一種改進的無橋Boost功率因數(shù)校正電路
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
4 實驗
為了驗證上述改進無橋拓撲硬件實現(xiàn)的可行性，采用BCM控制芯片L6562設(shè)計了一臺輸入為85～265 V，輸出電壓為400 V，滿載輸出功率為300 W的實驗樣機。
4．1 電路關(guān)鍵部分設(shè)計
由法拉第電磁感應(yīng)定律計算開關(guān)管的導(dǎo)通時間和阻斷時間，進而推出開關(guān)頻率為：
式中：Pi為變換器輸入功率；θ為輸入電壓相角；Uirms為輸入電壓有效值；Uo為輸出電壓。
設(shè)全電壓范圍內(nèi)電路最低工作效率為92％，那么此時Pi=326 W，由式(2)可得f(Uirms)與Uirms的關(guān)系曲線，如圖5所示。由圖可知，當(dāng)Uirms=265 V時，f(Uirms)取最小值。由fsw(π／2)=f(Uirms)／L可知，對于確定的L，當(dāng)Uirms=265 V時，fsw(π／2)取值最小。設(shè)計中將此最低工作頻率設(shè)為25 kHz，進而可以計算出L=272μH。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/177580.htm
4．2 實驗結(jié)果
圖6示出220 V輸入，滿載輸出時，樣機輸入電壓uin、電流iin波形，110 V輸入時，L2電流iL2波形和VS1的驅(qū)動電壓ugsVS1和漏源電壓udsVS1波形。由圖可知，iin趨近于正弦且與uin同相，在非工作的半周期中，iL2基本保持為零，功率MOFET管在udsVS1諧振谷值時開通。
VD5電壓波形如圖7所示，此電壓波形趨近于工頻正弦半波，半波所包含的高頻紋波是由于實際電路變換器輸入端差模電容承擔(dān)濾除高頻電流紋波而引起的，其紋波幅值與差模電容上的紋波幅值相等，可通過增大差模電容來減小紋波幅值。VD3的電壓實驗波形與其仿真波形一致，此波形與VD5的電壓波形相似，區(qū)別在于VD3的電壓過零處存在紋波，而半波處紋波幅值較小。
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