一種低功耗寬頻帶LDO線性穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)
2.3 誤差放大器(EA)設(shè)計(jì)
為保證低功耗的前提下I1設(shè)為5μA,I2設(shè)為3μA,在小的偏置電流以及較大的負(fù)載的情況下為了保證能得到不小于25dB 的增益,把RF設(shè)計(jì)為500K。由于同相放大器的增益隨負(fù)載的增加而減小,在設(shè)計(jì)中需要適當(dāng)增加偏置電流I1 和增加RF的值[7]。而帶寬受M2 的跨導(dǎo)和調(diào)整管的W/L 的影響,需要增加M2 的W/L 以及偏置電流I2。圖中M1 的寬長(zhǎng)比為4/1, 這里取W1=30μm,L1=3μm,M2 的寬長(zhǎng)比為110/1,取W2=110μm,L2=1μm。仿真結(jié)果如圖5 所示。
圖5 同相放大器的增益
3 LDO 整體仿真結(jié)果與討論
我們基于HHNEC 0.35um BCD 工藝下,采用cadence 和Hspice 仿真軟件對(duì)整體電路做仿真,如圖6 所示為LDO 環(huán)路穩(wěn)定性仿真曲線。
(a)負(fù)載電流為50mA 仿真曲線
評(píng)論