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          高可靠性與超寬環(huán)境溫度的混合集成DC/DC變換器的設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-03-16 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:電源,特別是在國(guó)防上應(yīng)用的電源,由于其條件的惡劣,從而對(duì)電源性能的要求也愈來愈嚴(yán)格。介紹一種作者為國(guó)家級(jí)重點(diǎn)軍品項(xiàng)目開發(fā)、研制的,具有工作(-60℃~+125℃,150℃短時(shí)間工作3min)和高、高頻率的厚膜電源,并提出此特種電源所要遵守的原則及注意事項(xiàng)。關(guān)鍵詞:高;;特種電源;開關(guān)電源DesignProceduresofHybridIntegrated Converterwith

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179462.htm

          HighReliabilityandSuperwideAmbientTemperature

          WANGQigangAbstract:Abriefintroductionwillbegiventothereadersabout anewtypeofhighreliabilityandhighfrequencythickfilmhybridintegrated powersupplyconverterhavingbeendevelopedfornationalkeyprojects inmilitaryproducts.Therangeofthesuperwideoperatingambienttemperature isfrom-60℃to+125℃,shorttimeoperatingfor3minutesat150℃.Therefore theprinciplesforobeyingandtherulestotakecareareofferedwhenperforming thedesignproceduresofthespecificpowersupply.

          Keywords:Highreliability;Superwideambienttemperature;Specificpower supply;Switchingpowersupply中圖分類號(hào):TN86文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):0219- 2713(2002)10-0539-05

          1引言

          近年來電源設(shè)備日趨復(fù)雜,元器件的品種和數(shù)量增加很快,使用環(huán)境也變得惡劣多樣,而所服務(wù)的電子系統(tǒng)又越來越重要和昂貴,特別是軍用裝備,尤其是航空、航天上的元器件及系統(tǒng)的要求就更高了。開關(guān)電源向著高頻、高可靠、低耗,低噪聲、抗干擾和模塊化的方向發(fā)展,供電方式由集中供電向分布式供電發(fā)展。DC/DC的需求越來越大,同時(shí)對(duì)可靠性提出了更高的要求。采用厚膜電路的形式既能使電路小型化又能達(dá)到高可靠性。本文介紹一種作者為我國(guó)重點(diǎn)軍品項(xiàng)目研制、開發(fā)、生產(chǎn)的高可靠、工作環(huán)境(-60℃~+125℃)的特種厚膜化電源。并提出研究此特種電源所要遵守的原則及注意事項(xiàng),尤其是圍繞此特種電源進(jìn)行的可靠性

          此厚膜化電源YH12D12的主要技術(shù)指標(biāo)如下:

          1)輸入電壓18~36V。

          2)輸出電壓±(12±0.5)V。

          3)輸入電壓調(diào)整率1.5%。

          4)輸出電壓溫度系數(shù)0.025%/℃。

          5)最大輸出電流±70mA。

          6)工作環(huán)境溫度-60℃~125℃。

          7)環(huán)境老化要求低溫-55℃,高溫+125℃。

          8)溫度循環(huán)-55℃~125℃,5次。

          9)高溫功率老化125℃、96h,150℃、3min。

          10)機(jī)械沖擊試驗(yàn)恒定加速度49000m/s2,1min。

          11)振動(dòng)試驗(yàn)0~2000kHz。

          12)隨機(jī)振動(dòng)試驗(yàn)功率譜密度為功能試驗(yàn)

          0.07g2/Hz,結(jié)構(gòu)試驗(yàn)0.09g2/Hz。

          13)外形尺寸30mm×20mm×8mm平行封焊。

          2可靠性

          21可靠性的定義

          國(guó)際上,通用的可靠性定義為:在規(guī)定環(huán)境條件下和規(guī)定的時(shí)間內(nèi),完成規(guī)定功能的能力。此定義適用于一個(gè)系統(tǒng),也適用于一臺(tái)設(shè)備或一個(gè)單元。由于故障出現(xiàn)的隨機(jī)性質(zhì),用數(shù)學(xué)方式來描述可靠性,常用“概率”來表示。從而,引出可靠度[R(t)]的定義:系統(tǒng)在規(guī)定環(huán)境條件下和規(guī)定時(shí)間內(nèi),完成規(guī)定功能的概率。

          如系統(tǒng)在開始(t=0)時(shí)有n0個(gè)元件在工作,而在時(shí)間為t時(shí)仍有n個(gè)元件在正常工作,則可靠性R(t)=0R(t)1(1)失效率λ(t)=-()(2)

          (λ的單位為FITS=10-9失效/h)

          λ定義為該種產(chǎn)品在單位時(shí)間內(nèi)的故障數(shù),即λ=dn/dt。

          如失效率λ為常數(shù),則=-λt(3)

          n=n0e-λt(4)

          R(t)=e-λt0t工作壽命(5)MTBF(平均無故障時(shí)間)=(6)

          涉及系統(tǒng)可靠性的因素很多。目前,人們認(rèn)識(shí)上的主要誤區(qū)是把可靠性完全(或基本上)歸結(jié)于元器件的可靠性和制造裝配的工藝,忽略了系統(tǒng)設(shè)計(jì)對(duì)于可靠性的決定性的作用。據(jù)美國(guó)海軍電子實(shí)驗(yàn)室的統(tǒng)計(jì),整機(jī)出現(xiàn)故障的原因和各自所占的百分比如表1所列。

          表1整機(jī)出現(xiàn)故障的原因故障原因占總失效數(shù)的百分比/%
          設(shè)計(jì)上的原因元器件質(zhì)量上的原因操作和維護(hù)上的原因制造上的原因40302010
          在民用電子產(chǎn)品領(lǐng)域,日本的統(tǒng)計(jì)資料表明,可靠性問題80%源于設(shè)計(jì)方面。(日本把元器件的選型,質(zhì)量級(jí)別的確定,元器件的負(fù)荷率等部分也歸入設(shè)計(jì)上的原因)??傊?,對(duì)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者而言,需明確建立“可靠性”這個(gè)重要概念,把系統(tǒng)的可靠性引為重要的技術(shù)指標(biāo),認(rèn)真對(duì)待可靠性的設(shè)計(jì)工作,并采取足夠的提高可靠性的措施,才能使系統(tǒng)和產(chǎn)品達(dá)到穩(wěn)定、優(yōu)質(zhì)的目標(biāo)。

          此特種電源的主要設(shè)計(jì)難點(diǎn)在于在有限的空間內(nèi)(電源小型化要求)制造出能夠在125℃ 環(huán)境溫度下長(zhǎng)期穩(wěn)定、可靠工作的DC/DC電源。而電源產(chǎn)品不可避免地要消耗能量使自身發(fā)熱。一般來說,如果電源具有輸出功率在1~2W之間,且多路輸出(雙路以上),并且要求輸出隔離等特點(diǎn),則此類電源的最高效率僅為65%左右,即就是說要有近一半的能量消耗在電源自身,使電源發(fā)熱。

          元器件實(shí)際工作中的負(fù)荷率與失效率之間存在著直接的關(guān)系。因而,元器件的類型,數(shù)值確定以后,應(yīng)從可靠性的角度來選擇元器件必須滿足的額定值,如元器件的額定功率、額定電壓、額定電流等。

          22環(huán)境溫度及負(fù)荷率對(duì)可靠性的影響

          從以下的資料可以看到,元器件的環(huán)境溫度和使用負(fù)荷對(duì)于可靠性的影響是如何巨大。

          1)半導(dǎo)體器件(含各種集成電路和二極管、三極管)

          例如硅三極管以PD/PR=0.5使用負(fù)荷設(shè)計(jì)(PD:使用功率,PR:額定功率),則環(huán)境溫度對(duì)可靠性的影響,如表2所列。

          表2環(huán)境溫度對(duì)半器件可靠性的影響環(huán)境溫度Ta[℃]205080
          失效率λ[1/10-9h]500250015000
          由表2可知,當(dāng)環(huán)境溫度Ta[℃]從20℃增加到80℃時(shí),失效率增加了30倍。

          環(huán)境溫度Ta=50℃,PD/PR對(duì)失效率的影響如表3所列。

          表3PD/PR對(duì)硅半導(dǎo)體器件失效率的影響PD/PR00.20.30.40.50.60.70.8
          失效率λ[1/10-9h]3050150700250070002000070000
          由表3可知,當(dāng)PD/Pn=0.8時(shí),失效率比0.2時(shí)增加了1000倍以上。

          為了提高產(chǎn)品的可靠性,抵消由于+125℃高溫環(huán)境所引起的失效率的增加,此類特種電源的硅半導(dǎo)體器件和FET器件的使用負(fù)荷設(shè)定小于0.1。

          2)電容器(以固體鉭電容器為例)

          以UD/UR=0.6設(shè)計(jì)(UD:使用電壓,UR:額定電壓),則環(huán)境溫度對(duì)可靠性的影響如表 4所列。

          圖1元器件失效率的盆底曲線


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