同步Buck新型高頻正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路的研究

摘要：高效率、高開關(guān)頻率和高動(dòng)態(tài)響應(yīng)是近年來開關(guān)電源領(lǐng)域研究的重點(diǎn)，但開關(guān)頻率的提高伴隨著驅(qū)動(dòng)損耗的急劇增加，特別是當(dāng)開關(guān)頻率達(dá)到5 MHz以上等級(jí)時(shí)，傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)電路已無法正常工作。同步Buck是目前很常用的一種DC／DC拓?fù)?，此處提出了一種新型正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)了對(duì)高邊開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)，且有效降低了高開關(guān)頻率下電路的驅(qū)動(dòng)損耗。在輸入電壓為15 V，輸出電壓為5 V，輸出電流為2 A，開關(guān)頻率為6 MHz的同步Buck電路中，其效率能達(dá)85％以上。針對(duì)該驅(qū)動(dòng)方式采用了ON-OFF電壓滯環(huán)的閉環(huán)控制策略，提高了電路的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能。
關(guān)鍵詞：驅(qū)動(dòng)電路；正弦波諧振驅(qū)動(dòng)；驅(qū)動(dòng)損耗

1 引言
在電子信息技術(shù)不斷發(fā)展的背景下，小型化已成為各項(xiàng)技術(shù)不斷追求和發(fā)展的目標(biāo)。為了減小電源所占的空間，提高便攜式設(shè)備的待機(jī)時(shí)間，模塊電源必須朝著小型化且高效率的方向發(fā)展。
提高M(jìn)OSFET的開關(guān)頻率可降低電路的儲(chǔ)能需求，減小電感電容等無源器件的體積，進(jìn)而減小開關(guān)電源的體積。但傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)電路只適用于兆赫茲以下等級(jí)的開關(guān)頻率，當(dāng)開關(guān)頻率繼續(xù)增加時(shí)，傳統(tǒng)方波驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)損耗會(huì)急劇增加，嚴(yán)重影響整體電路的效率。當(dāng)開關(guān)頻率達(dá)到5 MHz以上時(shí)，電路甚至無法正常工作。為了解決上述問題，此處提出了一種針對(duì)普通的同步Buck拓?fù)涞碾p管正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路，解決了主開關(guān)管高邊驅(qū)動(dòng)的問題，且針對(duì)所提出的驅(qū)動(dòng)方式采用ON-OFF電壓滯環(huán)的閉環(huán)控制方式。

2 同步Buck電路及其驅(qū)動(dòng)電路
2．1 同步Buck電路
圖1示出主電路所采用的同步Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)圖。與常規(guī)的Buck電路相比，同步Buck電路采用MOSFET VQ2替代了常規(guī)Buck電路中的續(xù)流二極管，降低了二極管續(xù)流時(shí)的導(dǎo)通損耗。

2．2 傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)電路
圖2示出目前應(yīng)用廣泛的傳統(tǒng)方波驅(qū)動(dòng)電路，通過VS1和VS2交替導(dǎo)通給VQ的輸入寄生電容Ciss不斷地充電和放電，從而實(shí)現(xiàn)VQ的開通和關(guān)斷。因此傳統(tǒng)方波驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)損耗可表示為：，其中，fs為VQ的開關(guān)頻率?？梢?，傳統(tǒng)方波驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)損耗是隨著開關(guān)頻率的增加而成比例增長的，不適用于開關(guān)頻率在兆赫茲以上等級(jí)的電路。

2．3 正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路
圖3示出正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路原理圖。

通過一個(gè)外接電感Lr在fs下與VQ的輸入寄生電容Ciss產(chǎn)生諧振，通過諧振所產(chǎn)生的正弦波來驅(qū)動(dòng)VQ。因?yàn)橹C振過程中能量一直在Ciss和Lr間傳遞，損耗主要由諧振電流流過前端圖騰柱輸出電阻Ri和MOSFET的柵極寄生電阻Rg而產(chǎn)生，因此相對(duì)于傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)電路，損耗大為減小。與傳統(tǒng)的方波驅(qū)動(dòng)相比，正弦波諧振驅(qū)動(dòng)有許多優(yōu)點(diǎn)：①由于驅(qū)動(dòng)電路的能量一直在諧振電容和電感之間傳遞，大大減小了驅(qū)動(dòng)電路和MOSFET柵極的損耗；②由于MOSFET的輸入電容是隨著諧振的過程而實(shí)現(xiàn)充放電的，因此MOSFET開通和關(guān)斷瞬間所需的電流明顯減小，避免了柵極寄生電感引起的振蕩；③在驅(qū)動(dòng)雙開關(guān)管的電路拓?fù)鋾r(shí)，正弦波諧振驅(qū)動(dòng)電路無需復(fù)雜的死區(qū)控制電路，因?yàn)檎也?qū)動(dòng)有固有的死區(qū)時(shí)間。