基于全橋移相控制器UC3879的開關(guān)電源設(shè)計
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全橋移相變換器通過改變功率開關(guān)控制策略，使其中一個功率管先關(guān)斷，一次繞組的另一端仍與地相連，這使得漏感、諧振電感和MOSFE T的輸出電容構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)。這樣，一次繞組的開路端電壓振蕩到下管的母線端電位，然后下管MOSFET以ZVS(零電壓開關(guān))方式開通。接著與一次繞組滯后端相連的MOSFET可以關(guān)斷，且滯后端振蕩到上管母線端電位，最后上管MOSFET開通。MOSFET的開通、關(guān)斷波形見圖3。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/177578.htm
由于MOSSFET管在關(guān)斷瞬間，一次繞組的兩端都有一個單端流過的負載電流，所以每個MOSFET都實現(xiàn)了ZVS開通、關(guān)斷，錯開了功率器件大電流和高電壓同時出現(xiàn)的硬開關(guān)狀態(tài)，抑制了MOSFET開通、關(guān)斷時產(chǎn)生的電壓尖峰，減少了開關(guān)損耗與干擾。
4 諧振電感設(shè)計原則
ZVS的實質(zhì)就是：利用諧振過程對并聯(lián)電容充放電，讓某一橋臂電壓Ua或Ub快速升至電源電壓或降至零值，使同一橋臂即將開通管的并聯(lián)二極管導通，把該管兩端電壓迅速鉗在零位。而在主變壓器源端串接自我諧振電感Lr，可促使變換器滯后臂實現(xiàn)ZVS。
由于只有Lr參與諧振，如果諧振開始時Lr電流iLr較小，Lr儲能不夠，電容C的諧振電壓Uc的峰值就有可能達不到Uin，開關(guān)管的并聯(lián)二極管就不能導通，其對應的開關(guān)管就不能實現(xiàn)零電壓開通。為了使電容的諧振電壓峰值能夠達到Uin，電感的儲能必須足夠，在諧振開始時電感Lr的電流iLr(0)必須滿足：
這一不等式是設(shè)計諧振電感Lr的依據(jù)。
Lr取值較大可有效抑制原邊電流急劇變化引起的寄生振蕩，減小上沖或下沖的尖峰毛刺，降低開關(guān)損耗；但Lr過大又會延長占空比丟失時間，降低整機效率。Lr取值小些可縮短原邊電流在死區(qū)時間諧振過零的反向過程，在輸入電壓最低、輸出電流最大時仍能控制移相穩(wěn)壓，提升電源效率；但Lr過小，雖使占空比丟失減小，但原邊電流上沖或下沖的尖峰毛刺會顯著增大，增大開關(guān)損耗，降低電源的可靠性。因此，在實際的設(shè)計過程中，在允許的范圍內(nèi)要多做比較，不斷優(yōu)化，以試驗數(shù)據(jù)為準。
5 結(jié)論
經(jīng)設(shè)計、調(diào)試后，開關(guān)電源在環(huán)境實驗及常溫連續(xù)工作過程中輸出電壓穩(wěn)定，動態(tài)響應較快，供電品質(zhì)較高，滿足設(shè)計指標要求。
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