低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
我們基于HHNEC 0.35um BCD 工藝下，采用cadence 和Hspice 仿真軟件對(duì)整體電路做仿真，如圖6 所示為LDO 環(huán)路穩(wěn)定性仿真曲線。
（a）負(fù)載電流為50mA 仿真曲線
（b）負(fù)載電流為0 時(shí)仿真曲線
圖6 LDO 環(huán)路穩(wěn)定性仿真曲線
?。╝） 圖為負(fù)載電流為50mA 時(shí)，LDO 環(huán)路增益為50dB、單位增益帶寬為470KHZ、相位裕度為74degree。（b）圖為負(fù)載電流為0 時(shí)，LDO 環(huán)路增益為63dB、單位增益帶寬為1KHZ、相位裕度為87degree。圖7 給出了該LDO 的線性調(diào)整率曲線，仿真條件為C L=1μF, 由仿真曲線可以看出該LDO 的線性調(diào)整率為：
圖7 CL=1μF 線性調(diào)整率曲線
圖8 給出了該LDO 的負(fù)載調(diào)整率曲線，仿真條件為CL=1μF, 由仿真曲線可以看出該LDO 的負(fù)載調(diào)整率為：
圖8 CL=1μF 負(fù)載調(diào)整率曲線
圖9 給出了該LDO 的電源抑制比仿真曲線，仿真條件為IL=1mA。從該曲線可以看出，該LDO 的PSRR 在1KHZ時(shí)為- 60dB。
圖9 電源抑制比仿真曲線
4 結(jié)論
本文提出的這款LDO 線性穩(wěn)壓器，能保證在μF 級(jí)別的寄生電容范圍內(nèi)都可以正常工作。
該LDO 的靜態(tài)電流低至10μA,文中同相放大器的引入，提高了整個(gè)LDO 的帶寬。從仿真結(jié)果可以看出，在負(fù)載電流Iload=50mA 時(shí)，帶寬為470KHz。
該LDO 其它各方面指標(biāo)都滿足設(shè)計(jì)要求。
評(píng)論