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          用于以太網(wǎng)物理層時(shí)鐘同步PLL的VCO設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-03-31 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          4 仿真結(jié)果
          該電路的電源電壓為2.5 V,使用Spectre仿真工具,電路得到的輸出頻率與控制電壓特性曲線和相噪特性曲線結(jié)果如圖4和圖5所示。圖4為的輸出相位噪聲曲線,可見低頻的1/f噪聲得到了很好地抑制。在偏離中心頻率600 kHz處的相位噪聲為-108 dBc/Hz。圖5為的輸出頻率與控制電壓特性曲線表明,VCO的控制電壓調(diào)節(jié)范圍是0.6~2.0 V,線性區(qū)頻率覆蓋范圍是60~480 MHz,壓控增益為300 MHz/V,滿足了層芯片的頻率要求。表1給出了整個(gè)VCO的性能參數(shù)指標(biāo)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179290.htm

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          5 結(jié)語
          本文了一個(gè)適層芯片的高寬帶低噪聲VCO,采用了具有良好抗噪能力的交叉耦合電流饑餓型差分環(huán)形振蕩器。仿真結(jié)果表明,在同樣輸入噪聲和環(huán)境噪聲的情況下,本文的VCO中心頻率為250MHz時(shí),壓控增益線性區(qū)頻率覆蓋范圍是60~480MHz,在偏離中心頻率600 kHz處的相位噪聲為-108 dBc/Hz,較文獻(xiàn)中傳統(tǒng)的反相器延遲單元的環(huán)形VCO性能有明顯的改善。說明了改進(jìn)后的電路具有較寬的頻率調(diào)節(jié)范圍,較好的線性度和較低的相位噪聲,完全滿足層芯片的性能要求。


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