微功耗清潔能源存貯系統(tǒng)

⑶ 采用鉛網(wǎng)替代傳統(tǒng)的柵板zgrid{，減輕電池重量節(jié)省耗材，讓電池的重量比能量大為提高zR40wh/kg{，同時(shí)電池的充電接受率也提高，因此有利于快速充電。

⑷ 因?yàn)殂U網(wǎng)抗拉強(qiáng)度大，能耐充放電循環(huán)中極板活物質(zhì)的形狀變化，因此循環(huán)壽命次數(shù)也相對提高。

⑸ Horizon使用專有的材料與制造設(shè)備，可快速的連續(xù)性生產(chǎn)Horizon高功率環(huán)保鉛酸電池，從包鉛、織網(wǎng)至組裝成品約僅需4h，最后化成充電時(shí)間約3d。而傳統(tǒng)電池的制造時(shí)間必需耗費(fèi)7d，最后化成最長需15d時(shí)間。

⑹ 本產(chǎn)品過去經(jīng)過多個(gè)獨(dú)立單位測試，其整個(gè)電池的生產(chǎn)技術(shù)及表現(xiàn)應(yīng)無問題。唯公司導(dǎo)入自動(dòng)化量產(chǎn)設(shè)備，設(shè)廠后仍然需要時(shí)間調(diào)整以提高效率。

⑺ 產(chǎn)品環(huán)保。采用玻璃纖維復(fù)合材料板柵極大地降低了電池極板的重量，比普通鉛酸蓄電池輕約30%。

⑻ 生產(chǎn)環(huán)保。水平電池采用的復(fù)合玻璃鉛絲擠壓成型和編織工藝，過程中沒有鉛蒸汽產(chǎn)生;采用完全的內(nèi)化成，避免了外化成酸霧的產(chǎn)生;整條生產(chǎn)線在封閉環(huán)境內(nèi)，生產(chǎn)線空氣經(jīng)過嚴(yán)格高效的凈化處理，極板干燥所產(chǎn)生以及沖洗設(shè)備產(chǎn)生的廢水都經(jīng)中和、沉淀、過濾凈化后循環(huán)使用，對環(huán)境沒有污染。

⑼ 千網(wǎng)水平電池的制程本身完全可回收，以目前工廠的報(bào)廢品也都可以回收。

⑽ 1顆高功率環(huán)保鉛酸電池可抵4顆 Group 31 傳統(tǒng)電池，可減少卡車重量負(fù)荷 200 P以上，重量減輕可減少燃油耗損、提高啟動(dòng)能力的可靠性并增加負(fù)載能力。

⑾ 電池具備質(zhì)量輕、高電流容量、深度放電及快速充電特性。

7 直流逆變器

直流逆變器采用簡單的電容網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)了直流電壓的逆變。其最大特點(diǎn)是，電路簡單，所有器件工作在工頻，不產(chǎn)生EMI干擾，因此，功耗極小而壽命極長，安全可靠，節(jié)能環(huán)保，成本低，制作安裝容易。

7.1 直流逆變器工作原理

圖11是微功耗直流逆變器工作原理示意圖，工作過程如下。

⑴ 正弦波前10ms面積沿Y軸N等分，此處以4等分為例。

⑵ 每個(gè)等分以下底為一邊作4個(gè)長方形，堆累成塔形如圖示。

⑶ 利用電容網(wǎng)絡(luò)由輸入直流電壓產(chǎn)生塔形波，這是實(shí)施直流逆變的第一步。

⑷ 用正弦波從內(nèi)部切割此塔形，正弦波的幅值選擇原則，是使得正弦波在內(nèi)部剛好和塔形波的直角邊相切。

⑸ 塔形波被切去多余部份后的實(shí)體正弦波，剛好是輸出的正弦波電壓Va。

⑹ 塔形波切下來的多余部份打散、揉合，變換成正弦波電壓Vb，與前述Va同時(shí)輸出，產(chǎn)生輸出電壓Vo的前10ms波形。

⑺ 正弦波后10ms處理方法同上，產(chǎn)生輸出電壓Vo的后10ms波形。

圖11 直流逆變器工作原理示意圖

7.2 四階塔形波產(chǎn)生電路

塔形波產(chǎn)生電路，實(shí)際上是一個(gè)電容升壓網(wǎng)絡(luò)，圖12是4階塔形波產(chǎn)生電路，為了簡化說明，以電源V3、V5、V7、V9、V11、V13、V15、V17代表網(wǎng)絡(luò)電容上的電壓。圖12中，MOS管Q4、Q6、Q8、Q10等組成4階電容網(wǎng)絡(luò)的正臂，MOS管Q2、Q5、Q7、Q9等組成4階電容網(wǎng)絡(luò)的負(fù)臂，其中Q6、Q5、V7、V9、D3、D4組成了電容網(wǎng)絡(luò)的一階，從下到上階數(shù)遞增。有關(guān)電容升壓網(wǎng)絡(luò)，參考文獻(xiàn)[4]、[5]。

圖12 塔形波(4階)產(chǎn)生電路

前10ms，電容網(wǎng)絡(luò)的正臂啟動(dòng)，各階MOS管柵極驅(qū)動(dòng)信號導(dǎo)通時(shí)間隨階數(shù)增加按每次2ms遞減，各階MOS管柵極驅(qū)動(dòng)信號延時(shí)時(shí)間按每次1ms遞增，第一階MOS管Q10的驅(qū)動(dòng)信號V16的導(dǎo)通時(shí)間為10ms，延時(shí)時(shí)間為0ms，依此類推。Q1、Q3柵極所加驅(qū)動(dòng)信號是周期20ms的等幅方波電壓，前10ms期間，Q1飽和導(dǎo)通。在V16高電平期間(脈寬10ms，延時(shí)0ms),Q10飽和導(dǎo)通，V15上的電壓通過Q10的漏源極、D2、Q1的漏源極，在負(fù)載電阻R1上產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間10ms、幅值為V15的方形電壓S1;在V12高電平期間(脈寬8ms，延時(shí)1ms),Q8飽和導(dǎo)通，V11上的電壓通過Q8的漏源極、D6、Q1的漏源極，在負(fù)載電阻R1上產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間8ms、幅值為V11的方形電壓S2，S2左右對稱地堆在S1之上;在V8高電平期間(脈寬6ms，延時(shí)2ms),Q6飽和導(dǎo)通，V7上的電壓通過Q6的漏源極、D3、Q1的漏源極，在負(fù)載電阻R1上產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間6ms、幅值為V7的方形電壓S3，S3左右對稱地堆在S2之上;在V4高電平期間(脈寬4ms，延時(shí)3ms),Q4飽和導(dǎo)通，V3上的電壓通過Q4的漏源極、D1、Q1的漏源極，在負(fù)載電阻R1上產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間4ms、幅值為V3的方形電壓S4，S4左右對稱地堆在S3之上;在前10ms到來的最后時(shí)刻，在負(fù)載電阻R1上形成S1在下、S4在上、持續(xù)時(shí)間遞減的寶塔波電壓。