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          重新應(yīng)用 BJT:在光伏逆變器中運用新型SiC BJT 可實現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本

          作者: 時間:2013-05-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          在過去 30 多年中,諸如 MOSFET 和 IGBT 之類的 CMOS 替代產(chǎn)品在大多數(shù)電源設(shè)計中逐漸取代基于硅的 BJT,但是今天,基于碳化硅的新技術(shù)為 BJT 賦予了新的意義,特別是在高壓應(yīng)用中。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/175250.htm

          碳化硅布局以同等或更低的損耗實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率,并且在相同形狀因數(shù)的情況下可產(chǎn)生更高的輸出。 運用了 SiC BJT 的設(shè)計也將使用一個更小的電感,并且使成本顯著降低。 雖然運用碳化硅工藝生產(chǎn)的 BJT 相較于僅基于硅的 BJT 會更昂貴,但是使用 SiC 技術(shù)的優(yōu)勢在于可在其它方面節(jié)省設(shè)計成本,從而實現(xiàn)更低的整體成本。 本文介紹的升壓設(shè)計用于光伏轉(zhuǎn)換階段,其充分利用 SiC BJT 的優(yōu)勢,在顯著降低系統(tǒng)成本的同時可實現(xiàn)良好的效率。

          碳化硅的優(yōu)勢

          基于硅的 BJT 在高壓應(yīng)用中失寵有幾方面原因。 首先,Si BJT 中的低電流增益會形成高驅(qū)動損耗,并且隨著額定電流的增加,損耗變得更糟。 雙極運行也會導(dǎo)致更高的開關(guān)損耗,并且在器件內(nèi)產(chǎn)生高動態(tài)電阻。 可靠性也是一個問題。 在正向偏壓模式下運行器件,可能會在器件中形成具有高電流集中的局部過溫,這可能導(dǎo)致器件發(fā)生故障。 此外,電感負(fù)載切換過程中出現(xiàn)的電壓和電流應(yīng)力,可能會導(dǎo)致電場應(yīng)力超出漂移區(qū),從而導(dǎo)致反向偏壓擊穿。 這會嚴(yán)格限制反向安全工作區(qū) (RSOA),意味著基于硅的 BJT 將不具有短路能力。

          在運用碳化硅的新型 BJT 中不存在同樣的問題。 與硅相比,碳化硅支持的能帶間隙是其三倍,可產(chǎn)生更大的電流增益,以及更低的驅(qū)動損耗,因此 BJT 的效率更高。 碳化硅的擊穿電場強(qiáng)度是硅的 10 倍,因此器件不太容易受到熱擊穿影響,并且要可靠得多。 碳化硅在更高的溫度下表現(xiàn)更出色,因此應(yīng)用范圍更為廣泛,甚至包括汽車環(huán)境。

          從成本角度而言,碳化硅的高開關(guān)頻率在硬件級可實現(xiàn)成本節(jié)約。 雖然相較于基于純硅,基于碳化硅的 BJT 更昂貴,但 SiC 工藝的高密度將會轉(zhuǎn)換為更高的芯片利用率,并且支持使用更小的散熱器和更小的過濾器元件。 從長遠(yuǎn)來看,使用更昂貴的碳化硅 BJT 實際上更省錢,因為整體系統(tǒng)的生產(chǎn)成本更低。 我們設(shè)計的升壓就是一個例子。 它設(shè)計用于額定為 17 千瓦的光伏系統(tǒng)中,具有 600 伏的輸出電壓,輸入范圍為 400 到 530 V。

          管理效率

          BJT 的電路能夠減少損耗和提高系統(tǒng)效率。 做了兩件事: 對器件電容迅速充放電,實現(xiàn)快速開關(guān);確保連續(xù)提供基極電流,使晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)中保持飽和狀態(tài)。

          為了支持動態(tài)操作,15V 的電源電壓引起更快的瞬態(tài)變化,并提高性能。 SiC BJT 的閾值電壓約為 3V。通常情況下無需使用負(fù)極驅(qū)動電壓或米勒鉗位來提高抗擾度。

          SiC BJT 是一個&ldquo;常關(guān)型&rdquo;器件,并且僅在持續(xù)提供基極電流時激活。 選擇靜態(tài)操作的基極電流值會涉及到傳導(dǎo)損耗和驅(qū)動損耗間的折衷平衡。 盡管有較高的增益值(因此會形成較低的基極電流),驅(qū)動損耗對 SiC BJT 仍非常重要,由于 SiC 布局具有較寬能帶間隙,因此必須在基極和發(fā)射極間提供一個更高的正向電壓。 將基極電流增加一倍,從 0.5A 增加到 1A,僅降低正向等效電阻 10%,因此需要降低傳導(dǎo)損耗,同時使飽和度轉(zhuǎn)變?yōu)檩^高水平。 這是我們設(shè)計升壓的一個重要考慮因素,因為它會在更高的電流紋波下運行。 1A 的基極電流會使開關(guān)能力增加至 40A

          靜態(tài)驅(qū)動損耗是選定驅(qū)動電壓和輸入電壓的一個函數(shù)(間接表示占空比值)。 實現(xiàn)高開關(guān)速度需要 15V 的驅(qū)動電壓,產(chǎn)生約 8W 的損耗,主要集中在基極電阻上。 為了彌補(bǔ)這方面的損耗,對于動態(tài)和靜態(tài)操作,我們通常使用兩個單獨的電源電壓。 圖 1 提供了示意圖。高壓驅(qū)動器的控制信號會&ldquo;中斷&rdquo;,因此它僅在開關(guān)瞬態(tài)期間使能。 靜態(tài)驅(qū)動階段使用較低電壓,從而可以降低靜態(tài)損耗,并在整個導(dǎo)通期間保持激活狀態(tài)。



          圖 1.使用兩個電源電壓降低損耗


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