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          低門限電壓延長電池壽命技術

          作者: 時間:2012-02-18 來源:網(wǎng)絡 收藏

          多年以來,從事電源管理業(yè)務的半導體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新,這些產(chǎn)品需要峰值性能,要求設計者在設備的物理尺度內實現(xiàn)盡可能高的效率。雖然行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電量更高的替代,但還遠不能滿足新一代便攜設備對能量的需求。因此,便攜式應用不得不尋求在低功耗電路設計上的創(chuàng)新開發(fā),使設計工程師可以讓終端系統(tǒng)以盡可能高的效率使用電池資源。在便攜式設備中,元器件是功耗預算的主要部分,而且很顯然,要跟上需求的變化,半導體器件制造商需要不斷創(chuàng)新,幫助降低便攜式產(chǎn)品的功耗。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/177891.htm

            以手機為例,降低模擬和數(shù)字基帶芯片等手持設備中主要器件的工作是降低功耗的辦法之一。在不需要DSP或微處理器發(fā)揮最大性能的時候,可以降低內核供電,并且降低時鐘頻率。越來越多的新一代低功耗應用采用了此項,以盡可能地節(jié)約系統(tǒng)能量。公式PC~(VC)2.F描述了一個DSP內核的功耗,這里,PC是內核的功耗,VC 是內核,F(xiàn)是內核時鐘頻率。降低內部時鐘頻率可以減少功耗,降低內核供電電壓可以把功耗降得更多。

            先進的硅片和封裝能起到什么作用

            有很多音箱新興高耗電便攜式設備性能的設計因素,本文將主要以在低電壓應用中最常見的功率開關功率MOSFET為例,說明最新的硅技術突破在增加電源需求上的影響。為說明這些技術進步的影響,有必要了解功率MOSFET的一些關鍵參數(shù)。

            通道的導通電阻(rDS(on))是由通道的橫向和縱向電場控制的。通道電阻主要由柵源電壓差決定的。當VGS超過門限電壓(VGS(th)),F(xiàn)ET開始導通。許多操作要求開關接地點。功率MOSFET通道的電阻與由公式R= L/A確定的物理尺寸有關,這里是電阻率,L是溝道長度,A是W x T,即溝道的橫截面積。

            在通常的FET結構中,L和W是由器件的幾何尺寸確定的,而溝道厚度T是兩個耗盡層之間的距離。耗盡層的位置會隨柵源偏置電壓或漏源電壓而變。耗盡層的位置會隨柵源偏置電壓或漏源電壓而變。當T在VGS和VDS的影響下減小到零時,兩個對邊的耗盡層就會連在一起,增加的溝道電阻(rDS(on))會接近無窮大。

            圖1是rDS(on)與VGS特性的關系曲線。區(qū)域1對應的是累積電荷不足以產(chǎn)生反向的情況。區(qū)域2對應的條件是有足夠的電荷,使P區(qū)的一部分反向并形成溝道,但這還不夠,因為“空間電荷”效應也是很重要的。區(qū)域3對應的是電荷有限的情況,當柵體電勢升高時,rDS(on)沒有明顯變化。

          rDS

          圖 1: rDS(on) 與VGS 特性的關系曲線


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