TinySwitchII系列微型單片開關(guān)電源的應用

（2）為了降低損耗，提高電源效率，次級整流管宜

采用肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，英文縮寫為SBD），簡稱肖特基二極管。這種管子具有正向壓降低（UF≈0.4V）、功率損耗小、反向恢復時間短（trr可小到幾ns）等優(yōu)點，適合用做低壓、大電流整流或續(xù)流。

（3）選擇輸出功率較大的TinySwitchII芯片，有

助于提高電源效率。例如在圖2所示的電路中，選擇TNY267時電源效率的下限值為78％；若采用TNY266、TNY264，就依次降為76％、74％。

（4）在特定的應用中，TinySwitchII的最大輸出功

率隨熱環(huán)境（包括環(huán)境溫度，散熱條件，通風狀況以及電源采用密封式還是敞開式等因素）、高頻變壓器磁芯的尺寸、工作方式的設(shè)計（連續(xù)模式或不連續(xù)模式）、所需功率、輸入電壓的最小值、輸入級濾波電容的容量、輸出整流管的正向壓降等條件而變化，可能與TinySwitchII系列第二代微型開關(guān)電源的原理一文中的表1中所列的典型值不同[見《電源技術(shù)應用》2001（11）]。

（5）TinySwitchII能濾除高頻變壓器產(chǎn)生的音頻

噪聲。允許采用普通結(jié)構(gòu)的浸漆變壓器，磁芯之間也可以不用膠粘接。當開關(guān)電源隨負載的減輕而產(chǎn)生音頻干擾時，TinySwitchII就通過不連續(xù)地減小極限電流值，以濾除音頻噪聲。

（6）圖1中的LTV817型線性光耦合器，可用

PC817或PC817A來代替。它們的技術(shù)參數(shù)基本相同，電流傳輸比CTR=80％～160％，反向擊穿電壓U(BR)CEO≥35V。

（7）在圖2所示電路中，待機電源若選擇TNY266P芯片，輸出功率就降為10W。此時可選EE16型高頻變壓器磁芯，并且還可以去掉濾波電容C7。

22印制板設(shè)計要點

TinySwitchII芯片的印制板元器件布置圖，如圖3所示，這里未使用欠壓保護電阻。設(shè)計印制板時必須注意以下事項：

（1）TinySwitchII下面的敷銅板不僅作為源極接

地點，還起到散熱作用。圖3中陰影區(qū)域面積應足夠大，才能保證TinySwitchII和次級整流管散熱良好，使芯片的結(jié)溫低于100℃。

（2）旁路端電容CBP和輸入濾波電容C1必須采

用單點接地法，接至源極端。連接C1、高頻變壓器和TinySwitchII的初級回路應盡量短捷。

（3）初級鉗位電路用于限制關(guān)斷時漏極上的峰

值電壓?？捎肦、C、VD型鉗位電路來實現(xiàn)，亦可用200V穩(wěn)壓管或者瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）對漏極電壓進行鉗位。在任何情況下，都要使鉗位元器件到高頻變壓器和TinySwitchII的距離為最短。

（4）若使用欠壓檢測電阻，應使電阻盡可能靠近

EN／UV端，以減少感應噪聲。還需要考慮欠壓檢測電阻R2和R3的耐壓值。選擇（1／4）W的電阻時，一般可承受200V電壓（指連續(xù)加壓，下同）；對（1／2）W的電阻，耐壓值則為400V。

（5）安全電容（Y電容）應直接安裝在初級濾波電容的正極與次級的公共地（返回端）之間，最大限度地抑制電磁干擾和共模浪涌電壓。

（6）光耦合器到TinySwitchII的EN／UV端和源極的距離應最短，以減小噪聲耦合。EN／UV腳到光耦合器的距離應小于12.7mm，到漏極的距離則應大于5.1mm。

（7）為提高穩(wěn)壓性能，連到次級繞組、次級整流管、次級濾波電容的的環(huán)路要盡量短。次級整流管的焊盤面積須足夠大，以確保在輸出短路的情況下能將整流二極管的熱量及時散發(fā)掉。

（8）連到輸入、輸出濾波電容的印制導線采用了末端收縮的布線方式，這有兩個好處：

——能使所有的高頻電流通過濾波電容被濾掉（若印制導線過寬，印制導線之間的分布電容就會影響對高頻干擾的濾波效果）；

——減少由TinySwitchII向輸入濾波電容、由次級整流管向輸出濾波電容傳輸?shù)臒崃?。返回端與次級的連線要短捷、連線的特性阻抗要低。另外，返回端應直接連到次級繞組的引腳處，而不是Y電容的焊點處。