晶閘管整流橋的應(yīng)用
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2．2 電路工作原理
由圖2可見， 當(dāng)A、B、C端口剛送入3φ380VAC時(shí)，則：
(1)KZi送入的電平為高，TLP741原邊不通，則付邊不通，整流橋內(nèi)置的可控硅不會(huì)導(dǎo)通，功率回路的充電電流只能通過三相全橋、R5、R6往功率電容C3充電，此前，上位機(jī)應(yīng)禁止負(fù)載從功率電容C3上用電；
(2)當(dāng)上位機(jī)檢測(cè)到C3電容兩端的電壓變化率小于規(guī)定值時(shí)，則KZi送入的電平為低，允許TLP741原邊導(dǎo)通，則付邊在滿足開通的條件下，隨時(shí)準(zhǔn)備好觸發(fā)整流橋內(nèi)置的可控硅導(dǎo)通。此時(shí)，如果采樣電阻R6上的電壓降可能很小，不足以讓TLP741內(nèi)的可控硅導(dǎo)通，或R6上的電壓降足夠讓TLP741內(nèi)的可控硅導(dǎo)通，但并不足以讓整流橋內(nèi)置的可控硅導(dǎo)通，則在此段時(shí)間內(nèi)，整流橋內(nèi)置的可控硅可能是不導(dǎo)通的；
(3)在送出的KZi信號(hào)為低，延時(shí)約10ms后(目的：充分保障觸發(fā)電路準(zhǔn)備好)，允許功率回路C3帶負(fù)載。此時(shí)，如果C3電容兩端電壓比整流出的電壓(即圖2中的0端對(duì)2腳端的電壓)高，則整流橋內(nèi)置的可控硅仍不導(dǎo)通，只有在下一個(gè)充電周期：當(dāng)0端的電壓比1端的電壓高、且采樣電阻R6上的電壓降足以讓整流橋內(nèi)置的可控硅導(dǎo)通時(shí)，可控硅才會(huì)導(dǎo)通。由圖2功率回路帶電機(jī)負(fù)載(負(fù)載功率約為5KW)后測(cè)得的可控硅控制極(6、7端)實(shí)際波形如圖3、圖4所示。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/177735.htm
由圖3可見，在觸發(fā)脈沖的高電平期間，為可控硅關(guān)斷時(shí)間，為主要由功率電容C3向負(fù)載提供功率期，約占整個(gè)脈沖周期的1／3；在觸發(fā)脈沖的低電平時(shí)間，為可控硅完全導(dǎo)通時(shí)間，為整流回路往功率電容充電并向負(fù)載提供功率期，約占整個(gè)脈沖周期的2／3。
圖4為圖3波形的部分展開圖，或者可以說是瞬時(shí)往功率回路充電需要提供的額外電流值：正常值為往電容C3的充電電流(對(duì)應(yīng)圖3中的類正弦波部分)，額外值為往負(fù)載提供做功的電流(對(duì)應(yīng)圖3中的疊加在類正弦波上的紋波部分)。圖4中的時(shí)間段對(duì)應(yīng)于可控硅的關(guān)斷轉(zhuǎn)向?qū)?、充電／?fù)載電流均流經(jīng)電阻R5、R6的過渡期間。由于功率回路的PWM控制周期為6kHz，PWM開通時(shí)，電流流經(jīng)R6，于是有觸發(fā)脈沖加到可控硅的C、K極，PWM關(guān)斷時(shí)，無電流流經(jīng)R6，于是無觸發(fā)脈沖加到可控硅的G、K極，所以此時(shí)間段內(nèi)可控硅的觸發(fā)脈沖頻率也是6kHz。
(4)當(dāng)發(fā)現(xiàn)有故障或掉電需要關(guān)斷可控硅時(shí)，上位機(jī)在完全斷開功率回路的負(fù)載后，再使送出的KZi信號(hào)為高，則最多延時(shí)一個(gè)電周期(=1／(6*50) s≈3．33ms)后，可控硅必然關(guān)斷。
(5)重復(fù)1～4，即可實(shí)現(xiàn)一個(gè)完整的控制過程。
評(píng)論