適用于便攜式數(shù)字終端的電源轉換器

引言：近年來，手機和，數(shù)碼相機和多媒體個人播放器（PMP）等便攜式終端產(chǎn)品在全球范圍內(nèi)持續(xù)持續(xù)升溫，，同時應對消費者需求的新功能也層出不窮，功能的增多勢必導致系統(tǒng)耗電量的提升，為了滿足更低功耗、更小尺寸的要求，電源管理IC的選擇在便攜產(chǎn)品設計中成為至關重要的因素。據(jù)Databeans預測電源管理芯片已經(jīng)成為全球半導體市場的亮點如圖1。特別是手機為首的手持終端設備趨向于低電壓化，波紋噪聲等的處理和輸出電壓精度的要求越來越高，這也成為困擾整機設計師和電源IC設計師們的重要課題。富士通常年以來致力于電源IC的研發(fā)，已經(jīng)成功推出了數(shù)百款的電源IC產(chǎn)品。在日本的DC/DC市場份額名列前茅。多年來在全球被許多頂級的廠商大量采用。特別是，富士通在面向便攜式產(chǎn)品的電源管理IC的開發(fā)擁有豐富的經(jīng)驗，常年為日本國內(nèi)各大頂級數(shù)碼相機,數(shù)碼攝像機以及手機廠商提供高品質(zhì)的電源管理芯片。為了滿足便攜式終端對電源的最新需求，位與日本的富士通專業(yè)電源研發(fā)中心 推出了面向便攜式產(chǎn)品的“MB39C014”（單通道，內(nèi)置FET電流控制模式同步整流降壓型DC/DC轉換器）和MB39C015（雙通道，內(nèi)置FET電流控制模式同步整流降壓型DC/DC轉換器）這兩款的產(chǎn)品。MB39C014和MB39C015為內(nèi)置MOS管，每個通道最大輸出電流高達800mA, 擁有低噪聲，高啟動響應，電源啟動順序控制等特點，特別適合PMP,PND，數(shù)碼相機，手機，硬盤，DVD驅(qū)動器，EVD驅(qū)動器等產(chǎn)品

工作時,內(nèi)置振動發(fā)生器(方形波發(fā)生電路)產(chǎn)生2MHz的工作頻率，通過讓內(nèi)置的Pch/Nch MOSFET進行同步整流來進行控制。該單元考慮了同步整流所導致的貫穿電流的可能性，并對此作了防護措施。

檢測內(nèi)置的Pch MOS FET流入外部電感的電流(ILX)。將ILX的峰值電流IPK進行I-V轉換，將轉換后的VIDET和誤差放大器的輸出值進行比較，使PWM邏輯控制單元控制Pch MOS FET “OFF”。

將VREF等的標準電壓和輸出電壓進行比較。MB39C015內(nèi)置了相位補償電路，已將IC調(diào)整到最佳工作狀態(tài)。因此，完全不需要考慮相位補償和為相位補償外置器件等問題。

高精度的標準電壓產(chǎn)生BGR(Band Gap Reference)電路。輸出電壓為1.30V(標準)。

用來監(jiān)測VDD端口。通常XPOR端口通過外置電阻作為VDD端口的pull-up來使用，當VDET端口的電壓達到0.6V的時候輸出狀態(tài)為“H”。

防止低電源電壓狀態(tài)時誤工作的單元。低電源電壓時輸出狀態(tài)為“Hi-Z”

內(nèi)置過熱保護電路單元。當芯片溫度達到或超過135度時候，自動將SW FET的Nch和Pch同時設定為“OFF”。雖然沒有特地設置專用的過電流保護單元，但由于該芯片采用的是電流控制模式，隨時監(jiān)測峰值電流，進而進行控制。