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          利用屏蔽柵極功率 MOSFET 技術(shù)降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗

          作者: 時間:2011-03-28 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          圖4 在20A Rds(on) 5.7mΩ的相同條件下,傳統(tǒng)溝槽器件和柵極溝槽器件在20A/50V時的Qg曲線的比較


          另外,層及其阻抗相當于一個內(nèi)建緩沖電阻(snubbing resistance,(Rshield))-電容(Cdshield)網(wǎng)絡(luò),如圖3中的Coss分量所描述。這個緩沖網(wǎng)絡(luò)可減慢從低壓向高壓的轉(zhuǎn)換速度。柵極的這一特性有助于減少轉(zhuǎn)換期間的EMI、dv/dt引起的誤導(dǎo)通和雪崩效應(yīng)。

          DC/DC 1/16磚模塊的性能提高
          在輸入電壓48V、輸出3.3V、工作頻率400kHz、電流范圍10~20A的隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器初級端中,對飛兆半導(dǎo)體FDMS86252 150V屏蔽柵極與同類產(chǎn)品進行比較。結(jié)果如圖5所示。從圖中可看到,由于采用了屏蔽柵極,F(xiàn)DMS86252的效率最少可提高0.4%,這就意味著至少0.32W的節(jié)省,看似微不足道,但對DC/DC設(shè)計來說卻至關(guān)重要,因為要滿足相關(guān)規(guī)范要求,每一個百分點的效率提高都非常珍貴。

          圖5 在一個48VVIN,3.3VVOUT,400kHz工作頻率的隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器中,飛兆半導(dǎo)體FDMS86252 150V屏蔽柵極與同類產(chǎn)品的比較

          總結(jié)
          相比前幾代,飛兆半導(dǎo)體新推出的PowerTrench 具有更好的Rds(on)和Qg。這種技術(shù)讓電源設(shè)計人員能夠把效率和密度提高到一個新的水平。


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