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          變流技術(shù)與半導(dǎo)體電力變流器

          作者: 時間:2011-03-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          電力電子學(xué)(或電力電子技術(shù))的理論是建立在電子學(xué)、電力學(xué)和控制學(xué)三個學(xué)科基礎(chǔ)之上的。起初它被認為是介于電子學(xué)、電力學(xué)與控制學(xué)之間的邊緣學(xué)科,但是隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,它已成為一個涉及領(lǐng)域廣闊的學(xué)科,可以說凡是涉及到電能應(yīng)用的場合,便有其用武之地。時值今日它不僅已發(fā)展成為高科技的一個分支,而且還是許多高科技的支撐。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179557.htm

          電力電子技術(shù)之所以和“電力”二字相連則是因為最初它的應(yīng)用范圍主要是在電氣工程中和電力系統(tǒng)中,對市電或強電進行控制與變換。其作用就是根據(jù)負荷和負載的特殊要求,對市電、強電進行各種形式的變換(主要是頻率的變換),以使電氣設(shè)備得到最佳的電能供給,使電力系統(tǒng)處于最佳的運行狀態(tài),從而使電氣設(shè)備和電力系統(tǒng)實現(xiàn)高效、安全、經(jīng)濟的運行。電力電子技術(shù)發(fā)展到今天,它不僅僅只涉及到“電力”的變換與應(yīng)用,而且也涉及到化學(xué)能電源(電池)、太陽能電池電能的變換與應(yīng)用。雖然已突破了當(dāng)初單純“電力”的界限,但是仍然是在功率變換的范圍。

          僅就電力電子技術(shù)本身而言,它主要包括二個方面,即電力半導(dǎo)體器件制造技術(shù)和電力半導(dǎo)體變流技術(shù)。前者是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),后者是電力電子技術(shù)的核心。二者相輔相成,相互依存,相互促進的關(guān)系,使得電力電子技術(shù)發(fā)展的勢頭一浪高過一浪,使其在科技進步和經(jīng)濟建設(shè)中發(fā)揮著越來越重要的作用。

          1電力半導(dǎo)體器件

          半導(dǎo)體變流技術(shù)的發(fā)展,立足于電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展。而電力半導(dǎo)體器件是以美國1956年生產(chǎn)硅整流管(SR)、1958年生產(chǎn)晶閘管(SCR)為起始點逐漸發(fā)展起來的。

          經(jīng)過了40多年的發(fā)展,在器件制造技術(shù)上不斷提高,已經(jīng)歷了以晶閘管為代表的分立器件,以可關(guān)斷晶閘管(GTO)、巨型晶體管(GTR)、功率MOSFET、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的功率集成器件(PID),以智能化功率集成電路(SPIC)、高壓功率集成電路(HVIC)為代表的功率集成電路(PIC)等三個發(fā)展時期。從晶閘管靠換相電流過零關(guān)斷的半控器件發(fā)展到PID、PIC通過門極或柵極控制脈沖可實現(xiàn)器件導(dǎo)通與關(guān)斷的全控器件,從而實現(xiàn)了真正意義上的可控硅。在器件的控制模式上,從電流型控制模式發(fā)展到電壓型控制模式,不僅大大降低了門極(柵極)的控制功率,而且大大提高了器件導(dǎo)通與關(guān)斷的轉(zhuǎn)換速度,從而使器件的工作頻率由工頻→中頻→高頻不斷提高。

          在器件結(jié)構(gòu)上,從分立器件,發(fā)展到由分立器件組合成功率變換電路的初級模塊,繼而將功率變換電路與觸發(fā)控制電路、緩沖電路、檢測電路等組合在一起的復(fù)雜模塊。功率集成器件從單一器件發(fā)展到模塊的速度更為迅速,今天已經(jīng)開發(fā)出具有智能化功能的模塊(IPM)。

          發(fā)展歷程器件類型控制模式結(jié)構(gòu)特點
          第一代分立器件(DD)整流管(Diodes)普通型快速恢復(fù)型肖特基型其它不控換相關(guān)斷分立器件,或幾個分立器件芯片組成的模塊。
          晶閘管(Thyristors)普通型雙向型逆導(dǎo)型快速型光控型其它半控換相關(guān)斷電流型控制分立器件,或幾個分立器件芯片組成的簡單模塊;或幾個分立器件芯片與輔助電路組成的模塊。
          第二代功率集成器件(PID)門極可關(guān)斷型(GTO)其它全控、電流型控制集成器件,或幾個集成器件芯片與輔助電路組成的模塊。
          巨型晶體管(GTR)
          功率MOSFET絕緣柵雙極晶體管(IGBT)靜電感應(yīng)晶體管(SIT)其它全控、電壓型控制集成器件,或幾個集成器件芯片與輔助電路、智能化電路組成的智能化模塊。
          第三代功率集成電路(PIC)智能功率集成電路(SPIC)高壓功率集成電路(HVIC)含有功率器件在內(nèi)的多功能單元集成的、智能化的超大面積集成電路。

          表1具有代表性的電力半導(dǎo)體器件發(fā)展概況

          所有這一切為高頻變換技術(shù)的開發(fā),為變流器實現(xiàn)高頻化、小型化、輕量化,為節(jié)能、節(jié)材、提高效率與可靠性奠定了基礎(chǔ)。

          關(guān)于具有代表性的電力半導(dǎo)體器件與模塊的發(fā)展概況可參見表1。

          概括電力電子器件40多年來的發(fā)展,經(jīng)歷了三個時期,具體可分為四個階段。

          (1)第一階段

          以整流管、晶閘管為代表的發(fā)展階段,其在低頻、大功率變流領(lǐng)域中的應(yīng)用占有優(yōu)勢,很快便完全取代了汞弧整流器。

          (2)第二階段

          以GTO、GTR等全控器件為代表的發(fā)展階段,雖仍屬電流型控制模式,但其應(yīng)用使得變流器的準高頻化得以實現(xiàn)。

          (3)第三階段

          以功率MOSFET、IGBT等電壓型全控器件為代表的發(fā)展階段,可直接用IC進行驅(qū)動,高頻特性更好,可以說器件制造技術(shù)已進入了和微電子技術(shù)相結(jié)合的初級階段。即電力電子器件與電子器件在發(fā)展的道路上,經(jīng)歷了一段時間的分道揚鑣、各走各的路的狀況之后,又走到一起了。

          (4)第四階段

          以SPIC、HVIC等功率集成電路為代表的發(fā)展階段,使電力電子技術(shù)與微電子技術(shù)更緊密地結(jié)合在了一起,是將全控型電力電子器件與驅(qū)動電路、控制電路、傳感電路、保護電路、邏輯電路等集成在一起的高度智能化的功率集成電路。它實現(xiàn)了器件與電路的集成,強電與弱電、功率流與信息流的集成,成為機和電之間的智能化接口,機電一體化的基礎(chǔ)單元,預(yù)計PIC的發(fā)展將會使電力電子技術(shù)實現(xiàn)第二次革命,進入全新的智能化時代。這一階段還處在初期發(fā)展中。

          2半導(dǎo)體電力變流器

          21變流技術(shù)的應(yīng)用范圍

          變流技術(shù)發(fā)展到今天,其應(yīng)用范圍大致分為5個方面。

          (1)整流:實現(xiàn)AC/DC變換;

          (2)逆變:實現(xiàn)DC/AC變換;

          (3)變頻:實現(xiàn)AC/AC(AC/DC/AC)變換;

          (4)斬波:實現(xiàn)DC/DC(AC/DC/DC)變換;

          (5)靜止式固態(tài)斷路器:實現(xiàn)無觸點的開關(guān)、斷路器的功能,控制電能的通斷。

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