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          PSR原邊反饋開關(guān)電源EMC設(shè)計(jì)技巧

          作者: 時間:2012-04-10 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          PCB LAYOUT注意點(diǎn):

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/177562.htm

          大家都知道,對地線走線畢竟有講究,針對的初級地線,可以分為4個地線,如圖中所標(biāo)示的三角地符號。

          這4個地線需采用“一點(diǎn)接地”的布局。

          1. C8的地線為電源輸入第。

          2. R5的地為功率地。

          3. C2的地為小信號地。

          4. 變壓器PIN3的地為屏蔽地。

          這4個地的交接點(diǎn)為C8的負(fù)端,即:

          輸入電壓經(jīng)整流橋后過C1到C8地,

          R5和變壓器PIN3的地分別采用單獨(dú)連線直接引致C8負(fù)端相連,連線盡量短;R5地線因考慮到壓降和干擾應(yīng)盡量寬些.

          C5,R10,U1 PIN7和PIN8地線匯集致C2負(fù)端再連接于C8負(fù)端。

          若為雙面板,以上4條地線盡量不要采用過孔連接,不得以可以采用多個過孔陣列以減小過孔壓降。

          以上地線布局恰當(dāng),產(chǎn)品的共模干擾會很小。

          線路負(fù)載時工作在PFM狀態(tài)下的DCM模式,DI/DT的增大和頻率的提升,所以較難處理的是傳導(dǎo)150K~5M差模干擾.

          0(26).jpg

          就依圖從左到右針對有影響的元件進(jìn)行逐個分析。

          1. 保險絲

          將保險絲換用保險電阻理論上來講對產(chǎn)品效率是有負(fù)面影響的,但實(shí)際表現(xiàn)并不明顯,所以保險絲可以采用10/1W的保險電阻來降低150K附近的差模干擾,對通過5級能耗并無太大影響,且成本也有所降低。

          2. C1,L2,C8

          工作在DCM模式,相對而言其輸入峰值電流會大很多,所以輸入濾波很重要。

          峰值電流的增大會導(dǎo)致低壓輸入時母線電壓較低,且C8的溫升也會增加;為了提高母線電壓和降低C8的溫升,需提高C1的容量和使用LOW ESR的C1和C8。

          因?yàn)樘岣逤1的容量后,C1和C8的工作電壓會上升,在輸出功率不變的情況下,輸入的峰值電流就會降低。

          因L2的作用,實(shí)際表現(xiàn)為增加C1的容量比增加C8的容量抑制會更有效。

          一般取C1為6.8uF,C8為4.7uF效果較好,若受空間限制,采用8.2u與3.3u也比采用2個2.7u的EMC抑制效果好。

          L2一般從成本考慮采用色環(huán)電感,因色環(huán)電感的功率有限,電感量太大會嚴(yán)重影響效率,一般取330u~2mH,2mH是效率影響開始變得明顯,330u對差模干擾的作用不夠分量,為了使效率影響最低且對差模干擾抑制較佳,建議采用1mH。

          因?yàn)?ldquo;一點(diǎn)接地”的布局匯集點(diǎn)在C8的負(fù)端,在C8負(fù)端輸入電流的方向是經(jīng)過C1和BD1流回輸入端,根據(jù)傳導(dǎo)測試的原理,這樣產(chǎn)生消極影響,所以需在C1與C8的地線上作處理,有空間的可以再中間增加磁珠跳線,空間受限可以采用PCB layout曲線來實(shí)現(xiàn),雖然效果會弱些,但相比直線連接會改善不少。

          3. R6,D2,R2,C4

          RCD吸收對EMC的影響大家都應(yīng)該已經(jīng)了解,這里主要說下R6與D2對EMC的影響。

          R6的加入和D2采用恢復(fù)時間較慢的1N4007對空間輻射有一定的負(fù)作用,但對傳導(dǎo)有益。

          所以在整改EMC時此處的修改對空間輻射與傳導(dǎo)的取舍還得引起注意。

          4. R5

          R5既為電流檢測點(diǎn)也是限功率設(shè)置點(diǎn)。

          所以R5的取值會影響峰值電流也會影響OPP保護(hù)點(diǎn)。

          建議在OPP滿足的情況下盡量取大些。

          一般不低于2R,建議取2.2R。

          5. R4,R10,D3,R3,C2

          在前部分有提到VCC電壓的升高對EMC有惡性影響。

          因IC內(nèi)部的檢測有采用積分電路,所以當(dāng)VCC電壓設(shè)置過高,就需要更長的積分時間,在周期不變的情況下,TON的時間就會增加,輸出功率不變的情況下MOS的峰值電流就會增加,在RCD和D4的吸收R7,C11上的峰值都會增加,且D3,R3,C2也對VCC有下拉和吸收作用,會使輸出電壓的過沖加劇,同時影響延時檢測的開啟時間。

          這一系列的變化對EMC的影響是不可忽視的。

          根據(jù)經(jīng)驗(yàn),結(jié)合變壓器漏感考慮,VCC電壓在滿載事最大值不宜超過19V,所以為使空載時VCC不至于太低導(dǎo)致蕩機(jī),建議VCC電壓在15V,變壓器漏感最大不宜超過15%.

          6. C5

          C5是IC內(nèi)部延時檢測補(bǔ)償設(shè)置端。

          C5的取值大了會導(dǎo)致電壓檢測的周期加長,小了會導(dǎo)致電壓檢測的周期變短。

          檢測周期的變化會影響電壓的采樣率,也就會影響整個產(chǎn)品各處的電流紋波,對EMC也會造成一定影響,一般選取0.01~0.1uF

          7. C3,C7

          前面有提到C3和C7的容量取值對輸出電壓過沖的抑制作用和維持產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

          但C3,C7的容量也不是越大越好,他會對EMC起消極作用。

          C3,C7容量的加大同樣會導(dǎo)致上面第5點(diǎn)講到的峰值電流加大,所以不能盲目選擇。



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