圖解負(fù)載對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求
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本次主要想探討阻性/感性/容性/電流型負(fù)載對(duì)驅(qū)動(dòng)的要求，與大家分享，請(qǐng)網(wǎng)友看看有何不足，先看一個(gè)圖吧，F(xiàn)ET的等效模型是：
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/176874.htm
用它做成的半橋;就成了這樣的一個(gè)電路：
空載開(kāi)關(guān)時(shí);電路變成這兩個(gè)工作模式：
上圖是高邊開(kāi)關(guān);低扁關(guān)斷狀態(tài)。下圖是低邊開(kāi)關(guān);高邊關(guān)斷狀態(tài)。兩個(gè)狀態(tài)組成一完整開(kāi)關(guān)周期。這個(gè)現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致半、全橋空載時(shí)發(fā)熱。它不僅發(fā)生在開(kāi)路狀態(tài);而且還會(huì)發(fā)生在容性負(fù)載和硬開(kāi)關(guān)電路里。適當(dāng)?shù)目刂?ldquo;開(kāi)”的速度;防制上下之通是必要的。
高端FET開(kāi)關(guān)狀態(tài)下;導(dǎo)通再關(guān)閉后，由于CDS1、CDS2的電容儲(chǔ)能，Q1關(guān)斷;輸出仍為+Vbus。此時(shí);Q1柵電壓為0V，但是;Q1并沒(méi)因此而承受電壓。即Q1是零電壓關(guān)斷;關(guān)斷過(guò)程;柵電壓沒(méi)有平臺(tái)!沒(méi)有彌勒效應(yīng)區(qū)!經(jīng)過(guò)一段死區(qū)時(shí)間后;低端FET導(dǎo)通，此時(shí)此刻;高端早已關(guān)斷的FET的D-S終于承受了電壓!雖然是空載;但在這過(guò)程中發(fā)生了一系列的電壓電流變化，看圖解!
評(píng)論