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          革新電容數(shù)字轉(zhuǎn)換器單芯片方案

          作者: 時(shí)間:2011-11-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理圖: Pcap01發(fā)揮了PICOCAP®測量原理的高精度優(yōu)勢,使測量達(dá)到了一個(gè)前所未有的水平。根據(jù)傳感器和參考大小不同,以及所選擇的測量模式的不同,我們有如下測量數(shù)據(jù)。這個(gè)測量數(shù)據(jù)為典型測量噪聲精度vs.數(shù)據(jù)輸出頻率, 我們的測試是應(yīng)用Pcap01評(píng)估系統(tǒng)以及10pF參考和1pf的Span加載電容完成。芯片的電壓為 V = 3.0 V:

          3.jpg

          上面表格中可以看到,我們分別給出了floating漂移模式和Grounded接地模式兩種情況。當(dāng)應(yīng)用漂移模式,完全補(bǔ)償?shù)那闆r下,在5Hz輸出時(shí)測量的RMS噪聲為6aF,測量有效位高達(dá)20.7位!在選擇不同測量頻率的不同設(shè)置情況下,精度和速度的相對(duì)關(guān)系在表格中給出。 當(dāng)然隨基礎(chǔ)電容大小不同,測量的有效分辨率也會(huì)有所不同。

          當(dāng)應(yīng)用補(bǔ)償模式進(jìn)行高精度測量時(shí),可以使測量有非常低的增益和零點(diǎn)漂移。電容可以連接為接地,漂移模式。而傳感器和參考電容是通過內(nèi)部集成的模擬開關(guān)選擇到放電網(wǎng)路中。另外由于專利的電路和補(bǔ)償算法,內(nèi)部可以補(bǔ)償寄生電容。補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)果可以達(dá)到在溫度范圍內(nèi)僅0.5 ppm /K 增益偏移。這比絕大多數(shù)傳感器本身內(nèi)部偏移要好得多。

          傳感器連接的方式:

          對(duì)于電容傳感器的測量,芯片提供了非常靈活的連接方式,對(duì)比典型的連接方式如下所示:

          4.jpg

          在芯片中用戶可以自己選擇是用內(nèi)部集成的放電電阻進(jìn)行電容的測量,還是外接放電電阻來進(jìn)行測量,連接的方式如下圖所示:

          導(dǎo)線.jpg

          導(dǎo)線補(bǔ)償:

          在電容測量當(dāng)中,導(dǎo)線的寄生電容對(duì)于整個(gè)測量的影響是不能夠忽略的。尤其當(dāng)導(dǎo)線較長的情況下,導(dǎo)線寄生電容的影響將會(huì)對(duì)測量結(jié)果有致命的影響。在Pcap01當(dāng)中,可以對(duì)傳感器的導(dǎo)線寄生電容進(jìn)行有效補(bǔ)償:

          通過.jpg

          通過上面的傳感器連接的方式,可以補(bǔ)償連接傳感器兩端的導(dǎo)線寄生電容,消除導(dǎo)線對(duì)于測量結(jié)果的影響。那么如果想要進(jìn)行導(dǎo)線補(bǔ)償,3個(gè)在漂移模式的測量需要被進(jìn)行如下:

          如果.jpg



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