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          0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計

          作者: 時間:2011-06-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          從圖4可以看到運(yùn)算放大器的幅頻響應(yīng),相位裕度為46°,低頻段增益達(dá)105 db。
          4 整體電路
          為了使電路能夠正常的工作,加入啟動電路,整體電路如圖5所示。

          5 仿真結(jié)果
          依照圖5,在Cadence中使用SMIC μm工藝庫搭建電路,進(jìn)行仿真。電路的啟動時間及輸出如圖6所示。
          可以看到,輸出的穩(wěn)定后在600.19 mV,啟動時,有微小的變化,并且在極短的時間內(nèi)穩(wěn)定下來。
          仿真源的溫度系數(shù)和在電源電壓變化時的穩(wěn)定性如圖7所示。

          在圖7中,可以看到溫度從0 ℃~100 ℃變化時,電壓從600.19 mV增大至600.44 mV,后逐漸變小至600.14 mV,溫度系數(shù)為5 ppm/℃。
          仿真圖5中電源電壓變化對輸出基準(zhǔn)電壓的影響,得到結(jié)果如圖8所示。
          從圖8中可以看到,電源電壓從0 V增大到5 V,在電源電壓為1.1 V時,輸出的基準(zhǔn)電壓已經(jīng)達(dá)到600 mV,而在當(dāng)電源電壓繼續(xù)增大時,輸出的基準(zhǔn)電壓基本保持不變。
          本文使用SMICμm工藝實(shí)現(xiàn)了一個0.6 V的帶隙基準(zhǔn)電壓源,并且功耗較小,適用于各種便攜式電路中基準(zhǔn)源的需要,仿真結(jié)果證明了該電路良好的性能。
          參考文獻(xiàn)
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          [3] RAZAVI B.Design of integrated circuits:317-32.西安交通大學(xué)大學(xué)出版社.2002,12.
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