一種低溫漂的CMOS帶隙基準電壓源的研究

2．3 噪聲特性
噪聲是影響帶隙基準源穩(wěn)定性的主要因素之一。通常噪聲分為外部噪聲和內部噪聲。外部噪聲一般都由電源電壓的變化以及其他電路的干擾造成。內部噪聲主要包括熱噪聲和閃爍噪聲。閃爍噪聲的大小與頻率成反比，因而在低頻下主要為閃爍噪聲，而高頻下為熱噪聲，對于高頻的熱噪聲，可以在輸出端Vref處加一個RC低通濾波器解決掉，而低頻的來自耦合到電源的噪聲則是需考慮的，可以通過提高電源抑制比來減小。圖5為電路在輸出端和電源電壓處的噪聲特性，在輸出端低頻時噪聲為10．4 nv／Rt，高頻時噪聲幾乎為0 nv／Rt，性能很好。電源電壓處的噪聲為9．6nv／Rt左右。

2．4 電路其他參數
電路的其他方面的性能仿真結果如表1所示。表1的仿真結果是在電源電壓為3．3 V的條件的測得的。有效電流指的是在電路正常工作的情況下從電源到地之間的電流，關斷電流指的是在電路不工作的情況下從電源到地的漏電流。

3 結論
本文研究了一種在0．25 μm N阱CMOS工藝下采用一階溫度補償技術的CMOS帶隙基準電壓源。電路經過參數優(yōu)化后用T-SPICE仿真結果為：在3．3 V電源電壓下的輸出的參考電壓為1．403 1 V，當溫度在-20～70℃之間變化時，電路的溫度系數達到了10x10-6／℃，室溫下電路的功耗為5．283 1 mW，電路低頻時的電源抑制比特性還不是很好，還有待于進一步的提高，高頻時的電源抑制比非常好，因此本電路可以廣泛應用于低功耗，低溫漂，高頻集成電路中。