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          如何將CMOS LDO應(yīng)用于便攜式產(chǎn)品中

          作者: 時(shí)間:2012-04-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          從上面這個(gè)框圖可以看出,方案一比方案二要多封裝出來(lái)一個(gè)Pin,這個(gè)Pin一般稱(chēng)作”Bypass”,對(duì)于這個(gè)Bypass管腳的作用描述往往是:An external bypass capacitor, connected to this terminal, in conjunction with an internal resistor, creates a low-pass filter to further reduce regulator noise.(Bypass腳外接一個(gè)電容,與電路內(nèi)部的電阻組成低通濾波器,用以減小Regulator的輸出噪聲)。因?yàn)榧恿诉@個(gè)Bypass電容(一般10nF),對(duì)Enable(使能)響應(yīng)速度會(huì)變慢(從us級(jí)到ms級(jí))。因此如果場(chǎng)合沒(méi)有低噪聲的要求或?qū)υ肼曇蟛桓?,一般建議可不加這個(gè)電容。

          的輸出噪聲主要來(lái)自于Voltage Reference這個(gè)模塊,Bypass腳就是外接在Voltage Reference的輸出端。因此將Voltage Reference的噪聲降低,就能降低LDO的輸出噪聲。

          方案一中,如不加bypass電容, LDO的噪聲一般在200~450uVrms(沒(méi)有負(fù)載時(shí)的電源電流越小,這個(gè)噪聲越大),加了這個(gè)電容濾波后,LDO的噪聲一般為30~50 uVrms,因此方案一的低噪聲 LDO都是有這個(gè)Bypass腳,并且是必須加這個(gè)濾波電容才能做到低噪聲。

          當(dāng)然也有例外,個(gè)別歐美的大廠(chǎng)商采用先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn)的的 LDO把本該外面加的Bypass電容做到了芯片里面,這樣的LDO的噪聲約為100 uVrms的水平。

          方案一的思路是將噪聲用濾波器過(guò)濾掉大部分,而方案二的思路是將噪聲源減少,其核心就是低噪聲的器件工藝。采用方案二的CMOS LDO根本不需要Bypass電容,就能使輸出噪聲降低到30~50 uVrms。

          從用戶(hù)角度來(lái)講,沒(méi)有這個(gè)Bypass電容,既可以節(jié)省系統(tǒng)成本,又能獲得較高的性能,何樂(lè)而不為。因此,對(duì)于輸出電流較小的CMOS LDO,無(wú)論在高中低端市場(chǎng)的各個(gè)層面,僅從性能價(jià)格比方面來(lái)講,方案二的都略勝方案一的,方案二的核心是低噪聲低功耗的器件工藝的采用。

          值得注意的是,采用低噪聲低功耗的器件工藝生產(chǎn)的CMOS LDO以其較高的性?xún)r(jià)比占據(jù)了同類(lèi)產(chǎn)品市場(chǎng)的70%以上的份額。對(duì)于這種形勢(shì),BCD憑借IDM公司工藝產(chǎn)品同步開(kāi)發(fā)的優(yōu)勢(shì),自行開(kāi)發(fā)出了這種低噪聲低功耗的器件工藝,并在中國(guó)大陸率先達(dá)到了批量大生產(chǎn)的水平,基于這個(gè)生產(chǎn)工藝,BCD已推出其驗(yàn)線(xiàn)的CMOS LDO產(chǎn)品AP2121/2、AP2138/9。并且,BCD還將陸續(xù)推出一系列電源管理IC新品?! ?p>

          四、BCD的CMOS LDO產(chǎn)品簡(jiǎn)介

          1.AP2121/AP2122

          這是采用BCD的低噪聲低功耗CMOS工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn)的低壓差、低噪聲、高電源紋波抑制比的LDO產(chǎn)品,其特點(diǎn)是最大輸出電流能力的最小值為150mA,300mA限流;靜態(tài)工作電源電流為25uA;在輸出電流150mA時(shí)的輸入輸出壓差小于200mV;電源紋波抑制比為70dB@1KHz;不需要外接Bypass電容,其輸出噪聲就小于50uVrms。在這個(gè)產(chǎn)品中采用了BCD的專(zhuān)利《用于提高低頻電源抑制比的電路及包含該電路的電路裝置》(中國(guó)專(zhuān)利:2004201166551.9.)。這個(gè)產(chǎn)品非常適合在手持式電子產(chǎn)品的BASE BAND上面的。

          2、AP2138/AP2139

          這是另外一類(lèi)采用BCD的低噪聲,低功耗CMOS工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn)的低壓差、低噪聲、LDO產(chǎn)品,其特點(diǎn)是最大輸出電流能力的最小值為200mA,300mA限流;靜態(tài)工作電源電流為1uA;在輸出電流100mA時(shí)的輸入輸出壓差小于200mV;電源紋波抑制比為55dB@100Hz;不許外接Bypass電容,其輸出噪聲小于80uVrms。無(wú)論是直流性能還是瞬態(tài)響應(yīng)等多方面,AP2138/9都要比市面上的同類(lèi)產(chǎn)品更勝一籌,非常適合用于MP3和手持式電子產(chǎn)品的RTC上面的。

          3、AP2115/AP2117  

          這是一款采用上面提到的方案一設(shè)計(jì)生產(chǎn)的低壓差、低噪聲、高電源紋波抑制比的LDO產(chǎn)品,其特點(diǎn)是最大輸出電流能力的最小值為300mA,500mA限流;靜態(tài)工作電源電流為80uA;在輸出電流300mA時(shí)的輸入輸出壓差僅為300mV;電源紋波抑制比為70dB@1KHz;不外接Bypass電容,其輸出噪聲為180uVrms,當(dāng)外接10nF的Bypass電容后輸出噪聲就小于30uVrms。值得一提的是,該類(lèi)產(chǎn)品具有與使能端聯(lián)動(dòng)的快速放電功能,有效地延長(zhǎng)了電池的使用壽命,適用于RF、Audio Power Supply等?! ?p>


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