<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 單端正激式開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

          單端正激式開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-12-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          光耦反饋電路實(shí)際由兩部分構(gòu)成:

          ① 由反饋繞組NF、高頻整流濾波器構(gòu)成的非隔離式反饋電路,反饋電壓UFB為光敏三極管提供偏壓;

          ② 由取樣電路、外部誤差放大器、光耦合器構(gòu)成的隔離式反饋電路,它將U。的變化量直接轉(zhuǎn)換成控制電流Ic。其中,UFB基本不受交流輸人電壓u變化的影響,而Ic則與Uo變化有關(guān)。僅當(dāng)u寬范圍變化而負(fù)載穩(wěn)定時(shí)Ic才與△U有關(guān)。

          2、放大過程的選擇

          該誤差放大器,如圖4所示,極為特殊,它不同于普通的誤差電壓放大器,并且只有一個(gè)輸入控制端。當(dāng)輸出電壓發(fā)生波動(dòng)且變化量為△Uo時(shí),通過取樣電阻分壓之后,就使TL431的輸出電壓UK也產(chǎn)生相應(yīng)的變化量,進(jìn)而使LED的工作電流IF改變,最后通過控制端電流Ic的變化量來調(diào)節(jié)占空比D,使Uo產(chǎn)生相反的變化,從而抵消了△Uo的波動(dòng)。上述穩(wěn)壓過程亦可歸納成:

          UO↑UK↓IF↑IC↑D↓Uo↓最終使Uo不變。

          單端正激式開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

          圖4 誤差放大電路

          3、TOPSwitch-GX系列單片開關(guān)電源的選擇

          ToPswith-GX是高性價(jià)比的單片開關(guān)電源。以下是固定輸入時(shí)PD與η、Po的關(guān)系曲線:

          TOPSwitch—Gx系列產(chǎn)品在固定輸入條件下,當(dāng)uo=十12V時(shí),芯片功耗(PD)與電源效率η)、輸出功率(Po)的關(guān)系曲線,分別如圖3.2.1所示?,F(xiàn)規(guī)定以下條件:開關(guān)頻率f=132kHz;交流輸人電壓u=230v±15%;輸入濾波電容CIN的容量按1uF/w的比例系數(shù)選取;感應(yīng)電壓UOR=135v:捅極鉗位電壓UB=200V。

          單端正激式開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

          圖5芯片功耗(PD)與電源效率η)、輸出功率(Po)的關(guān)系曲線

          漏極鉗位電路中可以并聯(lián)上Rc網(wǎng)絡(luò),以減少瞬態(tài)電壓抑制器的損耗;輸出整流管采用肖持基二極管,5v輸出時(shí)肖特基二極管的正向壓降為0.45V、反向 耐 壓為45V,12v輸出時(shí)分別為0.54v、100v;TOPSwitch在額定輸出時(shí)的最高結(jié)溫TJMAX=100℃(僅Y封裝為110℃)。圖中,橫坐標(biāo)代表Po縱坐標(biāo)代表η所給出的八條實(shí)線依次為電源效率,虛線則表示芯片功耗的等值線。若要使用陰影區(qū)內(nèi)的曲線部分,應(yīng)選更大功率的輸出整流管并增加濾波電容的容量,此時(shí)電源效率會(huì)降低些。由于該設(shè)計(jì)的開關(guān)電源是固定輸入,輸出為12v、30w:從圖5可以看出,當(dāng)Po=30w可選TOP243、TOP244,用TOP243時(shí)效率83.8%,功耗1.3w;用TOP244時(shí)效率84.9%,功耗1w;鑒于價(jià)錢相差不大,考慮用了TOP244。

          4、漏極保護(hù)電路的選擇

          鑒于在功率MOSFET關(guān)斷的瞬間,高額變壓器的漏感會(huì)產(chǎn)生尖郵電壓UL,另外在Np上還臺(tái)產(chǎn)生成應(yīng)電壓(即反向電動(dòng)勢(shì))UOR,二者登加在直流楊入電壓UI上。在典型情況下,UIMAX=380V,UL≈165V,UOB=135V,即UIMAX十UL十UOB≈680v。這就要求功率MOSFET至少應(yīng)能承受700v的高壓,即U(BR)DS≥700v,同時(shí)還必須在漏極增加鉗位電路,用以吸收尖均電壓,保護(hù)功率MOSPET不受損壞。鉗位電路由VD1、R3、C1組成,VD1選用反向耐壓為1000V的快速高效整流二極管HER108。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時(shí),NP的電壓極性上端為正,下端為負(fù),使VDl截止,鉗位電路不起作用。在MOSFET截止瞬間,NP變?yōu)橄露藶橹?,上端為?fù),此時(shí)VDl導(dǎo)通,尖峰電壓就被R12、R9和C11吸收掉。如圖6所示:

          單端正激式開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

          圖6 漏極保護(hù)電路

          四、總結(jié)

          設(shè)計(jì)完畢后,會(huì)做一些試驗(yàn),這里只告訴大家做了哪些試驗(yàn),可以做空載試驗(yàn),和帶金屬負(fù)載試驗(yàn)。大家可以根據(jù)自己動(dòng)手的情況好好體會(huì)該設(shè)計(jì)的獨(dú)特之處。


          上一頁 1 2 下一頁

          關(guān)鍵詞:

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();