提高繼電器觸點(diǎn)抗浪涌能力的一種新穎旁路保護(hù)電路
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5 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
實(shí)驗(yàn)邊界條件如下：
(1)取R2=15kΩ，R3=15kΩ，C1=4．7μF、C2=10μF、R5=2．7Ω；
(2)P溝道MOSFET型號為IRF5210；
(3)繼電器采用3JB20-3型繼電器，單觸點(diǎn)額定電流為15A，觸點(diǎn)動作時(shí)間為6．4ms，線圈額定電壓為28V；
(4)設(shè)定功率線輸入正端電壓U1=28V，未采用浪涌旁路保護(hù)電路時(shí)，流過繼電器觸點(diǎn)K1的電流波形見圖4。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/176494.htm
實(shí)際測試結(jié)果如下：
(1)脈沖驅(qū)動信號高電平為28V，持續(xù)時(shí)間為80ms；
(2)流過繼電器觸點(diǎn)K1的額定電流值為10A，浪涌電流值最大為49．4A，幅值已超過了繼電器觸點(diǎn)的額定電流值，持續(xù)時(shí)間為4．8ms。
采用浪涌旁路保護(hù)電路后，流過繼電器觸點(diǎn)K1的電流波形見圖5。
實(shí)際測試結(jié)果如下：
(1)脈沖驅(qū)動信號高電平為28V，持續(xù)時(shí)間為80ms；
(2)脈沖信號高電平建立6．4ms后繼電器觸點(diǎn)接通，流過繼電器觸點(diǎn)K1的電流值為3．6A，80ms驅(qū)動信號為低電平，Q1截止，電流全部流過繼電器觸點(diǎn)，電流值為10A。
根據(jù)以上測試結(jié)果，浪涌旁路保護(hù)電路滿足設(shè)計(jì)要求，在功率線輸入正端電壓U1接通瞬間，由于電容器產(chǎn)生的浪涌電流被浪涌旁路保護(hù)電路旁路(浪涌電流持續(xù)時(shí)間為4．8ms)，在繼電器觸點(diǎn)接通(脈沖信號高電平建立后6．4ms)前，回路中電流值已恢復(fù)到額定電流值，能夠確保繼電器觸點(diǎn)安全。
6 結(jié)束語
通過分析及對比實(shí)驗(yàn)，浪涌旁路保護(hù)電路能夠確保規(guī)避繼電器觸點(diǎn)受到浪涌電流的沖擊，滿足繼電器用于航天產(chǎn)品中高可靠性的要求，是一種提高繼電器觸點(diǎn)抗浪涌能力的一種新穎保護(hù)電路，該電路已應(yīng)用于某衛(wèi)星型號地面設(shè)備，取得了良好效果。
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