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          基于SOI高壓集成技術(shù)的電平位移電路設(shè)計
          
						
          
				作者：
				時間：2011-08-26
				來源：網(wǎng)絡(luò)

				
				
				
				
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			針對nLDMOS器件開態(tài)耐壓低的問題，有針對性地仿真了溝道長度、多晶硅柵場板長度及體區(qū)濃度對開態(tài)耐壓的影響。圖5(a)為nLDMOS的關(guān)態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓及閾值與溝道長度(Lch)的關(guān)系。可以看出溝道長度對器件的開態(tài)耐壓和關(guān)態(tài)耐壓影響很小。閾值隨著溝道長度的增加而增加，這是由于采用橫向雙擴(kuò)散形成溝道，所以隨著溝道長度增加，p型體區(qū)的濃度越來越大，閾值也就越來越大。圖5(b)為nLDMOS的關(guān)態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓及閾值與多晶硅柵極場板長度(LPgate)的關(guān)系。在柵極場板較長時，其對閾值和關(guān)態(tài)耐壓影響很小，當(dāng)柵極場板縮短到多晶硅柵不能覆蓋溝道時，器件的開態(tài)耐壓大幅增加。這時閾值也迅速增加。雖然多晶硅柵不能完全覆蓋溝道，但是由于開態(tài)時nLDMOS的柵漏電壓差很大，所以仍然能夠在表面形成反型層溝道。因此，大幅減短柵極場板能有效提高器件的開態(tài)耐壓，但是同時也帶來了器件不能有效開啟的問題。圖5(c)為nLDMOS的關(guān)態(tài)耐壓、開態(tài)耐壓及閾值與體區(qū)注入劑量(Pbody)的關(guān)系?？梢钥闯鲈黾芋w區(qū)的注入劑量對器件的耐壓影響很小。但是隨著注入劑量的增加，體區(qū)濃度增加，所以閾值就增加，同時器件的開態(tài)耐壓也隨之增加。當(dāng)體區(qū)注入劑量達(dá)到5e14cm-2時，閾值增加緩慢，開態(tài)耐壓卻大幅增加，所以只能通過閾值上的犧牲來改善nLDMOS的開態(tài)擊穿耐壓。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/178691.htm
          　　
          　　通過以上分析，發(fā)現(xiàn)提高nLDMOS的開態(tài)擊穿電壓最有效的方法是縮短柵極場板和提高體區(qū)注入劑量。這二種方法的實(shí)質(zhì)提高導(dǎo)通阻抗或降低電流能力。但是對于普通應(yīng)用的nLDMOS，電流能力本身就比pLDMOS有優(yōu)勢。當(dāng)應(yīng)用到負(fù)電源電平位移電路中時，厚柵氧高柵源電壓使得nLDMOS的電流能力更加突出，但是同時也導(dǎo)致了開態(tài)耐壓的降低。所以提高nLDMOS開態(tài)擊穿電壓就必須降低其電流能力。如圖6所示，在nLD-MOS正常工作時，源端的電壓為-100V，此時飽和電流相差0.05mA/μm。
          　　
          　　在縮短柵極場板到1μm，提高體區(qū)注入劑量到5e14 cm-2的情況下，在得到nLDMOS的閾值電壓為24V，關(guān)態(tài)擊穿電壓215V，開態(tài)擊穿電壓140V，能夠滿足-100V電壓的應(yīng)用要求。
          　　3 結(jié)束語
          　　本文設(shè)計一種應(yīng)用于8～-100V電源的電平位移電路。通過在常規(guī)正電源電平位移電路的基礎(chǔ)上改變低壓控制方式來實(shí)現(xiàn)從0～8V低壓邏輯輸入到8～-100V高壓驅(qū)動輸出的轉(zhuǎn)換。基于此電路結(jié)構(gòu)設(shè)計了滿足電路應(yīng)用需求的高壓器件。并對高壓LDMOS進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計，尤其是高壓nLDMOS的開態(tài)耐壓。得到高壓nLDMOS的關(guān)態(tài)擊穿電壓215V，開態(tài)擊穿電壓140V，閾值電壓24V;高壓pLDMOS的關(guān)態(tài)擊穿電壓200V，開態(tài)擊穿電壓160V，閾值電壓-1V。
          
				
            
                
			
							
          
                
			            
          
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