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          混合型有源電力濾波器設(shè)計及其工程應(yīng)用

          作者: 時間:2012-03-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:此處以為背景,研究了一種適用于低壓大電流整流系統(tǒng)的(HAPF)給出了該結(jié)構(gòu)的主電路及原理說明,介紹了從驅(qū)動功率、死區(qū)時間和箝位保護3個方向選擇大功率模塊,從電平轉(zhuǎn)換到光纖傳輸實現(xiàn)觸發(fā),采用熱管技術(shù)以及基于DSP控制系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的,包括DSP TMS320F2812控制板和接口電路板的。最后,針對某銅加工廠的諧波及無功實際情況,給出該的具體實現(xiàn)方案?,F(xiàn)場運行數(shù)據(jù)表明,方案和實驗裝置有效、可靠。
          關(guān)鍵詞:;諧波;數(shù)字信號處理器

          1 引言
          近年來,隨著電子設(shè)備的發(fā)展。諧波污染日趨嚴重,而用戶對電能質(zhì)量的要求卻越來越高。HAPF作為治理諧波的主要技術(shù)之一,因其性價比高且實現(xiàn)容易,正日益成為工業(yè)系統(tǒng)有效濾除諧波和無功補償?shù)氖走x方案。此處介紹了HAPF的主電路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和設(shè)計數(shù)字控制系統(tǒng)的構(gòu)成和DSP實現(xiàn)。最后,針對某企業(yè)諧波和無功情況,給出了HAPF的具體實現(xiàn)方法。現(xiàn)場運行數(shù)據(jù)表明,提出的設(shè)計思路和方案可行。

          2 HAPF的主電路結(jié)構(gòu)及原理
          圖1示出HAPF系統(tǒng)拓撲,因結(jié)構(gòu)簡單,安裝容易,占地面積小,適用于低壓系統(tǒng)兼顧大容量無功補償和動態(tài)諧波治理場合,在工業(yè)上廣泛。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/177823.htm

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          單純的無源濾波器(PF)存在濾波特性受電網(wǎng)阻抗影響和容易與電網(wǎng)阻抗產(chǎn)生串并聯(lián)諧振的缺陷,濾波器(APF)受開關(guān)器件容量限制,補償無功能力有限,這里結(jié)合現(xiàn)場的無功和諧波情況,給出了PF加并聯(lián)APF的HAPF實現(xiàn)方案。因現(xiàn)場工況為6脈波的高頻開關(guān)整流負載,功率因數(shù)偏低,5次諧波電流偏大,5次單調(diào)諧無源支路降低了系統(tǒng)的PF對低頻信號的放大;11次單調(diào)諧無源支路不僅能夠補償一定量的無功,對高頻諧波如13,17等次諧波也有濾波效果,所以PF設(shè)計為5,11次單調(diào)諧,而APF通過對PWM逆變器的控制,使得逆變器輸出相應(yīng)的電壓或電流跟蹤期望的參考電壓或電流,實現(xiàn)諧波治理。

          3 關(guān)鍵技術(shù)
          3.1 大功率逆變器的選取
          功率模塊承擔著電網(wǎng)的有功功率轉(zhuǎn)移和諧波治理。綜合了電力晶體管(GTR)耐高壓、大電流和MOSFET開關(guān)頻率高的優(yōu)點,選擇全控型器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。實驗采用FF450R17ME3型IGBT,它采用了改進的溝槽柵和場終止技術(shù),耐流值為450 A,耐壓值為1.7 kV。IGBT模塊的導通和關(guān)斷受柵極驅(qū)動信號的控制,IGBT正常工作需滿足以下要求:①驅(qū)動功率滿足要求;②PWM驅(qū)動信號需預(yù)留一定死區(qū)時間;③柵極、有源箝位功能。根據(jù)上述要求,此處預(yù)選2SP0115T作為FF450R17ME3這個半橋IGBT模塊的驅(qū)動器。
          3.1.1 驅(qū)動功率
          此處選擇設(shè)計的載波頻率為10 kHz,驅(qū)動器每通道的輸出功率為:
          P=fsQg△U (1)
          式中:fs為IGBT開關(guān)頻率;Qg為IGBT門極電荷;△U為門極驅(qū)動電壓擺幅,等于驅(qū)動正壓+U與-U之間差值。
          根據(jù)式(1)和系統(tǒng)參數(shù),驅(qū)動板選取兩單元2SP0115T,每個IGBT的驅(qū)動功率為1 W,保證了要求。
          3.1.2 死區(qū)時間
          設(shè)置死區(qū)時間需注意:①死區(qū)時間必須大于IGBT器件關(guān)斷延遲時間;②對控制效果的影響盡量小。死區(qū)時間過小不利于IGBT的安全,死區(qū)時間過大則容易給控制效果和精度帶來影響,尤其在驅(qū)動信號開關(guān)頻率很高時影響特別明顯。FF450R17ME3關(guān)斷延遲最大為0.62μs,開通延遲為0.22μs,2SP0115T2A驅(qū)動板的死區(qū)時間本身設(shè)置為3μs,可滿足安全要求,此處采用的開關(guān)頻率為10 kHz,開關(guān)周期T=0.1 ms,故一個死區(qū)時間在一個PWM開關(guān)周期內(nèi)所占比例為3%,因此對控制的精度影響不大。


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