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          實現(xiàn)高效率和低待機功耗的雙管反激式轉換器

          作者: 時間:2012-07-12 來源:網(wǎng)絡 收藏

          和低是現(xiàn)今開關電源設計的兩大難題,由于諧振拓撲或LLC拓撲能夠滿足的要求,因而日益流行。然而在這種拓樸中,前PFC級必須在輕負載期間保持運作,造成諧振回路中存在內(nèi)循環(huán)損耗,成為一個頭疼問題。對于沒有附加輔助電源的應用,LLC諧振拓撲難以滿足2013 ErP等新法規(guī),在0.25W負載下輸入功率低于0.5W的要求。激式拓樸是能夠應對效率和兩大挑戰(zhàn)的解決方案,適用于75W~200W范圍的電源。它提供了與LLC諧振解決方案相當?shù)男?,還有大幅改良的待機功率性能。激式拓樸能夠成為頗具吸引力的解決方案,可替代復雜的LLC諧振,用于筆記本電腦適配器、LED-TV電源、LED照明驅動器、一體型電腦電源和大功率充電器應用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/176740.htm

          設計開關電源的挑戰(zhàn)

          現(xiàn)代設計開關電源的挑戰(zhàn)大致分為五個部分。

          •低待機功耗

          •高功率密度

          •高可靠性

          •低成本

          用于75W~200W應用的理想解決方案,現(xiàn)有的單反激式解決方案為目前最普遍的解決方案之一,有低待機功耗、低成本和易于設計等優(yōu)點而被大量使用,但對于未來更高它不能解決所有設計挑戰(zhàn)?,F(xiàn)有的單反激式解決方案面臨著很多困難,難以達到> 90%的低效率問題、低功率密度、過高的MOSFET漏源電壓和緩沖器損耗和發(fā)熱問題都不利于高可性的要求,而且限制功率范圍必須為150W以內(nèi)。

          為了提高效率和功率密度,可零電壓切換的LLC轉換器解決方案被逐漸使用,但這也不能解決所有設計挑戰(zhàn),例如,無輔助電源便不能滿足2013 ErP Lot 6要求 (0.5W@0.25W),還有在設計和生產(chǎn)過程中,對于變壓器容差和柵極驅動時限敏感的問題。

          激解決方案 (75~200W)

          雙管反激解決方案分為三個部分,分別是FAN6920: BCM PFC + QR 組合;FAN7382: H/L 驅動器;FAN6204: SR控制器,如圖1所示。

          圖1 飛兆半導體雙管反擊解決方案

          雙管反激主要特點

          雙管QR反激轉換器主要特點分為四個方面,它在低待機功耗、高效率、易于設計和低EMI方面有顯著的優(yōu)勢。

          在低待機功耗方面,雙管QR反激轉換器能完全滿足2013 ErP Lot 6要求。在PIN0.5W @230Vac; PO=0.25W;PIN0.25W@ 230Vac(無負載時)。

          在高效率方面,雙管QR反激轉換器的特點表現(xiàn)在漏電感能量可以回收至輸入,且無需有損耗的緩沖器;500V MOSFET可以用在初級端;初級端采用谷底開關以降低開關損耗;減小次級端整流器的電壓應力;可使用可變PFC輸出電壓技術以提高整個系統(tǒng)的低壓線路效率。

          雙管QR反激轉換器具有易于設計的特點,它與熟知的傳統(tǒng)反激式轉換器設計相同,并且可以簡便地變壓器批量生產(chǎn)。它可以使用超低側高變壓器,無需考慮泄漏電感。

          在EMI方面,雙管QR反激轉換器具有低EMI,漏極過沖電壓被箝制在輸入電壓上;谷底開關等特點。

          雙管反激基本工作原理

          雙管反激與單管反激的基本原理相似,只是多了一個階段2。階段1、3、4與零諧振單管反激的工作原理相同。階段1: Q1和Q2同時導通,變壓器的電感電流將會線性增加并將能量儲存于變壓器中;當2個MOS管關閉時候就進入階段2;階段2:因為漏感所形成的高漏源電壓會導致2個回收二極體導通,Q1和Q2截止,D1,D2導通;當漏感能量回收完畢,進入階段3;階段 3和4: Q1和Q2 截止,D1和D2截止。

          雙管反激的好處

          雙管反激的好處之一就是減少能量損耗。無緩沖器損耗和發(fā)熱問題,漏電感能量可回收在大容量電容器中。

          雙管反激拓撲的好處之二是高可靠性和低開關損耗。由于低MOSFET漏源電壓得到良好的可靠性,允許大匝數(shù)比(n)設計近似于ZVS開關的低開關損耗。

          雙管反激拓撲的好處之三是減小次級端傳導損耗。SR MOSFET的VDS為:VIN/n+VOUT,大匝數(shù)比n對于SR MOSFET的好處是大n意味著較低的VDS,即較低MOSFET Ron,這樣就得到了較低價格,降低了成本得到了較高的效率。舉例說明,當VIN = 420V,Vo=12V,n= 12,那么,VDS=420V/12 +12V=47V,則可以選擇60V或75V SR MOSFET。

          雙管反激拓撲的好處之四是可以提高低壓線路效率。兩級PFC輸出以提高低壓線路效率。

          雙管反激拓撲的好處之五是提高輕負載效率。深度擴展谷底開關(最多第12個谷底周期)允許輕負載下的低工作頻率。

          雙管反激拓撲的好處之六是低待機功耗。雙管反激拓撲無緩沖器損耗和發(fā)熱問題,漏電感能量可回收在大容量電容器中。

          雙管QR反激與單開關反激比較

          單開關對比雙管QR反激轉換器如圖3所示,左邊為單開關QR反激,右邊為雙開關QR反激。

          圖2 雙管反激基本工作原理

          圖3 單開關對比雙管QR反激轉換器


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