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          TinySwitch II系列第二代微型單片開關(guān)電源的原理

          作者: 時(shí)間:2011-04-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          (3)將的使能端(EN)改為雙功能引出

          端“使能/欠壓端”(EN/UV)。正常工作時(shí)由此端控制內(nèi)部功率MOSFET的通斷,該端還可用于輸入欠壓檢測信號(hào)。另外,在旁路端(BP)內(nèi)部還增加了6.3V的鉗位保護(hù)電路。

          (4)新增加了開關(guān)頻率抖動(dòng)(frequencyjittering)

          功能,能濾除浸過清漆的普通高頻變壓器產(chǎn)生的音頻噪聲,并防止電源的開關(guān)噪聲,還能快速上電而無過沖現(xiàn)象。?的開/關(guān)控制器的調(diào)節(jié)速度比一般的脈寬調(diào)制器(PWM)更快,對(duì)紋波的抑制能力更佳。

          (5)功率MOSFET漏極的極限電流ILIMIT的容

          許偏差小。例如TNY264P/G的容許偏差僅為250±17mA,相對(duì)偏差減小到(±17/250)%=±6.8%;而TNY254P/G的容差為255±25mA,相對(duì)偏差達(dá)(±25/255)%=±9.8%。這表明,用TNY264P/G代替TNY254P/G來設(shè)計(jì)時(shí),由于TNY264P/G不需要留出過多的極限電流余量,因此在相同輸入功率/輸出電壓的條件下,輸出功率要高于TNY254P/G,并且能降低外圍元件的成本。

          1.3?與TinySwich的性能比較

          TinySwitch?與TinySwich產(chǎn)品的性能比較見表2。

          2TinySwitch?II的工作

          2.1管腳功能

          TinySwitch?II產(chǎn)品的引腳排列如圖1所示,它采用雙列直插式封裝(DIP?8B)或表面貼片式封裝(SMD?8B),但實(shí)際引出端只有7個(gè)。由于第6腳未引出,從而增加了漏極與源極的安全距離??紤]到它有4個(gè)源極端S,故等效于四端器件。4個(gè)源極被劃分成兩組:兩個(gè)S端需接控制電路的公共端,兩個(gè)S(HVRTN)端則接高壓返回端,它們都與內(nèi)部MOSFET的源極連通。D為內(nèi)部功率MOSFET的漏極引出端,為啟動(dòng)和穩(wěn)定工作提供了內(nèi)部工作電流。BP為旁路端,接外部0.1μF的旁路電容。正常工作時(shí),由EN/UV端來控制內(nèi)部功率MOSFET的通斷。超載時(shí),從EN/UV端流出的電流大于240μA,強(qiáng)迫功率MOSEFT關(guān)斷。若該端經(jīng)一只2MΩ電阻接輸入直流高壓UI,即可對(duì)UI進(jìn)行欠壓檢測,不接電阻時(shí)無此項(xiàng)功能。

          圖2TinySwitch?II的功能框圖

          圖3頻率抖動(dòng)的波形

          2.2工作

          TinySwitch?II內(nèi)部集成了一個(gè)耐壓為700V的功率MOSFET和一個(gè)開/關(guān)控制器。與傳統(tǒng)的PWM控制器不同,它采用一個(gè)簡單的開/關(guān)控制器來調(diào)節(jié)輸出電壓。其功能框圖如圖2所示。主要包括振蕩器,5.8V穩(wěn)壓器,旁路端鉗位用的6.3V穩(wěn)壓管,使能檢測與邏輯電路,極限電流狀態(tài)機(jī),欠壓、過流及過熱保護(hù)電路,自動(dòng)重啟動(dòng)計(jì)數(shù)器。此外,EN/UV的內(nèi)部電路中還增加了一個(gè)源極跟隨器。由圖2可見,能夠控制MOSFET關(guān)斷的電路有以下幾種:BP端欠壓比較器,過流比較器,過熱保護(hù)電路,前沿閉鎖電路,最大占空比信號(hào)Dmax,EN/UV控制端。它們之間呈“邏輯或”的關(guān)系,任何一路均可單獨(dú)將MOSFET關(guān)斷。

          TinySwitch?II一般工作在極限電流的模式下。啟動(dòng)時(shí),在每個(gè)時(shí)鐘周期開始時(shí)刻,TinySwitch?II對(duì)EN/UV端進(jìn)行取樣,再根據(jù)取樣結(jié)果來決定是否跳過周期以及跳過多少個(gè)周期,同時(shí)確定適當(dāng)?shù)臉O限電流閾值。當(dāng)漏極電流ID逐漸升高并達(dá)到ILIMIT值或者占空比達(dá)到最大值Dmax時(shí),使MOSFET關(guān)斷。滿載時(shí)TinySwitch?II在大部分周期內(nèi)導(dǎo)通;中等負(fù)載時(shí)則要跳過一部分周期并開始降低ILIMIT值,以維持輸出電壓穩(wěn)定。輕載或空載時(shí),則幾乎要跳過所有周期,并且進(jìn)一步降低ILIMIT值,使功率MOSFET僅在很少時(shí)間內(nèi)導(dǎo)通,以維持電源正常工作所必須的能量。

          EN/UV端一般由光耦合器驅(qū)動(dòng)。光耦合器中接收管的集電極連到EN/UV端,發(fā)射極則接源極。光耦合器與穩(wěn)壓管串聯(lián)在穩(wěn)壓輸出端,輸出電壓UO就等于光耦合器內(nèi)部發(fā)光二極管(LED)正向壓降UF與穩(wěn)壓管穩(wěn)定電壓UZ之和。當(dāng)UO↑時(shí),LED開始導(dǎo)通,將EN/UV腳電壓置成低電平,使功率MOSEFT關(guān)斷,通過減小占空比來使UO↓,最終達(dá)到穩(wěn)壓目的。為改善穩(wěn)壓性能,亦可用可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器TL431來代替普通的穩(wěn)壓管。



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