低電壓大電流VRM拓撲結構和均流技術研究

(4)

均流的效果取決于 的差值。當 和 相等時，均流就有非常好的效果。而且MOSFET導通電阻的不同和電感值的不同對均流的效果沒有影響。

2.3 仿真結果及分析

圖7顯示了兩支路參數(shù)不同時，在不同負載情況下的均流效果。

(a) 輕載時均流結果

圖7 (b) 重載時均流結果

在這兩個并行的支路中，一個支路中使用MOSFET的型號為2N6756,導通電阻為 ，輸出濾波電感為1.2uH,另一個模塊使用MOSFET的型號為2N6763，導通電阻為 ，輸出濾波電感為1uH，兩個模塊的MOSFET的導通電阻不一樣，濾波電感值也不一樣，當負載從輕載到重載變化時，均流效果是很好的，但是由于電感值不一樣，電感的等效電阻值有差異， MOSFET選擇的導通電阻較大，對電路的性能影響較大，所以在負載電流較大時兩個模塊的均流差一些。

2.4 電流分享控制技術的概括和拓展

2.4.1 電流分享控制技術的概括

前面討論了當每一個模塊的線圈電阻相同時新型均流技術的應用。為了總結這項技術的應用，必須研究線圈電阻和分布電阻不同時的情況。

圖8顯示了當 與 不同時這項技術的應用，我們假設 和 的比率為確定的。

(5)

在圖8中的控制不同于圖6中的控制。有兩個額外的比例放大器加在均流控制環(huán)1中。這兩個放大器被用來調整在不同模塊中電流分布比率。在圖8中， 和 是

(6)

(7)

在兩個均流控制環(huán)中的兩個積分器使得 等于 。從式(2)、(3)和(7)可以得到下列關系：

(8)

所以，如果 和 滿足下列關系， 和 就相等：

(9)

通過控制 和 的比率，可以確定電流分布比率。實際上，在均流控制環(huán)的設計中，不一定只使用一個積分補償器，其它的補償器，像兩極和一個零極的補償器可以調整均流控制環(huán)的帶寬以改善電流的響應速度。

圖8 均流控制的拓展應用

2.4.2 電流分享控制技術的拓展應用

提出的電流分享技術可以用于其它的拓撲和隔離轉換變換器，并且不是只能使用輸出參數(shù)，事實上，在很多并行的轉換器中當不同的模塊有共同的參數(shù)點就可以使用這項技術。唯一需要改變的就是均流控制環(huán)中的比例放大器的參考值。