓片上可看到終端外圍兩個(gè)金屬鋁條有明顯發(fā)黑的跡象,如圖6。

          圖5 FRD 圓片擊穿電壓測(cè)試曲線

          圖6 FRD 圓片打火位置圖片

          其中距離cell區(qū)較近的金屬是終端的一個(gè)金屬場(chǎng)板,在最外圍的一個(gè)是截止環(huán)的金屬。從失效現(xiàn)象來(lái)看,打火應(yīng)該是最外圍的兩個(gè)金屬之間進(jìn)行的。工藝上,當(dāng)初為了節(jié)省成本,金屬完成后沒(méi)有加鈍化層次,因此兩個(gè)金屬之間是沒(méi)有氧化等介質(zhì)的。檢查版上數(shù)據(jù),金屬場(chǎng)板到截止環(huán)金屬之間距離為72um,懷疑可能此距離太小,又沒(méi)有介質(zhì),因此導(dǎo)致金屬之間電場(chǎng)過(guò)強(qiáng),引起打火,為了驗(yàn)證,特對(duì)原結(jié)構(gòu)進(jìn)行了模擬。

          4.2原結(jié)構(gòu)模擬結(jié)果

          如圖7所示原始結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬,結(jié)果擊穿電壓約1500V,最外圍的金屬場(chǎng)板與最外圍截止環(huán)金屬之間電勢(shì)差約800V,最外圍場(chǎng)板承擔(dān)了較大的電壓,從表面電場(chǎng)分布看,最外圍金屬場(chǎng)板處表面電場(chǎng)最強(qiáng),約2.6E5V/cm,前面其它環(huán)的電場(chǎng)基本在1.6E5V/cm左右,金屬場(chǎng)板處電場(chǎng)較集中。而空氣的擊穿場(chǎng)強(qiáng)約為30KV/cm,金屬場(chǎng)環(huán)和截止環(huán)之間距離為72um,空氣耐壓約220V,據(jù)此推斷失效的原因應(yīng)該是金屬之間距離較近,電壓較大引起空氣擊穿,從而發(fā)生打火現(xiàn)象。

          圖7:FRD 原版結(jié)構(gòu)

          圖8 FRD原版模擬結(jié)果電勢(shì)分布圖

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