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          200W開關(guān)電源功率級(jí)設(shè)計(jì)方案

          作者: 時(shí)間:2011-04-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          5、 DC/DC 變換器

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179184.htm

            如圖所示的Buck 變換器工作在連續(xù)模式,由一個(gè)簡(jiǎn)單的,但是工作在100千赫的有效PWM 控制器控制。因?yàn)殚_放集電極輸出,使用一個(gè)由Q211/212 組成的驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)P溝道MOSFET。通過Q209,D223和L6的峰值電流是6.3A。功耗差不多很容易被確定了。結(jié)果是∶器件需要的散熱器的熱阻不小於25℃/W。

            由於肖特基二極管的快速開關(guān),寄生振蕩激烈,必須采用RC 網(wǎng)絡(luò)R246/C250和R247/C249 抑制。雖然在文獻(xiàn)中有很多如何確定這些網(wǎng)絡(luò)值的等式,經(jīng)驗(yàn)顯示計(jì)算值僅僅是實(shí)驗(yàn)優(yōu)化的一個(gè)初值。原則上,使用相容在一個(gè)FYP2010中的兩個(gè)二極管是可能的,但在這種情況下,每個(gè)封裝的功耗加倍了,散熱復(fù)雜了。另一個(gè)用兩個(gè)二極管代替一個(gè)的理由是,即自驅(qū)動(dòng)同步整流器(未列出)準(zhǔn)備的PCB 需要兩個(gè)單獨(dú)二極管。

            

            

            6. 待機(jī)電源

            由FSD210B 驅(qū)動(dòng)的flyback 電源(圖5),不僅產(chǎn)生5v輸出電壓,而且也給FAN4800和FAN7382供電。通過OC2,主電源在待機(jī)期間是完全關(guān)閉的,只有這個(gè)電源仍然工作。

            通常這種電源沒有什麼特別的,而且可以很容易地在AN-4137和相關(guān)電子數(shù)據(jù)表,或SMPS 工具[3]的幫助下進(jìn)行。

            實(shí)際的輸出電壓是5V,電流是0.3A,但有了上述工具,改變?cè)O(shè)計(jì)到一個(gè)不同輸出電壓和高達(dá)約6W,并不是一個(gè)問題。由於使用FOD2711BTV,輸出電壓下降到3.3V 也不是問題。

            7. PCB 布局和機(jī)械構(gòu)造

            在文獻(xiàn)[4]中可以找到電子布局規(guī)則,談到高di/dt 的回路封閉區(qū)域和高dv/dt 節(jié)點(diǎn)的銅箔區(qū)域必須盡可能小,旨在減少電磁干擾。另外,Q1的源引腳,R233接地,R5右側(cè)和FAN4800 接地引腳應(yīng)該連接成星形,以減少共阻抗耦合的負(fù)面效應(yīng)。

            實(shí)際中的問題有∶對(duì)於較高輸出,PCB會(huì)較大;功率半導(dǎo)體必須放置在大散熱器上。結(jié)果是,往往不可能使回路小到應(yīng)該達(dá)到的值,同時(shí)結(jié)合電流密度規(guī)則,布線和星形的銅芯面積會(huì)破壞完整的電路板。因此,一種高功率電源PCB有時(shí)是一種妥協(xié),尤其是考慮成本須選擇單面PCB。

            如果密切留意實(shí)際的電路板,你會(huì)發(fā)現(xiàn)一些不太重要的信號(hào)走的路線不一定是最短路徑。這允許仿效星形連接的大型接地平面。此外,接地平面和熱信號(hào)之間的間隔應(yīng)盡可能小(考慮可靠性,對(duì)於給定電壓,間距約2mm),以使回路最小。其次是成本因素,由一個(gè)2mm 厚鋁板組成的簡(jiǎn)單散熱器,被彎曲成‘U’形,并被應(yīng)用到初級(jí)和次級(jí)。只有Q1,消耗更多功率,需要一個(gè)額外的散熱器。

            8. 測(cè)試結(jié)果

            本電路板有一份詳細(xì)的測(cè)試報(bào)告。這里顯示了三項(xiàng)測(cè)試結(jié)果。

            8.1 待機(jī)電源和輸入電壓

            

            見圖78.2 全負(fù)載效率和輸入電壓見圖8

            

            輸入電壓大於110VRMS時(shí),效率遠(yuǎn)高於預(yù)計(jì)的81%。對(duì)較小的電壓,數(shù)據(jù)可通過一個(gè)低阻抗EMI濾波器和去除NTC1提高。

            8.3 功率開關(guān)和二極管波形見圖9

            

            圖9 的左側(cè)顯示Q212 的漏極電流(下跡線)和電壓(上跡線)。從電流看來,CCM中的PSU工作是很明顯的。該漏極電壓被很好地箝制在直流電源電壓,當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí)。變壓器去磁化之後,電壓開始下降。斜率由變壓器激磁電感和MOSFET 的CDS確定的諧振值決定。

            當(dāng)MOSFET 導(dǎo)通時(shí),漏極電壓有機(jī)會(huì)接近最低值,但由於勵(lì)磁電感的高誤差(+/-30%)這可能因不同電路板而異。圖10 的二極管波形清楚地顯示了當(dāng)二極管關(guān)閉時(shí)的寄生振蕩。

            


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