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          CMOS器件抗靜電措施的研究

          作者: 時間:2012-06-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          圖3中R1、R2和R4大約0.5~2 kΩ,因?yàn)檫@個電阻很小,到達(dá)輸入端及輸出端的靜電荷,通過R1、R2和R4很快就吸收掉。但有時影響輸出波形,使用時應(yīng)注意。
          ②采用互補(bǔ)放大器的隔離保護(hù)如圖4所示。
          這種方法對輸出波形影響小,但增加數(shù)目,互補(bǔ)三極和參數(shù)要對稱一致,必須進(jìn)行配對測試。
          ③采用光電耦合器的隔離保護(hù)。
          把圖4的互補(bǔ)放大器換為光電耦合器,減少了配對測試的必要性。
          3)增加穩(wěn)壓器或瞬變電壓抑制二極管保護(hù)柵極避免電擊穿
          電源電壓為10 V,增加15 V左右的穩(wěn)壓管;如電源電壓為5 V,增加7 V左右的穩(wěn)壓管,不僅可以加在CMOS的輸入端或輸出端,還可以加在CMOS的電源端,如圖5所示。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/176960.htm

          d.jpg


          因?yàn)殪o電不是直流電,是很快可以吸收而消除的,如果有幾百伏或幾千伏的靜電接觸,如圖5中CMOS的輸入端、輸出端或電源端,那么D1、D2、D3和D4立刻擊穿導(dǎo)通,把靜電吸收掉。

          3 結(jié)束語
          通過上述幾種方法,能夠有效的消除靜電對CMOS的損傷,不過都是以增加元的數(shù)量以及犧牲輸入信號的質(zhì)量為代價。但如果元器件選用得當(dāng),在多數(shù)情況下只會犧牲很少的輸入信號質(zhì)量,而使CMOS器件免受靜電損傷。


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