確定JFET特性的簡(jiǎn)單電路
當(dāng)使用分立的JFET時(shí),設(shè)計(jì)者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個(gè)給定的晶體管型號(hào)相適應(yīng)。一般會(huì)使用平方律方程,作為JFET漏極電流特性的一個(gè)近似模型:ID=β(VGS-VP)2,其中,ID是漏極電流,VGS是柵源電壓,β是跨導(dǎo)參數(shù),而VP是柵極的截止電壓。與此近似,用下式可得柵源電壓為0V時(shí)的零漂移漏極電壓:IDSS=βVP2,其中IDSS是零漂移漏極電流。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/176790.htm圖1是N溝道JFET的特性圖,圖中顯示了一組器件可能的差異。例如,2N4416A數(shù)據(jù)表列出的截止電壓為-2.5V~-6V,零漂漏極電流可以從5mA~15mA。對(duì)一些器件樣品做觀察,可發(fā)現(xiàn)這兩個(gè)參數(shù)之間有相關(guān)性。圖中靠外的曲線就表示出了這些極端情況,而中間的曲線則可能表示一個(gè)-4V截止電壓和8mA零漂漏極電流的典型情況。
圖1,不同N溝道JFET器件的I 串聯(lián)電感,則可能需62 D-VGS特性可以有很大的差異。
對(duì)于量產(chǎn)電路,雖然可以在某些器件差異之內(nèi)做設(shè)計(jì),有時(shí)也需要一個(gè)工具來快速地確定一組分立器件的特性。這種工具能夠挑選出一只最適合于某個(gè)電路的器件,或者找到參數(shù)匹配相當(dāng)理想的一對(duì)器件。
圖2是用于此目的一個(gè)簡(jiǎn)單測(cè)試電路。盡管圖中顯示的JFET是N溝道器件,但通過開關(guān)S1的選擇,JFET DUT(待測(cè)器件)可以有兩種極性。外接電壓表連在右側(cè)的端子上。開關(guān)S2選擇兩種測(cè)量模式,一種是測(cè)截止電壓,另一個(gè)是測(cè)零漂漏極電流。在截止電壓模式下,外接電表直接讀出截止電壓值;而在零漂漏極電流模式,測(cè)得的電壓是一個(gè)100Ω視在電阻上面的零漂漏極電流。
圖2,在DUT源極電阻R1和R2之間做選擇,可以測(cè)量出截止電壓和零漂漏極電流。
S2在截止電壓模式時(shí),R1使數(shù)微安的漏極電流流入待測(cè)JFET 器件,而源極電壓是負(fù)截止電壓值的高度近似。運(yùn)放用作一個(gè)單位增益緩沖器,通過R3做負(fù)反饋,因此可以用外接電表直接讀出負(fù)的截止電壓值。
而在零漂漏極電流模式下,JFET源極到地的電阻只有10Ω,因此漏極電流是零漂漏極電流的一個(gè)高度近似。運(yùn)放的反饋也轉(zhuǎn)換到增益為10的配置, 反饋分壓器包含了R4和R5。這個(gè)增益使電壓表能夠方便地讀出R2上的小電壓, 讀數(shù)值就是零漂漏極電流乘以100Ω。例如,如果電壓表讀數(shù)是1 V,則這個(gè)電壓相當(dāng)于10mA的零漂漏極電流。
對(duì)于N溝道器件,兩個(gè)讀數(shù)都是正的;對(duì)于P溝道器件, 電路功能相同,區(qū)別只是電壓讀數(shù)為負(fù)值。如果用測(cè)試線和夾子將待測(cè)JFET與電路相連,這兩者都有一些寄生串聯(lián)電感,則可能需要增加一個(gè)C1,以抑制產(chǎn)生任何高頻振蕩的趨勢(shì)。R6將運(yùn)放反饋回路與電壓表及其引線的任何寄生電容隔離開來,保證了回路的穩(wěn)定性。R7用于防止意外短路,可以用一只1.1kΩ電阻替代R4和R5。但你可能更愿意按圖中所示值,使用手邊的電阻。
從一組JFET中取一只樣品,通過開關(guān)轉(zhuǎn)換就可以快速地找到兩個(gè)參數(shù),并確定每個(gè)JFET的參數(shù)落入圖1所示的哪個(gè)區(qū)間,從而選出可獲得最佳電路性能的器件。
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