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          高頻串聯(lián)逆變器諧振極電容緩沖電路的研究

          作者: 時間:2011-03-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:探討了一種適合MHz級的無損器。詳細分析了的換流過程,了不同值對器件關(guān)斷損耗和總體損耗的影響,給出了設(shè)計方法。仿真和實驗波形證明了理論分析的正確性。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179390.htm

          關(guān)鍵詞:;;換流過程;無損

           

          1 引言

          隨著快速開關(guān)器件(如功率MOSFET)的出現(xiàn),使感應(yīng)加熱電源的實現(xiàn)成為可能。逆變器是實現(xiàn)高頻感應(yīng)加熱電源最常見的拓撲結(jié)構(gòu)。然而,若使其工作在頻率高于1MHz的情況下,為更好地限制di/dt和du/dt,減少器件的開關(guān)損耗,需對逆變器的提出更高的要求。

          常規(guī)的緩沖器,如RCD緩沖,采用電阻來放電,隨著開關(guān)頻率的提高,消耗在緩沖器上的能量也隨之增加,大大降低了整個逆變系統(tǒng)的效率。而在MOSFET漏源間直接并聯(lián)一個無損緩沖電容可以有效地降低開關(guān)器件的關(guān)斷損耗,將常規(guī)緩沖器中電阻消耗的能量反饋給負載或電源,更適合用于高頻逆變器場合。文獻[1][4]已在這方面進行了理論分析和推導。在此基礎(chǔ)上,本文對在頻率高達MHz級情況下含有諧振極電容緩沖器的諧振逆變器特性和參數(shù)設(shè)計作了進一步探討,并進行了仿真和實驗驗證。

          2 含有諧振極電容緩沖器的逆變器換流過程分析

          圖1為簡化的含有諧振極電容緩沖器的諧振逆變器主拓撲電路。在四個橋臂上的開關(guān)器件MOSFET漏源兩端分別并聯(lián)了一個無損電容器,其中C1=C2=C3=C4=C。在感性負載條件下,開關(guān)頻率f應(yīng)略高于諧振頻率fr,輸出電流io的相位滯后于輸出電壓Uo。具體工作過程如圖2所示。

          圖1 簡化的含有諧振極電容緩沖器的串聯(lián)逆變器主拓撲電路

          (a) 換向前 (b) 換向中

          (c)換向后 (d)負載電流改變方向后

          圖2 含有諧振極電容的串聯(lián)諧振逆變器的換流過程

          狀態(tài)0 換向前,S1及S4導通,負載電流方向為io>0;此時電容C1C4上的電壓為零。C2C3上的電壓為Udc,如圖4(a)所示。

          狀態(tài)1 S1及S4關(guān)斷,開始換向,負載電流以io/2向C1C4充電,通過C2C3放電,如圖4(b)所示。

          狀態(tài)2 在換向過程中,待C1C4上的電壓達到Udc,C2C3上的電壓下降為零,而負載電流仍未過零,則會通過內(nèi)部反并聯(lián)二極管D2及D3續(xù)流,如圖4(c)所示。

          狀態(tài)3 負載電流io過零后,S2及S3導通,如圖4(d)所示。

          上述為上半個周期工作過程,下半個周期工作過程與上半個周期相似,在此從略。

          3 諧振極電容緩沖器的設(shè)計方法

          對含有諧振極電容的串聯(lián)諧振逆變器,在工作過程中,如果緩沖電容尚未放電結(jié)束就觸通同橋臂的MOSFET器件(非零壓開通),電容放電電流將直接流入開關(guān)管,不僅會造成巨大的開通損耗,而且開關(guān)管也易因過流而損壞。當fs>1MHz時,更增加了非零壓開通的危險性。

          設(shè)計中,關(guān)鍵是如何確定電容C和關(guān)斷角β0的數(shù)值。一個較大的C值,會減少關(guān)斷損耗,但同時會使通態(tài)損耗增加;β0越小,功率因數(shù)就越高,但過小的β0又將引起開關(guān)管的非零電壓開通。所以,在選擇Cβ0時,需在保證零電壓開通的前提下,取得盡可能小的關(guān)斷損耗。以下分析中均假定負載的品質(zhì)因數(shù)很高,且負載電流為正弦波。

          串聯(lián)諧振逆變器的輸出電流io和開關(guān)管漏源極間電壓uDS波形如圖3所示。假定ioω t=0時刻改變方向,io的幅值為Io,則io可表示為

          io=Iosinωt (1)

          圖3 串聯(lián)諧振逆變器輸出電流和開關(guān)電壓波形圖

          t=-toff時刻,關(guān)斷S1及S4;t=-ton時刻,反向二極管D2及D3開始導通。在(-tofftton)這段換向期間,C1C4用負載電流io的1/2進行充電,如圖2(b)。開關(guān)管S1及S4的開關(guān)電壓uDS可表示為

          uDS=(cosωt-cosβ0) (2)

          為保證零電壓開通,uDS必須在t=0之前達到Udc。圖3中,ωt=-ξ時,uDS上升到Udc。代入式(2)得

          cosβ0=cosξ (3)

          式(3)中Cβ0,ωξ均未知,確定它們的數(shù)值非常困難,以下我們先討論如何選擇C值。

          在MOSFET可靠關(guān)斷,uDS上升到Udc的瞬間,負載電流io恰巧下降到零(ω t=0)。設(shè)此時C=Cn,則近似有

          Cn= (4)

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