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          一種基于第二代電流傳輸器的積分器設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-08-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:介紹了一種低壓、寬帶、軌對(duì)軌、自偏置CMOS器(CCII)的模式器電路,能廣泛應(yīng)用于無線通訊、射頻等高頻模擬電路中。通過采用0.18μm工藝參數(shù),進(jìn)行Hspice仿真,結(jié)果表明:器電壓跟隨的線性范圍為-1.04~1.15 V,電流跟隨的線性范圍為-9.02~6.66 mA,iX/iZ的-3 dB帶寬為1.6 GHz。輸出信號(hào)的幅度以20dB/decade的斜率下降,相位在低于3 MHz的頻段上保持在90°。
          關(guān)鍵詞:代電流器;電流模式器;低壓;自偏置;軌對(duì)軌;寬帶

          近年來,電流模式電路在模擬信號(hào)處理中受到了廣泛的關(guān)注,與傳統(tǒng)的電壓模式電路相比,電流模式電路具有速度高、頻帶寬、電源電壓低和功耗小等特點(diǎn)。代電流傳輸器(CCII)就是典型的電流模式電路的代表。第二代電流傳輸器作為最基本、最重要的積木塊被廣泛應(yīng)用在通信系統(tǒng)電子電路、有源濾波器、模擬信號(hào)處理、A/D和D/A轉(zhuǎn)換器等許多方面。
          RC器在集成電路系統(tǒng)中有重要的作用,經(jīng)常運(yùn)用于濾波器、信號(hào)發(fā)生器和各種控制電路中。模擬積分器的電路結(jié)構(gòu)中多用運(yùn)算放大器,由于級(jí)間電容和分布電容的客觀存在,此類電路的工作速度不可能很高,工作電壓及功耗也不可能很低。
          電流傳輸器以電流作為輸入、輸出及信息傳輸?shù)闹饕獏?shù),工作速度很高(SR>2 000 V/μs),而電源電壓很低(可達(dá)到1.5 V),具有動(dòng)態(tài)范圍寬、非線性失真小、溫度穩(wěn)定性好、抗干擾和噪聲能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
          筆者介紹了一種CMOS第二代電流傳輸器(CCII)的電流模式積分器電路,其中的CCII模塊具有自偏置、寬帶、低功耗、電流和電壓的傳輸誤差小等優(yōu)點(diǎn),該電路的有較大的電流輸入范圍。

          1 電路描述
          1.1 第二代電流傳輸器模型
          CCII是一個(gè)三端口的有源器件,拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖1所示,它確保了端口的兩大功能性:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/176407.htm

          a.JPG


          1)Y和X端口間的電壓跟隨;
          2)X和Z端口間的電流跟隨。
          CCII的輸入輸出特性可用下列矩陣方程描述:
          b.JPG
          在理想情況下,α=1和β=1分別代表電流傳輸器的電流和電壓傳輸增益。
          1.2 CMOS CCII電路的
          本文采用的是標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的低壓、寬帶、軌對(duì)軌、自偏置CCII電路,如圖2所示。

          c.JPG


          由于輸入電壓由MOS管的柵極輸入,所以該電路具有很高的輸入阻抗。該電路主要包括4個(gè)部分:
          1)軌到軌輸入級(jí):包含兩個(gè)差分對(duì),其中一個(gè)是以NMOS管(M1和M2)為輸入對(duì)管,其正向共模輸入范圍很大,可以達(dá)到正電源,另一個(gè)是以PMOS管(M3和M4)為輸入對(duì)管,其負(fù)向共模能力很強(qiáng),可以達(dá)到負(fù)電源。
          2)緩沖級(jí):是通過源隨器M13和M14來實(shí)現(xiàn)的,作用是為了提高X端的電壓跟隨能力同時(shí)保證在X端有低阻抗。
          3)電流鏡:基本電流鏡M11和M12是將M13的電流復(fù)制到M12流入Z端,M15和M18是將M14的電流復(fù)制到Z端。另外,兩個(gè)電流鏡M5、M6和M7、M8分別構(gòu)成差分輸入電路的有源負(fù)載。
          4)偏置電路:M17~M20為MOS分壓電阻,通過電流鏡M17和M10給NMOS差對(duì)提供尾電流,電流鏡M20和M9給PMOS差分對(duì)提供尾電流,整個(gè)電路從而不需加額外的偏置源??紤]到集成電路的隔離工藝,本電路中所有PMOS的襯底接VDD,所有NMOS的襯底接VSS。

          基爾霍夫電流相關(guān)文章:基爾霍夫電流定律



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