一種高精度低電源電壓帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
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3．3 部分關(guān)鍵參數(shù)的設(shè)計(jì)
在室溫下，設(shè)計(jì)雙極型晶體管的面積比n=8，計(jì)算出電壓的溫度系數(shù)
為保證式(8)的溫度系數(shù)為0，那么
，為了降低運(yùn)算放大器的輸入R21和R22的電阻比值設(shè)定為1．5，為保證輸出約在0．9 V，電阻R3和R2的比值為
，經(jīng)Hspice模擬，設(shè)計(jì)的電路參數(shù)為R21=120 kΩ，R22=80 kΩ，R0=20 kΩ，R3=150 kΩ。4 模擬結(jié)果
基于UMC 0．25μm CMOS工藝，采用Hspice對設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證。圖5為電源電壓為1．5 V，輸出基準(zhǔn)電壓為900 mV時(shí)的輸出溫度特性，在-40～120℃的溫度范圍內(nèi)，輸出基準(zhǔn)電壓變化為1．3 mV，設(shè)計(jì)的電路具有較好的溫度特性。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/179656.htm
圖6為輸出基準(zhǔn)電壓隨電源電壓的變化，當(dāng)電源電壓下降到1 V時(shí)，輸出基準(zhǔn)電壓迅速下降，電源電壓在1．1～3．5 V之間變化時(shí)，輸出電壓變化約為2 mV，電路的輸出電壓隨電源電壓的變化小。
設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電壓源主要性能參數(shù)，如表1所示。
5 結(jié)束語
在傳統(tǒng)CMOS帶隙基準(zhǔn)源的基礎(chǔ)上，本文采用0．25μmCMOS工藝，運(yùn)用正負(fù)溫度系數(shù)電流求和的原理，設(shè)計(jì)了0．9 V帶隙基準(zhǔn)電壓源，電源電壓可以降低至1．1 V，溫度系數(shù)為8．1×10-6／℃，而且基準(zhǔn)電壓的輸出可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)節(jié)，仿真結(jié)果表明了設(shè)計(jì)的正確性，加上輸出緩沖器，該電路可以集成到芯片內(nèi)部作為其內(nèi)置基準(zhǔn)源。
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