雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器原理介紹及其應(yīng)用設(shè)計

　因此，MOSFET的總損耗為：

Plosses=Pcond+PSW,on+PSW,off=173+149+324=646 mW (18)

　　5) 二極管

　　次極二極管D1和D2維持相同的峰值反相電壓(PIV)，結(jié)合二極管降額因數(shù)(kD)為40%，可以計算出PIV，見等式(19)：

　　(19)

　　由于PIV100 V，故能夠選擇30 A、60 V、TO-220封裝的肖特基二極管MBRB30H60CT。

　　二極管導(dǎo)通時間期間的導(dǎo)電損耗為：

Pcond,forward=IoutVfDCmax=10x0.5x0.45=2.25 W (20)

　　關(guān)閉時間期間的導(dǎo)電損耗為：

Pcond,freewheel=IoutVf(1-DCmin)=10x0.5x(1-0.39) =3.05 W (21)

　　NCP1252應(yīng)用設(shè)計：NCP1252元件計算

　　1) 用于選擇開關(guān)頻率的電阻Rt

　　采用一顆簡單電阻，即可在50至500 kHz范圍之間選擇開關(guān)頻率(FSW)。假定開關(guān)頻率為125 kHz，那么我們就可以得到：

　　(22)

　　其中，VRt是Rt引腳上呈現(xiàn)的內(nèi)部電壓參考(2.2 V)。

　　2) 感測電阻

　　NCP1252的最大峰值電流感測電壓達1 V。感測電阻(Rsense)以初級峰值電流的20%余量來計算，其中10%為勵磁電流，10%為總公差：

　　(23)

　　(24)

　　3) 斜坡補償

　　斜坡補償旨在防止頻率為開關(guān)頻率一半時出現(xiàn)次斜坡振蕩，這時轉(zhuǎn)換器工作在CCM，占空比接近或高于50%。由于是正激拓撲結(jié)構(gòu)，重要的是考慮由勵磁電廠所致的自然補償。根據(jù)所要求的斜坡補償(通常為50%至100%)，僅能夠外部增加斜坡補償與自然補償之間的差值。

　　目標斜坡補償?shù)燃墳?00%。相關(guān)計算等式如下：

　　內(nèi)部斜坡：

　　(25)

　　初級自然斜坡：

　　(26)

　　次級向下斜坡：

　　(27)

　　自然斜坡補償：

　　(28)

　　由于自然斜坡補償?shù)陀?00%的目標斜坡補償，我們需要計算約33%的補償：

　　(29)

　　(30)

　　由于RcompCCS網(wǎng)絡(luò)濾波需要約220 ns的時間常數(shù)，故：

　　(31)

　　4) 輸入欠壓電阻

　　輸入欠壓(BO)引腳電壓低于VBO參考時連接IBO電流源，從而產(chǎn)生BO磁滯。

　　(32)

　　(33)

　　NCP1252演示板圖片及性能概覽

　　NCP1252演示板的詳細電路圖參見參考資料2,其頂視圖和底視圖則見圖3。

圖3：NCP1252演示板的頂視圖及底視圖。

　　在室溫及額定輸入電壓(390 Vdc)條件下，NCP1252演示板不同負載等級時的能效如圖4所示。從此圖可以看出，負載高于40%最大負載時，工作能效高于90%。這演示板還能藉在轉(zhuǎn)換器次級端同步整流，進一步提升能效達幾個百分點。

圖4：NCP1252演示板在室溫及額定輸入電壓(390 Vdc)條件下的能效圖。

　　如前所述，NCP1252提供軟啟動功能，其中一個目標應(yīng)用就是替代UC38xx。NCP1252有一個專用引腳，支持調(diào)節(jié)軟啟動持續(xù)時間及控制啟動期間的峰值。

　　另外，NCP1252的待機能耗性能也很突出。這器件能藉將輸入欠壓(BO)引腳接地來關(guān)閉，而關(guān)閉時VCC輸入端汲入的電流小于100 µA。

　　總結(jié)：

　　本文介紹了正激轉(zhuǎn)換器磁芯復(fù)位技術(shù)的原理，比較了三次繞組、RCD鉗位及雙開關(guān)正激等常見的磁芯復(fù)位技術(shù)，分析了雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢，并結(jié)合安森美半導(dǎo)體基于雙開關(guān)正激磁芯復(fù)位技術(shù)的NCP1252固定頻率控制器，分享了這雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用設(shè)計過程。該器件集成了輸入欠壓檢測、軟啟動及過載檢測等眾多特性。測試結(jié)果顯示，NCP1252提供極高的工作能效和極低的待機能耗，適合UC38xx替代、ATX電源、適配器及其它任何要求低待機能耗的應(yīng)用。