三模冗余在ASIC設(shè)計中的實現(xiàn)方法
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圖3為三模冗余加固后的寄存器的頂層模塊的仿真波形圖，圖中標線處電路的狀態(tài)出現(xiàn)了錯誤(由輸入d可以看出正確的狀態(tài)應(yīng)該是在第3個時鐘上升沿后輸出才變?yōu)?)，其原因是由于TMR_DFF是組合邏輯輸出，在第1個上升沿的時候，reg0的輸入D經(jīng)clk，clk_skew[1]采樣后，out[0]變?yōu)?，reg1的輸入out[0]經(jīng)clk_skew[0]采樣后，其q2(圖1電路中的信號)變?yōu)?，電路狀態(tài)仍為1，在第二個上升沿來的時候，由于reg1的q2已經(jīng)為1，所以reg2的輸入out1經(jīng)clk采樣后，其q0變?yōu)?，多數(shù)表決后out1變?yōu)?，電路狀態(tài)為3，reg2的輸入out1經(jīng)clk_skew[1]，clk_skew[0]采樣后，其q1，q2變高，輸出out2變高，電路狀態(tài)變?yōu)?，就出現(xiàn)了狀態(tài)出錯的狀況。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/177765.htm
如果減小時鐘間的延遲，電路可能會出現(xiàn)不定態(tài)，原因也是由于組合邏輯的提前輸出，這里就不再討論了。
2 三模冗余的實現(xiàn)
2．1 修改網(wǎng)表二次綜合
DC綜合的功能是讀取設(shè)計的RTL代碼并且根據(jù)時序約束，綜合RTL代碼到結(jié)構(gòu)級，從而產(chǎn)生一個映射后的門級網(wǎng)表，其中一個重要的步驟是指定綜合所使用的綜合庫，綜合庫一般由流片廠商提供，庫中包含了引腳到引腳的時序，面積，引腳類型和功耗等信息，綜合后的門級網(wǎng)表中的單元也就是庫中所定義的單元。
三模冗余的加固過程實際上就是為設(shè)計中的每個觸發(fā)器生成2個冗余觸發(fā)器并加上表決邏輯，而RTL代碼中無法反應(yīng)出這點，因此可以對原設(shè)計綜合后的門級網(wǎng)表進行修改，把觸發(fā)器改為三模冗余觸發(fā)器，用門級描述編寫三模冗余觸發(fā)器模塊，然后和修改的網(wǎng)表一起再次綜合就可得到三模冗余加固后的網(wǎng)表文件。值得說明的是DC綜合庫里面有多種類型的觸發(fā)器，比如SDFF，EDFF，SEDFF，JK，DFF，即使在綜合腳本中限定只用DFF觸發(fā)器，也會有好幾種，所以對于不同的單元要編寫相應(yīng)的三模冗余觸發(fā)器模塊(其結(jié)構(gòu)如圖1所示)。此外由于有3路時鐘信號，所以要編寫時鐘生成模塊，其功能是由clk產(chǎn)生互有延遲的2路時鐘信號。
首先在Synopsys的綜合工具DsignCompiler下對原設(shè)計的RTL代碼進行綜合，得到電路的門級網(wǎng)表。門級網(wǎng)表中的電路實際上就是通過例化綜合庫的單元來描述電路的結(jié)構(gòu)，可以使用形式驗證工具Formality來驗證RTL代碼和綜合后的門級網(wǎng)表在功能上是否一致。
然后修改門級網(wǎng)表，在網(wǎng)表中增加線網(wǎng)類型ck[2：0]，并且實例化clkgen模塊，再把網(wǎng)表里面的觸發(fā)器改為三模冗余觸發(fā)器，并修改其時鐘端口為{clk，ck[1：0]}，由于綜合庫中不含有這兩個模塊，這時網(wǎng)表中就出現(xiàn)了兩個綜合工具沒有處理的模塊，時鐘生成模塊和三模冗余觸發(fā)器模塊，修改后的網(wǎng)表就不是完全映射后的門級網(wǎng)表。
最后對修改后的網(wǎng)表，時鐘生成模塊及三模冗余觸發(fā)器模塊進行再次綜合，這次綜合實際上就是對時鐘生成模塊和三模冗余觸發(fā)器的綜合，把它們映射為綜合庫中的單元，得到的門級網(wǎng)表即是三模冗余加固后設(shè)計的門級網(wǎng)表。
2．2 建立三模冗余觸發(fā)器的庫單元
由于三模冗余觸發(fā)器單元的時鐘端口有3位，即使在庫中加入三模冗余觸發(fā)器的單元，綜合器也無法把設(shè)計直接映射成該單元，因此可以把時鐘生成模塊放到TMR_DFF內(nèi)部，這樣三模冗余觸發(fā)器時鐘端口就只有1位，在庫文件中把觸發(fā)器單元用對應(yīng)的三模冗余觸發(fā)器單元替換掉，DC就可以把電路中的觸發(fā)器直接映射成TMR_DFF，一次綜合就可以完成設(shè)計了，但是這樣一來整個芯片的面積又會增大很多(時鐘生成模塊不在共用)，除此之外也可以借助上面的方法在原設(shè)計綜合后修改網(wǎng)表。前面已經(jīng)提到庫文件里面有很多種類型的觸發(fā)器，所以應(yīng)對不同的DFF觸發(fā)器建立相應(yīng)的庫單元，下面是一種建立庫單元的方法，主要分為2步：版圖設(shè)計和仿真特性提取。
單元庫的建立首先要完成單元的版圖設(shè)計，在確定單元庫所包含的單元種類和單元電路后，根據(jù)加工廠家的工藝參數(shù)，設(shè)計規(guī)則等完成單元的版圖設(shè)計，并導(dǎo)出電路網(wǎng)表，此時網(wǎng)表中不僅有電路結(jié)構(gòu)，還有電阻，電容參數(shù)。然后就可以進行單元的參數(shù)提取工作。
參數(shù)提取需要選擇一種用于參數(shù)提取的工具，這里選擇siliconsmart，其次要確定模擬仿真工具，如HSpice。主要步驟包括創(chuàng)建工作目錄配置仿真環(huán)境，引入?yún)⒖紟欤a(chǎn)生仿真文件，運行仿真特性提取，生成庫文件。
創(chuàng)建工作目錄是指創(chuàng)建一個用于siliconsmart運行的目錄，此時會自動生成一個名為config．tcl的腳本文件，需要手動對其進行一些關(guān)鍵配置，主要包括模擬工具的選擇(這里選擇HSpice)，模擬模型的指定，環(huán)境溫度等變量的設(shè)置等。引入?yún)⒖紟焓菫楣ぞ咧付ㄒ粋€參考的庫單元，工具將參考單元的信息摘取出來，并為該單元生成一個控制文件，該文件詳細描述了需要提取的單元的信息。包括單元網(wǎng)表文件，管腳信息，邏輯功能，輸入信號的上升／下降時間，輸出管腳負載情況等。如果沒有參考的庫文件，則需要手動編寫該文件。產(chǎn)生仿真文件是告訴工具對單元的哪些方面進行特性提取，比如時序，功耗，CCS模型等。運行仿真提取是對單元進行模擬仿真特性提取工作。生成庫文件會產(chǎn)生2個庫單元，其中．v是仿真工具用的仿真庫，．lib是可讀的綜合庫，可以在DC中用read_lib *．lib命令讀入．lib文件，然后用write_ lib* *．db命令可以生成．db綜合庫(*代表庫單元的名字)。
對于抗輻射加固來說，除了用電路加固外可能還需要選擇更加可靠的工藝，SOI工藝就具有很好的抗輻射性能，它消除了閂鎖效應(yīng)，有效地降低了單粒子效應(yīng)，而此時就需要建立自己的單元庫了，庫中的觸發(fā)器單元就可以直接建成三模冗余觸發(fā)器的庫單元。
3 結(jié)語
航天系統(tǒng)中芯片的抗輻射能力是一個重要的指標，對于抗輻射的處理器和存儲器來說，輻照實驗是測試中的一個重要環(huán)節(jié)。三模冗余加固技術(shù)只是眾多抗輻照加固技術(shù)的一種，比較常用的還有檢錯糾錯碼EDAC，SOI工藝加固，其中采用SOI工藝流片的費用比普通工藝更為昂貴。標準單元庫的建立對ASIC設(shè)計來說是一項基礎(chǔ)性的工作，建立符合設(shè)計需要的標準單元庫對芯片設(shè)計來說是很重要的，對此文章提供了一種一般性的方法。
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