MMC型HVDC輸電系統(tǒng)子模塊的設(shè)計(jì)
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時(shí)間：2013-03-11
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1個(gè)IGBT模塊一般包括1個(gè)IGBT和1個(gè)反并聯(lián)二極管，IGBT的損耗包括通態(tài)損耗和開(kāi)關(guān)損耗，二極管損耗包括通態(tài)損耗和關(guān)斷損耗。在正弦脈寬調(diào)制下，考慮溫度和死區(qū)時(shí)間對(duì)IGBT和二極管通態(tài)損耗的影響，IGBT及反并聯(lián)二極管的通態(tài)損耗分別為：
IGBT開(kāi)關(guān)損耗隨電流ic變化規(guī)律是非線性的，很難用解析表達(dá)式準(zhǔn)確定量描述。考慮電壓、電流和溫度等對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的影響，將開(kāi)關(guān)損耗按線性化折算，可滿(mǎn)足設(shè)計(jì)需要。開(kāi)關(guān)損耗為：
式中：fsw為載波頻率；Eon，Eoff分別為IGBT開(kāi)通和關(guān)斷損耗；Err為快恢復(fù)二極管關(guān)斷損耗，其值較小，可忽略；Uref，Iref分別為參考電壓和電流；Udc為橋臂電壓；Ksw／Tr_I，Ksw／Tr_U分別為IGBT開(kāi)關(guān)損耗電流、電壓系數(shù)；KswVD_I，KswVD_U分別為快恢復(fù)二極管開(kāi)關(guān)損耗電流、電壓系數(shù)；Ksw／Tr_T，KswCD_T分別為IGBT和快恢復(fù)二極管開(kāi)關(guān)損耗溫度系數(shù)。
6 系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)
熱設(shè)計(jì)目的是采取措施限制IGBT及SM內(nèi)的溫升在合理的范圍內(nèi)，主要措施包括減少發(fā)熱量和增強(qiáng)散熱，增強(qiáng)散熱包括自然冷卻、強(qiáng)迫風(fēng)
冷、液冷等散熱形式。考慮MMC的熱特性及對(duì)模塊體積和散熱效率要求，液冷為最合適的冷卻方式，其散熱效率高，可多模塊共用，經(jīng)濟(jì)性高。
IGBT模塊的熱應(yīng)力參數(shù)主要有結(jié)溫和熱阻。加裝散熱器的IGBT模塊熱阻主要由RthJC_I，RthCH_I，RthHA3部分組成，效電路如圖4所示。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/175872.htm
評(píng)論